ddr2-sdram 文章進(jìn)入ddr2-sdram技術(shù)社區(qū)

8月份內(nèi)存芯片價(jià)格繼續(xù)上揚(yáng) 達(dá)到盈利水平

　　自今年初芯片價(jià)格達(dá)到數(shù)年來(lái)的最低點(diǎn)后開(kāi)始上揚(yáng)，8月份繼續(xù)上揚(yáng)，終于達(dá)到盈利水平。　　Gartner報(bào)告指出，8月1Gb DDR3芯片合同價(jià)格上漲了18.9%，為每個(gè)1.58美元;老款芯片DDR2合同價(jià)格上漲了13.7%，為每個(gè)1.45美元。　　內(nèi)存芯片價(jià)格上漲正值PC廠商生產(chǎn)并向全球市場(chǎng)發(fā)送PC之際。對(duì)許多國(guó)家而言，返校季節(jié)即將來(lái)臨，許多學(xué)生會(huì)攜新筆記本返?；蚱涓改纲?gòu)買(mǎi)臺(tái)式機(jī)。因返校季節(jié)成為銷(xiāo)售旺季，會(huì)使內(nèi)存市場(chǎng)價(jià)格上揚(yáng)，有時(shí)價(jià)格會(huì)一直上揚(yáng)至12月底，年底將是圣誕銷(xiāo)售旺季。　　今年微軟Wi
關(guān)鍵字：奇夢(mèng)達(dá) 內(nèi)存 DDR3 DDR2

8月份內(nèi)存芯片價(jià)格繼續(xù)上揚(yáng) 達(dá)到盈利水平

　　自今年初芯片價(jià)格達(dá)到數(shù)年來(lái)的最低點(diǎn)后開(kāi)始上揚(yáng)，8月份繼續(xù)上揚(yáng)，終于達(dá)到盈利水平。　　Gartner報(bào)告指出，8月1Gb DDR3芯片合同價(jià)格上漲了18.9%，為每個(gè)1.58美元;老款芯片DDR2合同價(jià)格上漲了13.7%，為每個(gè)1.45美元。　　內(nèi)存芯片價(jià)格上漲正值PC廠商生產(chǎn)并向全球市場(chǎng)發(fā)送PC之際。對(duì)許多國(guó)家而言，返校季節(jié)即將來(lái)臨，許多學(xué)生會(huì)攜新筆記本返?；蚱涓改纲?gòu)買(mǎi)臺(tái)式機(jī)。因返校季節(jié)成為銷(xiāo)售旺季，會(huì)使內(nèi)存市場(chǎng)價(jià)格上揚(yáng)，有時(shí)價(jià)格會(huì)一直上揚(yáng)至12月底，年底將是圣誕銷(xiāo)售旺季。　　今年微軟Wi
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6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比突破1，DDR3 SDRAM開(kāi)始發(fā)力

　　市場(chǎng)調(diào)研公司VLSI Research指出，6月全球半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比11個(gè)月來(lái)首次超過(guò)1。　　VLSI Research的數(shù)據(jù)顯示，6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比升至1.01，是去年7月來(lái)首次突破1。6月全球設(shè)備訂單額達(dá)25億美元，較5月增長(zhǎng)40%，但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長(zhǎng)31%，達(dá)24億美元，但較去年6月減少57%。　　VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平，但已出現(xiàn)了一些積極的趨勢(shì)。后端設(shè)備供應(yīng)商預(yù)計(jì)將獲得一次強(qiáng)勁增長(zhǎng)，后端工廠產(chǎn)能利用率正在快速增長(zhǎng)
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體設(shè)備 SDRAM 存儲(chǔ)器芯片設(shè)備

2009第二季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收漲幅高達(dá)27.1%

　　根據(jù)集邦科技調(diào)查統(tǒng)計(jì)，2009年第二季，DRAM合約價(jià)在減產(chǎn)效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠商在低價(jià)持續(xù)拉高庫(kù)存水位下，第二季DRAM合約季均價(jià)上漲23%?，F(xiàn)貨價(jià)格亦在減產(chǎn)效應(yīng)下，供給吃緊，DDR2 1Gb 667MHz 現(xiàn)貨價(jià)格在五月一度站上1.27美元。許多市場(chǎng)人士樂(lè)觀期待DDR2 1Gb在六月底站上1.5美元。但在五月下旬，傳出某DRAM廠商釋出低價(jià)顆粒到現(xiàn)貨市場(chǎng)，而使六月現(xiàn)貨價(jià)格維持在1.05至1.19間盤(pán)整。第二季DDR2 1Gb 667MHz 現(xiàn)貨季均價(jià)上漲27%，約1.12美元。　　第二季
關(guān)鍵字： Elpida DRAM DDR2

VLSI Research：6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比突破1

　　市場(chǎng)調(diào)研公司VLSI Research指出，6月全球半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比11個(gè)月來(lái)首次超過(guò)1。　　VLSI Research的數(shù)據(jù)顯示，6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比升至1.01，是去年7月來(lái)首次突破1。　　6月全球設(shè)備訂單額達(dá)25億美元，較5月增長(zhǎng)40%，但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長(zhǎng)31%，達(dá)24億美元，但較去年6月減少57%。　　VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平，但已出現(xiàn)了一些積極的趨勢(shì)。　　后端設(shè)備供應(yīng)商預(yù)計(jì)將獲得一次強(qiáng)勁增長(zhǎng)，后端工廠產(chǎn)能利
關(guān)鍵字：芯片設(shè)備半導(dǎo)體設(shè)備 SDRAM 存儲(chǔ)器

嵌入式實(shí)時(shí)圖像處理系統(tǒng)中SDRAM控制器的實(shí)現(xiàn)

嵌入式實(shí)時(shí)圖像處理系統(tǒng)中SDRAM控制器的實(shí)現(xiàn),介紹一種用于嵌入式實(shí)時(shí)圖像處理系統(tǒng)的SDRAM控制器的實(shí)現(xiàn)方案。根據(jù)實(shí)時(shí)系統(tǒng)對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速率及連續(xù)性的要求，將SDRAM配置為全頁(yè)突發(fā)操作模式，并采用異步FIFO作為FPGA與SDRAM間的數(shù)據(jù)緩沖器。為配合SDRAM的全頁(yè)操作模式，并充分利用其高速讀寫(xiě)性能，將FIFO設(shè)計(jì)為基于乒乓操作的流水線結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)的無(wú)縫緩存。將該方案用于實(shí)時(shí)紅外熱成像系統(tǒng)，經(jīng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該SDRAM控制器執(zhí)行效率高，占用資源少，可移植性強(qiáng)。
關(guān)鍵字： SDRAM 控制器實(shí)現(xiàn) 理系處理實(shí)時(shí) 圖像嵌入式

恒憶與三星電子共同合作開(kāi)發(fā) PCM

　　恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開(kāi)發(fā)制定相變存儲(chǔ)器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格，此新一代存儲(chǔ)技術(shù)可滿足載有大量?jī)?nèi)容和數(shù)據(jù)平臺(tái)的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機(jī)及移動(dòng)應(yīng)用、嵌入式系統(tǒng)*、高級(jí)運(yùn)算裝置的制造商應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。制定針對(duì)PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標(biāo)準(zhǔn)，將有效簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程并縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間，使制造商能在短時(shí)間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲(chǔ)產(chǎn)品。　　相較于
關(guān)鍵字： Numonyx NAND NOR PCM SDRAM

三星DRAM藏伏筆　臺(tái)廠忐忑難安

　　過(guò)去一向扮演DRAM市場(chǎng)領(lǐng)頭羊的三星電子(Samsung Electronics)，在近期這波合約價(jià)上漲過(guò)程中，卻表現(xiàn)異常的沈默，存儲(chǔ)器業(yè)者表示，三星不僅不愿意跟進(jìn)調(diào)漲，甚至業(yè)界不斷傳出三星有意不讓1Gb容量DDR2價(jià)格上漲超過(guò)1.5美元、甚至1.3美元，似乎不想讓原本奄奄一息的臺(tái)廠，再度有喘息機(jī)會(huì)，加上DRAM產(chǎn)業(yè)前景仍不明確，終端需求回籠跡象還不明顯，但卻已傳出多家DRAM廠開(kāi)始低調(diào)增加投片量，希望能趕上2009年下半PC市場(chǎng)傳統(tǒng)旺季，這不僅讓整體DRAM市場(chǎng)彌漫著相當(dāng)詭異氣氛，亦讓臺(tái)DRAM廠對(duì)
關(guān)鍵字：三星 DRAM 晶圓 DDR2

大容量SDRAM在windows CE系統(tǒng)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)

大容量SDRAM在windows CE系統(tǒng)中的應(yīng)用設(shè)計(jì),摘要：擴(kuò)大同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SDRAM)的容量是提升嵌入式產(chǎn)品性能的關(guān)鍵問(wèn)題。這里基于Intel公司的PXA255處理器提出一種大容量sDRAM的硬件設(shè)計(jì)方法，并在微軟提供的板級(jí)支撐包(BSF’)的基礎(chǔ)上編寫(xiě)了一套在win―dows
關(guān)鍵字：應(yīng)用設(shè)計(jì) 系統(tǒng) CE SDRAM windows 大容量

DDR2 SDRAM介紹及其基于MPC8548 CPU的硬件設(shè)計(jì)(08-100)

　　DDR2(Double Data Rate 2，兩倍數(shù)據(jù)速率，版本2) SDRAM，是由JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織開(kāi)發(fā)的基于DDR SDRAM的升級(jí)存儲(chǔ)技術(shù)。相對(duì)于DDR SDRAM，雖然其仍然保持了一個(gè)時(shí)鐘周期完成兩次數(shù)據(jù)傳輸?shù)奶匦?，但DDR2 SDRAM在數(shù)據(jù)傳輸率、延時(shí)、功耗等方面都有了顯著提高，而這些性能的提高，主要來(lái)源于以下技術(shù)的提升：ODT，Post CAS，4n數(shù)據(jù)預(yù)取，封裝等。
關(guān)鍵字：思科 DDR2 SDRAM

ADI公司的新一代SHARC 處理器滿足專業(yè)音頻的所有需求

　　極高性能的浮點(diǎn)DSP，比以往的 SHARC處理器性能提高一倍，具有硬件加速器與音頻應(yīng)用提升特性: 片上存儲(chǔ)器增加60%以上，提供DDR2 SDRAM外部存儲(chǔ)器接口及連接端口　　中國(guó) 北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商，最新推出SHARC® ADSP-21469，以幫助開(kāi)發(fā)人員重新定義專業(yè)系統(tǒng)中的逼真音響。更多的通道、更多的效果、更多的建模、更高的采樣速率：專業(yè)數(shù)字音頻應(yīng)用正在不斷逼
關(guān)鍵字： DSP SHARC處理器 DDR2 SDRAM ADI

DDR2器件HY5PS121621BFP在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

　　引言　　DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JED-EC開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)相比，雖然采用時(shí)鐘的上升／下降沿同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有2倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即：4 bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取)。即就是，DDR2內(nèi)存每時(shí)鐘能以4倍的外部總線速度讀／寫(xiě)數(shù)據(jù),并且能以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。　　此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝,而不是目前DDR廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝,FB
關(guān)鍵字：嵌入式內(nèi)存 DDR2 存儲(chǔ)器

DDR3：千呼萬(wàn)喚始出來(lái) 尤抱琵琶半遮面

內(nèi)存是PC機(jī)重要的部件之一，一般而言，每代內(nèi)存規(guī)格的生命周期為3-5年，如今DDR2規(guī)格在經(jīng)歷了4年左右的發(fā)展后，已經(jīng)進(jìn)入了其生命的最后歷程。　　隨著電腦技術(shù)以及應(yīng)用軟件的不斷進(jìn)步，在各種應(yīng)用當(dāng)中， DDR2內(nèi)存無(wú)論在性能還是功耗上對(duì)現(xiàn)今以及未來(lái)的需求都顯的有些捉襟見(jiàn)肘。作為IT行業(yè)的領(lǐng)跑者，在Intel現(xiàn)階段以及今后的發(fā)展藍(lán)圖中，我們可以看見(jiàn)DDR3內(nèi)存正逐漸取代DDR2。　　作為即將取代DDR2規(guī)格內(nèi)存的DDR3，相比DDR2頻率上限更高且電壓更低，這些改進(jìn)能為我們帶來(lái)什么好處呢？
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爾必達(dá)宣布減產(chǎn)內(nèi)存芯片產(chǎn)能10%

　　繼力晶在本周一宣布減產(chǎn)10-15%后，日本內(nèi)存芯片廠商爾必達(dá)在昨天正式對(duì)外宣布，自9月中旬起將正式減產(chǎn)總產(chǎn)能10%，全球每月內(nèi)存芯片(DRAM)總供給量可望因此減少約1.5%。　　力晶前天對(duì)外正式宣布將減少10-15%的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)量，即相當(dāng)于每個(gè)月將近1.5萬(wàn)片的12吋晶圓，同時(shí)推遲新廠建設(shè)日程，希望以此舒緩全球嚴(yán)重供過(guò)于求的形勢(shì)。　　作為力晶的重要策略合作伙伴，爾必達(dá)昨天的聲明對(duì)于即將進(jìn)入第四季傳統(tǒng)淡季的內(nèi)存芯片行業(yè)來(lái)說(shuō)，可能是個(gè)好消息，尤其爾必達(dá)是國(guó)際大廠之一。雖然兩家公司的
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SDRAM在任意波形發(fā)生器中的應(yīng)用

任意波形發(fā)生器在雷達(dá)、通信領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用,但目前任意波形發(fā)生器大多使用靜態(tài)存儲(chǔ)器。這使得在任意波形發(fā)生器工作頻率不斷提高的情況下,波形的存儲(chǔ)深度很難做得很大,從而不能精確地表達(dá)復(fù)雜信號(hào)。本文介紹的基于動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(SDRAM)的設(shè)計(jì)能有效解決這一問(wèn)題,并詳細(xì)討論了一種簡(jiǎn)化SDRAM控制器的設(shè)計(jì)方法。
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