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          使用Verilog實現(xiàn)基于FPGA的SDRAM控制器

          • 介紹了SDRAM的特點和工作原理,提出了一種基于FPGA的SDRAM控制器的設(shè)計方法,使用該方法實現(xiàn)的控制器可非常方便地對SDRAM進行控制。
          • 關(guān)鍵字: Verilog  SDRAM  FPGA  控制器    

          高速大容量數(shù)據(jù)采集板卡的SDRAM控制器設(shè)計

          • 摘  要:本文對高速、高精度大容量數(shù)據(jù)采集板卡所采用的SDRAM控制器技術(shù)進行了討論,詳細介紹了基于FPGA的SDRAM控制器的設(shè)計、命令組合以及設(shè)計仿真時序,并將該技術(shù)應(yīng)用于基于PCI總線的100MHz單通道 AD9432高速大容量數(shù)據(jù)采集板卡,最后給出了板卡測試結(jié)果。關(guān)鍵詞:SDRAM;FPGA;AD9432 引言高速數(shù)據(jù)采集具有系統(tǒng)數(shù)據(jù)吞吐率高的特點,要求系統(tǒng)在短時間內(nèi)能夠傳輸并存儲采集結(jié)果。因此,采集數(shù)據(jù)的快速存儲能力和容量是制約加快系統(tǒng)速度和容許采集時間的主要因素之一。通常用于數(shù)據(jù)采
          • 關(guān)鍵字: AD9432  FPGA  SDRAM  存儲器  

          SyncFlash存儲器在ARM嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • 摘    要:本文在簡要介紹SyncFlash(同步Flash)存儲器的基礎(chǔ)上,著重敘述了SyncFlash在基于ARM體系微處理器的嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用,并介紹了采用SyncFlash設(shè)計嵌入系統(tǒng)的優(yōu)勢。關(guān)鍵詞:SyncFlash;SDRAM;ARM微處理器;嵌入式系統(tǒng)  隨著嵌入式處理器的迅速發(fā)展,32位RISC處理器的應(yīng)用越來越廣泛,許多基于ARM核的微處理器都集成了SDRAM控制器。應(yīng)用系統(tǒng)中一般都是采用SDRAM存儲器作內(nèi)存、NOR Flash作程序存儲
          • 關(guān)鍵字: ARM微處理器  SDRAM  SyncFlash  嵌入式系統(tǒng)  存儲器  

          MPEG-4 SP級解碼器中的SDRAM接口設(shè)計

          • 摘    要:本文提出了一種在MPEG-4 SP級解碼器中的SDRAM接口設(shè)計,并巧妙地利用了一種新穎的填充方法,使得程序執(zhí)行的效率大幅度提高。關(guān)鍵詞:SDRAM;MPEG-4;填充 引言圖像處理系統(tǒng)都需要用到容量大、讀寫速度高的存儲介質(zhì)。SRAM操作簡單,但其昂貴的價格會使產(chǎn)品成本上升。相比較而言,SDRAM的控制較RAM復(fù)雜,但具有價格便宜、體積小、速度快、功耗低等優(yōu)點,所以從降低成本的角度出發(fā),本文采用SDRAM實現(xiàn)MPEG-4 SP(Simple Profile)級解
          • 關(guān)鍵字: MPEG-4  SDRAM  填充  存儲器  

          利用FPGA實現(xiàn)MMC2107與SDRAM接口設(shè)計

          • 介紹基于現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA),利用VHDL語言設(shè)計實現(xiàn)MMC2107與SDRAM接口電路。文中包括MMC2107組成結(jié)構(gòu)、SDRAM存儲接口結(jié)構(gòu)和SDRAM控制狀態(tài)機的設(shè)計。
          • 關(guān)鍵字: SDRAM  FPGA  MMC    

          美商凱創(chuàng)獲獎入侵偵測系統(tǒng)Dragon新版問世

          • 企業(yè)網(wǎng)路設(shè)備廠商 - 美商凱創(chuàng)(Enterasys Networks)表示,日內(nèi)發(fā)表其獲獎產(chǎn)品Dragon入侵偵測系統(tǒng)(Intrusion Detection System;IDS)的最新版本。Dragon 5在其基礎(chǔ)架構(gòu)中加入更好的延展性、可用性與彈性,以強化企業(yè)網(wǎng)路的安全
          • 關(guān)鍵字: IDS  凱創(chuàng)  DDR2  DRAM  

          1999年2月23日,上海華虹NEC電子有限公司建成試投片

          •   1999年2月23日,上海華虹NEC電子有限公司建成試投片,工藝技術(shù)檔次從計劃中的0.5微米提升到了0.35微米,主導(dǎo)產(chǎn)品64M同步動態(tài)存儲器(S-DRAM)。這條生產(chǎn)線的建-成投產(chǎn)標志著我國從此有了自己的深亞微米超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線。
          • 關(guān)鍵字: 華虹NEC  SDRAM  
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