ddr2-sdram 文章進(jìn)入ddr2-sdram技術(shù)社區(qū)

基于A3P125和SDRAM實(shí)現(xiàn)多功能、高分辨率顯示方案

采用A3P125和SDRAM該方案采用A3P125和SDRAM的方式實(shí)現(xiàn)，由于A3125資源較為豐富，除了可以實(shí)現(xiàn)高分辨率的顯示以外，還可以實(shí)現(xiàn)多圖層的功能，功能上高于上述的方案。

　　功能特點(diǎn)：
　　1、采用Actel中等容量
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三星跳電　存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)

　　三星電子(Samsung Electronics)韓國(guó)器興廠24日下午停電約1小時(shí)，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對(duì)于已極度缺貨的DRAM市場(chǎng)相當(dāng)緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲(chǔ)器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈出現(xiàn)供貨排擠效應(yīng)。　　三星器興廠發(fā)生停電意外，在啟動(dòng)不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時(shí)內(nèi)便恢復(fù)運(yùn)作，估計(jì)此事件對(duì)公司營(yíng)運(yùn)影響不大。　　存儲(chǔ)器業(yè)者指出，這次三星受影響廠區(qū)
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威剛董事長(zhǎng)預(yù)計(jì)DRAM市場(chǎng)二季度起出現(xiàn)供應(yīng)短缺

　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，威剛科技董事長(zhǎng)陳立白(Simon Chen)今日表示，從第二季度開(kāi)始，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)市場(chǎng)可能會(huì)面臨供應(yīng)短缺問(wèn)題，到今年下半年，供需缺口可能會(huì)達(dá)到10%。　　據(jù)報(bào)道，很多DRAM生產(chǎn)商已將部分DDR-2芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DDR-3，這推動(dòng)DDR-2芯片價(jià)格在傳統(tǒng)淡季第一季度出現(xiàn)上漲。　　報(bào)道稱，自春節(jié)假期結(jié)束以來(lái)，DDR2現(xiàn)貨價(jià)格已上漲6.8%。　　威剛科技主要生產(chǎn)USB閃盤驅(qū)動(dòng)器。
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臺(tái)灣DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)節(jié)后上漲7%

　　據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，內(nèi)存(DRAM)補(bǔ)貨潮號(hào)角響起，DDR2現(xiàn)貨價(jià)打破傳統(tǒng)淡季束縛率先表態(tài)，農(nóng)歷年后上漲近7%，創(chuàng)近一個(gè)多月新高。相關(guān)大廠如力晶、茂德、威剛等可望受惠，但科技大廠可能得要擔(dān)心，資訊產(chǎn)品供應(yīng)鏈下半年會(huì)出現(xiàn)缺貨潮。　　威剛董事長(zhǎng)陳立白指出，電子大廠都在談缺工，其實(shí)缺工問(wèn)題不大，缺貨才是下半年大難題。主要是筆記型與桌上型電腦等產(chǎn)品會(huì)面臨這個(gè)問(wèn)題。　　根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)26日的報(bào)價(jià)，1Gb DDR2有效測(cè)試顆粒(eTT)上漲逾2%，均價(jià)2.35美元，創(chuàng)近一個(gè)多月新
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DDR2芯片價(jià)格有望在下半年超過(guò)DDR3

　　報(bào)道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開(kāi)始減少，其價(jià)格有望在今年下半年超過(guò)DDR3。　　Simon Chen認(rèn)為，DDR2在低端PC市場(chǎng)還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價(jià)格低于2美元，那么它需求將會(huì)出現(xiàn)大幅度增長(zhǎng)。　　Simon Chen還表示，上游芯片供應(yīng)商紛紛通過(guò)工藝升級(jí)的方式來(lái)加大DDR3芯片的產(chǎn)量，不過(guò)這種升級(jí)或許會(huì)因?yàn)槠渌O(shè)備的供應(yīng)短缺而延緩。　　根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測(cè)，1Gb DDR2
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DRAM迎來(lái)希望之光年底將“春光燦爛”

　　在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來(lái)就不錯(cuò)了。　　但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來(lái)了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為19%，營(yíng)業(yè)收入達(dá)22億美元，市場(chǎng)份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。　　DDR3來(lái)臨　　第三季度，下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來(lái)的一股潮流。iSuppli公司預(yù)測(cè)，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
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中芯國(guó)際全面停止DRAM芯片生產(chǎn) 臺(tái)灣廠商受惠

　　上海芯片代工廠中芯國(guó)際自新任CEO王寧國(guó)掌權(quán)后，包括中芯本身、武漢廠新芯、成都廠成芯等可掌控產(chǎn)能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務(wù)。　　由于中芯過(guò)去兩年以SDRAM填補(bǔ)產(chǎn)能，成為國(guó)內(nèi)消費(fèi)性電子產(chǎn)品及家電市場(chǎng)SDRAM最大供應(yīng)商，此次停產(chǎn)后導(dǎo)致市場(chǎng)供貨短缺效應(yīng)逐步發(fā)酵，128Mb及256Mb x32規(guī)格SDRAM現(xiàn)貨價(jià)近日飆出新天價(jià)，臺(tái)灣地區(qū)SDRAM供應(yīng)商受惠最大。　　中芯這兩年因SDRAM月投片產(chǎn)能維持在2萬(wàn)片8吋芯片規(guī)模，在大陸消費(fèi)性電子及家電市場(chǎng)，擁有超過(guò)30%的市場(chǎng)占有率，
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臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3

　　2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺(tái)系DRAM芯片制造商都在加快產(chǎn)能從DDR2向DDR3轉(zhuǎn)換的步伐。根據(jù)稍早前的報(bào)道，臺(tái)灣力晶(PSC)半導(dǎo)體以及他們和日本爾必達(dá)合資的瑞晶電子(Rexchip)預(yù)計(jì)，今年第一季度DDR3晶圓在其總產(chǎn)能中所占比例將超過(guò)70%。而去年第三季度，DDR3顆粒占其產(chǎn)量的比例還不足5%。從去年第四季度開(kāi)始，力晶和瑞晶已經(jīng)明顯加快了增產(chǎn)DDR3的步伐。　　另一家DRAM大廠
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DDR2乏人問(wèn)津　DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

　　DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來(lái)臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺(tái)系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預(yù)計(jì)第1季底DDR3比重將達(dá)70%，速度超乎預(yù)期。不過(guò)，亦有業(yè)者認(rèn)為，若大家都搶著把DDR2產(chǎn)能轉(zhuǎn)走，說(shuō)不定會(huì)意外讓DDR2跌勢(shì)止穩(wěn)，反而有利于DDR2價(jià)格走勢(shì)。　　臺(tái) DRAM廠表示，原本業(yè)者認(rèn)為在農(nóng)歷春節(jié)前DDR2買氣還有最后一搏機(jī)會(huì)，因?yàn)镈DR2若
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Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開(kāi)發(fā)完成

　　韓國(guó)內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動(dòng)設(shè)備，可在智能手機(jī)，平板電腦等移動(dòng)設(shè)備上使用，Hynix并稱這種芯片將于今年上半年開(kāi)始投入量產(chǎn)。　　這款內(nèi)存芯片產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)1066Mbps，并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進(jìn)行供貨。　　Hynix宣稱這款芯片產(chǎn)品采用了44nm制程技術(shù)制作，工作電壓僅1.2V，位寬為32位的配置條件下，使用這種芯片的內(nèi)存系統(tǒng)帶寬可達(dá)4.26GB/s。另外，這
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DDR2仍未過(guò)時(shí)，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹(shù)

　　2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無(wú)幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問(wèn)世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。　　DDR2 還不算過(guò)時(shí)，而且未來(lái)一段時(shí)間之內(nèi)也不會(huì)過(guò)時(shí)，它的價(jià)格在過(guò)去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹(shù)。　　主要有兩個(gè)原因在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。　　新款英特爾處理器　　促進(jìn)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡的一個(gè)事實(shí)是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
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DDR2仍未過(guò)時(shí)，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹(shù)

　　2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無(wú)幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問(wèn)世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。　　DDR2 還不算過(guò)時(shí)，而且未來(lái)一段時(shí)間之內(nèi)也不會(huì)過(guò)時(shí)，它的價(jià)格在過(guò)去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹(shù)。　　主要有兩個(gè)原因在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。　　新款英特爾處理器　　促進(jìn)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡的一個(gè)事實(shí)是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
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基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器設(shè)計(jì)

　1 引言　　DDR3 SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）制定的全新下一代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，具有速度更快、功耗更低、效能更高以及信號(hào)質(zhì)量更好等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于解決高速系統(tǒng)(例如某些高速圖像處理系統(tǒng))設(shè)計(jì)中由于存儲(chǔ)
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多路讀寫SDRAM接口設(shè)計(jì)

存儲(chǔ)器是容量數(shù)據(jù)處理電路的重要組成部分。隨著數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，對(duì)于存儲(chǔ)器的容量和性能提出了越來(lái)越高的要求。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)因其容量大、讀寫速度快
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Hynix40nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片通過(guò)Intel驗(yàn)證

　　韓國(guó)Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品通過(guò)了Intel的認(rèn)證，Hynix并稱將開(kāi)始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，另外他們還宣稱面向服務(wù)器應(yīng)用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗(yàn)證工作也將于年底前順利完成。　　這次通過(guò)驗(yàn)證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內(nèi)存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內(nèi)存條)，驗(yàn)證時(shí)的運(yùn)行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。　　Hynix宣稱
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