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基于Xilinx ISE的DDR SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 在高速信號處理系統(tǒng)中，需要緩存高速、大量的數(shù)據(jù)，存儲器的選擇與應(yīng)用已成為系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器，它采用雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)來完成高速操作。DDR SDRAM一個時鐘周期只能傳輸一個數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)，因此在相同的數(shù)據(jù)總線寬度和工作頻率下，DDR SDRAM的總線帶寬比DDR SDRAM的總線帶寬提高了一倍。
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DDR SDRAM
利用FPGA解決TMS320C54K與SDRAM的接口問題
- 在DSP應(yīng)用系統(tǒng)中，需要大量外擴(kuò)存儲器的情況經(jīng)常遇到。例如，在數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)中，為了將現(xiàn)場拍攝的諸多圖...
- 關(guān)鍵字： FPGA TMS320C54K SDRAM
基于VHDL的SDRAM接口設(shè)計(jì)
- 基于VHDL的SDRAM接口設(shè)計(jì),RAM通常用于數(shù)據(jù)和程序的緩存,隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，RAM獲得了飛速的發(fā)展，從RAM、DRAM(Dynamic RAM，即動態(tài)RAM)發(fā)展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即同步動態(tài)RAM)，RAM的容量越來越大、速度越來越高，可以說存
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 接口 SDRAM VHDL 基于
高速圖像處理系統(tǒng)中DDR2-SDRAM接口的設(shè)計(jì)
- 摘要：為了滿足高速圖像處理系統(tǒng)中需要高接口帶寬和大容量存儲的目的，采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設(shè)計(jì)方法，提出一種基于VHDL語言的DDR2-SDRAM控制器的方案，針對高速圖像處理系統(tǒng)中的具體情況，在Xilinx的ML506開發(fā)
- 關(guān)鍵字： 接口 設(shè)計(jì) DDR2-SDRAM 理系 圖像 處理 高速
爾必達(dá)采用TSV技術(shù)SDRAM芯片開始供貨
- 爾必達(dá)存儲器宣布，開始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術(shù)積層4個2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達(dá)表示采用TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據(jù)爾必達(dá)介紹，與采用引線鍵合(Wire Bonding)技術(shù)的現(xiàn)有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產(chǎn)品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節(jié)省
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) SDRAM
基于USB2.0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 摘要：采用DDR2SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù)，給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實(shí)時、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方...
- 關(guān)鍵字： USB2.0 DDR2 數(shù)據(jù)采集
DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對被測對象進(jìn)行處理和分析，研究人員們把重點(diǎn)更多的放在高速、高精度、高存儲深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上 由于A／D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn)，已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理，則
- 關(guān)鍵字： SDRAM DDR 高速數(shù)據(jù) 采集系統(tǒng)
DDR測試技術(shù)和工具是否跟上了時代步伐？
- DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國泛泰去年底最新推出的Android智能手機(jī)Vega X就搭載了512MB的DDR2內(nèi)存。 DDR技術(shù)不斷發(fā)展，并行總線達(dá)到了串行技術(shù)的速度，時鐘速度達(dá)到1GHz。目前，DDR3現(xiàn)在已經(jīng)具備1.6Gb/s的數(shù)據(jù)速率，而DDR3-1866及更高速率版本正在開發(fā)中，很快就會出現(xiàn)在市場上。
- 關(guān)鍵字： SDRAM DDR測試
ASIC原型驗(yàn)證板DDR2 速率再攀高峰
- 唐芯微電子(Infix-IP)Altera Stratix IV 530/820 FPGA單顆(MB3100-A5/8)和雙顆(D-MB3100A)原型驗(yàn)證平臺半年來在用戶項(xiàng)目使用中，從性能、價格、穩(wěn)定性來說已得到了用戶的很高評價，當(dāng)然，唐芯微人還是不失抓住每一次售后機(jī)會，把握用戶提出的問題和建議，配合用戶完成項(xiàng)目的同時對這款產(chǎn)品進(jìn)行一次次優(yōu)化修正，不但用戶對唐芯微電子售后服務(wù)有了更進(jìn)一步體會，而且?guī)醉?xiàng)技術(shù)成果的突破也讓用戶刮目相看。
- 關(guān)鍵字： ASIC DDR2
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