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          一季度全球DRAM內(nèi)存芯片營收環(huán)比降低4%

          •   市場調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布的全球一季度DRAM內(nèi)存芯片市場統(tǒng)計報告顯示,DRAM內(nèi)存芯片市場該季度營收83億美元,相比去年第四季度的86億美元下降4%。   
          • 關(guān)鍵字: DRAM  DDR3  WiMAX  

          內(nèi)存芯片廠商醞釀漲價

          •   據(jù)《蘋果日報》援引匿名消息提供者的說法稱,由于PC OEM廠商正在積極囤積庫存,內(nèi)存芯片廠商南亞公司計劃四月份將其產(chǎn)品的價格提價5%。報道還稱三星公司已經(jīng)知會其客戶稱4月上半月將對旗下內(nèi)存芯片產(chǎn)品漲價5-6%,2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的合約價格有望爬升到2美元以上。  
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存芯片  DDR3  

          爾必達(dá)瑞晶垂直晶體管結(jié)構(gòu)DDR3芯片試產(chǎn)成功

          •   日本爾必達(dá)與臺灣瑞晶公司近日發(fā)表聯(lián)合聲明稱兩家公司已經(jīng)成功完成了4F2架構(gòu)設(shè)計1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的試產(chǎn),這次試產(chǎn)是由瑞晶的研發(fā)中心主導(dǎo)的。瑞晶的研發(fā)中心自去年開始正式運作,他們一直在和爾必達(dá)公司一起研發(fā)4F2 DRAM芯片產(chǎn)品。兩家公司目前已經(jīng)合力成功制造出了基于65nm設(shè)計準(zhǔn)則的4F2 1Gbit密度DDR3 DRAM芯片產(chǎn)品?!?/li>
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DDR3  

          DDR3存儲器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用

          • DDR3存儲器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用,DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而,和過去幾代(DDR和DDR2)器件相比,DDR3存儲器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲器的優(yōu)點,使用一個高效且易于使用的DDR3存儲器接口控制器
          • 關(guān)鍵字: 視頻  數(shù)據(jù)處理  應(yīng)用  IP  控制器  存儲器  接口  DDR3  

          如何實現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接

          • 采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構(gòu)支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬,工作電壓低至1.5V,因此功耗小,存儲密度更可高達(dá)2Gbits。該架構(gòu)無疑速度更快,容量更大,單位比特的功耗更低,但問
          • 關(guān)鍵字: SDRAM  FPGA  DDR3  存儲器    

          爾必達(dá)推出全球最小尺寸30nm DDR3顆粒

          •   最近,內(nèi)存顆粒的工藝進(jìn)步速度非??欤钕冗M(jìn)的30nm工藝甚至已經(jīng)超過了處理器。在功耗與散熱方面也有了長足的進(jìn)步。   今天我們得到最新消息,繼三星之后,爾必達(dá)也成功開發(fā)出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒,并且核心面積和功耗都創(chuàng)下業(yè)界新紀(jì)錄。   據(jù)了解,爾必達(dá)這種顆粒最高支持DDR3-1866頻率,可以在1.35V低電壓下實現(xiàn)1600MHz頻率。同時,其工作電流相比同廠40nm產(chǎn)品工作電流降低15%,待機(jī)電流下降10%。   爾必達(dá)聲稱該內(nèi)存顆粒是目前世界上體積最小的產(chǎn)品
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DDR3  30nm  

          三星量產(chǎn)8GB DDR3筆記本電腦內(nèi)存模組

          •   三星剛剛公布其量產(chǎn)8GB DDR3筆記本內(nèi)存模組的消息,根據(jù)計劃,三星將為筆記本和移動工作站生產(chǎn)SODIMM接口內(nèi)存模塊,該模塊基于40納米制程,1333MHz頻率,1.5V電壓,比上一代4GB DDR3模組節(jié)電53%,比1.8V DDR2節(jié)電67%。   這種模組最早將被提供到戴爾Precision M6500移動工作站上,如將插槽插滿,共可容下32GB內(nèi)存。
          • 關(guān)鍵字: 三星  DDR3  40納米  

          DRAM價15天爆跌10% 恐跌至2美元線

          •   韓國電子時報報導(dǎo),DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%,1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預(yù)測值,不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計,1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元,這是DDR3自2009年1月上市以來,固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時,價格僅 在1美元在線,其后持續(xù)上升,至2009年11月,以2.25美元首度突破2美元線。   D
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  DDR3  

          DRAM價15天爆跌10% 恐跌至2美元線

          •   韓國電子時報報導(dǎo),DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%,1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預(yù)測值,不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。   據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計,1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元,這是DDR3自2009年1月上市以來,固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時,價格僅在1美元在線,其后持續(xù)上升,至2009年11月,以2.25美元首度突破2美元線。DD
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  DDR3  

          三星宣布開始量產(chǎn)30nm制程2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片

          •   今年早些時候,三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內(nèi)存芯片的開發(fā)工作,而最近他們則宣布這款芯片產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數(shù)據(jù)傳輸率下,加壓到1.5V之后數(shù)據(jù)傳輸率則可提升至2133MHz,適用于 臺式機(jī),筆記本,服務(wù)器,上網(wǎng)本,移動設(shè)備的各種應(yīng)用。   三星表示目前他們正在開發(fā)4Gb密度的30nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品,預(yù)計這款產(chǎn)品今年才會投入使用。
          • 關(guān)鍵字: 三星  30nm  DDR3  

          DDR3存儲器接口控制器IP加速數(shù)據(jù)處理應(yīng)用

          • DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而,和過去幾代(DDR和DDR2)器件相比,DDR3存儲器器件...
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          茂德成功試產(chǎn)63nm DDR3顆粒

          •   臺灣媒體報道,茂德今天宣布,他們已在其臺灣科技園中部的12寸晶圓廠使用爾必達(dá) 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工藝成功試產(chǎn)出了1Gb DDR3內(nèi)存顆粒。首批測試結(jié)果顯示,顆粒規(guī)格符合業(yè)界規(guī)范,并全面兼容PC、數(shù)碼移動電子品應(yīng)用。茂德今年三月份開始使用爾必達(dá)的63nm堆疊制程工藝試產(chǎn)DDR3顆粒,計劃在今年三季度實現(xiàn)量產(chǎn)。到年底時,茂德每月為DDR3芯片生產(chǎn)提供的晶圓產(chǎn)量 將達(dá)到3.5萬片。   茂德表示,他們預(yù)計將在明年下半年開始使用爾必達(dá)的45nm工藝進(jìn)行生產(chǎn),并計劃在明年年底
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          Quamtum-SI DDR3仿真解析

          • Automated DDR3 Analysis

            Quantum-SI 2008.04 automates signal integrity and timing analysis of DDR3 interfaces. Enhancements include new DDR3-specific waveform quality checks and modeling of dynam
          • 關(guān)鍵字: Quamtum-SI  DDR3  仿真    

          Q1全球DRAM產(chǎn)值續(xù)增 三星穩(wěn)居龍頭

          •   DRAM價格走揚,帶動全球第一季DRAM產(chǎn)值持續(xù)攀高至92.77億美元,較去年第4季再成長6.9%;其中,南韓三星市占率達(dá)32.3%,穩(wěn)居全球DRAM龍頭寶座。   集邦科技表示,盡管第一季為DRAM產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季,不過,在電腦系統(tǒng)廠商擔(dān)心下半年恐將缺貨、積極儲備安全庫存下,帶動第 1季DRAM市場需求淡季不淡,價格也持續(xù)走揚。   根據(jù)統(tǒng)計,第一季DDR3合約季均價上漲16%,現(xiàn)貨季均價也上漲14%;DDR2產(chǎn)品方面,第1季合約季均價上漲5%,現(xiàn)貨季均價則持平表現(xiàn)。   而在產(chǎn)品價格走揚,加上各
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          三星將加大40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)能

          •   頂級內(nèi)存/閃存芯片廠商三星公司近日宣布由于Intel至強(qiáng)5600系列新處理器的出爐,刺激服務(wù)器廠商對DDR3內(nèi)存的需求量大增,因此公司將增加 40nm制程DDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)能。三星表示其40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的耗電量將比60nm制程產(chǎn)品低40%左右,目前其40nm制程 DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的型號主要有1Gb/2Gb/4Gb幾種,可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed內(nèi)存條。   三星半導(dǎo)體公司的副總裁Jim Elliott表示:“當(dāng)與
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          共126條 3/9 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 »

          ddr3介紹

          目錄概述 設(shè)計 發(fā)展 DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進(jìn) 概述   針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上,和DDR2相比優(yōu)勢如下:   (1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn),在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量,使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。   (2)工作頻率更高:由于能耗降低,DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率,在一定程度 [ 查看詳細(xì) ]

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