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ddr3 文章 進(jìn)入ddr3技術(shù)社區(qū)
廠商采取搭售策略 挽回DDR2銷(xiāo)售頹勢(shì)
- 全球DRAM市場(chǎng)正加速進(jìn)行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價(jià)格持續(xù)上漲，DDR2價(jià)格卻嚴(yán)重下跌，且累積庫(kù)存越來(lái)越多，近期韓系DRAM大廠開(kāi)始祭出買(mǎi)DDR3模塊必須搭配買(mǎi)DDR2模塊的搭售策略，希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購(gòu)買(mǎi)DDR3模塊，由于DDR3模塊在現(xiàn)貨市場(chǎng)貨源奇缺，使得部分下游通路商亦跟進(jìn)DRAM大廠，采取搭售策略，希望在DDR2與DDR3 模塊世代交替的同時(shí)，避免產(chǎn)品價(jià)格嚴(yán)重背道而馳。 近期DRAM市場(chǎng)已呈現(xiàn)兩極化發(fā)展，DDR3芯片市場(chǎng)缺貨情況持續(xù)惡化，但DDR2芯片庫(kù)存卻是愈堆愈多，存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3
海力士擬償還8.88億美元債務(wù) 得益于芯片需求
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，由于計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供不應(yīng)求可能有助于利潤(rùn)創(chuàng)下4年來(lái)新高，全球第二大內(nèi)存芯片廠商海力士計(jì)劃今年償還逾1萬(wàn)億韓元債務(wù)(約合8.88億美元)。 海力士首席執(zhí)行官金鐘甲(Kim Jong-kap)日前在接受采訪時(shí)表示，“我們的目標(biāo)是，在進(jìn)行必要投資的同時(shí)償還巨額債務(wù)。目前，海力士有息債務(wù)約為7萬(wàn)億韓元(約合62.16億美元)。” 更少的債務(wù)和更高的利潤(rùn)有助于海力士吸引其他收購(gòu)方。去年11月，曉星公司撤消了收購(gòu)海力士的收購(gòu)要約。分析師稱(chēng)，由于PC需求增長(zhǎng)，今年
- 關(guān)鍵字： DRAM 內(nèi)存芯片 DDR3
臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
- 2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺(tái)系DRAM芯片制造商都在加快產(chǎn)能從DDR2向DDR3轉(zhuǎn)換的步伐。根據(jù)稍早前的報(bào)道，臺(tái)灣力晶(PSC)半導(dǎo)體以及他們和日本爾必達(dá)合資的瑞晶電子(Rexchip)預(yù)計(jì)，今年第一季度DDR3晶圓在其總產(chǎn)能中所占比例 將超過(guò)70%。而去年第三季度，DDR3顆粒占其產(chǎn)量的比例還不足5%。從去年第四季度開(kāi)始，力晶和瑞晶已經(jīng)明顯加快了增產(chǎn)DDR3的步伐。 另一家DRAM大廠
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR2 DDR3
DDR2乏人問(wèn)津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
- DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來(lái)臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺(tái)系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預(yù)計(jì)第1季底DDR3比重將達(dá)70%，速度超乎預(yù)期。不過(guò)，亦有業(yè)者認(rèn)為，若大家都搶著把DDR2產(chǎn)能轉(zhuǎn)走，說(shuō)不定會(huì)意外讓DDR2跌勢(shì)止穩(wěn)，反而有利于DDR2價(jià)格走勢(shì)。 臺(tái) DRAM廠表示，原本業(yè)者認(rèn)為在農(nóng)歷春節(jié)前DDR2買(mǎi)氣還有最后一搏機(jī)會(huì)，因?yàn)镈DR2若
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR2 DDR3 存儲(chǔ)器
力晶半導(dǎo)體稱(chēng)第四財(cái)季實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)
- 臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體表示，經(jīng)過(guò)連續(xù)十個(gè)季度的虧損后，受需求反彈和芯片價(jià)格穩(wěn)步上漲的推動(dòng)，第四財(cái)政季度公司實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)。 力晶半導(dǎo)體在其網(wǎng)站上發(fā)布公告稱(chēng)，已有大量現(xiàn)金流入公司，這將顯著改善公司的財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)。該公司并未提供截至去年12月31日財(cái)季的凈利潤(rùn)數(shù)據(jù)。 力晶半導(dǎo)體稱(chēng)，公司將通過(guò)增加DDR3芯片發(fā)貨量鞏固凈利潤(rùn)成果。公司預(yù)計(jì)，到3月份DDR3芯片發(fā)貨量占其總發(fā)貨量的比重將達(dá)到75%。 分析師們表示，DDR3芯片將成為今年個(gè)人電腦應(yīng)用的主流內(nèi)存芯片。與DDR2芯片相比，DDR3的處理速度更快，
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力晶半導(dǎo)體稱(chēng)第四財(cái)季實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體近日表示，經(jīng)過(guò)連續(xù)十個(gè)季度的虧損后，受需求反彈和芯片價(jià)格穩(wěn)步上漲的推動(dòng)，第四財(cái)政季度公司實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)。 力晶半導(dǎo)體在其網(wǎng)站上發(fā)布公告稱(chēng)，已有大量現(xiàn)金流入公司，這將顯著改善公司的財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)。該公司并未提供截至去年12月31日財(cái)季的凈利潤(rùn)數(shù)據(jù)。 力晶半導(dǎo)體稱(chēng)，公司將通過(guò)增加DDR3芯片發(fā)貨量鞏固凈利潤(rùn)成果。公司預(yù)計(jì)，到3月份DDR3芯片發(fā)貨量占其總發(fā)貨量的比重將達(dá)到75%。 分析師們表示，DDR3芯片將成為今年個(gè)人電腦應(yīng)用的主流內(nèi)存芯片。與DDR2芯片相比，DD
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美光爭(zhēng)取華亞科主導(dǎo)權(quán) 臺(tái)塑拒絕成瑞晶翻版
- 華亞科辦理6.4億股的現(xiàn)金增資，南亞科和美光(Micron)等大股東按原持股比例認(rèn)購(gòu)現(xiàn)增額度，但近期傳出美光向臺(tái)塑集團(tuán)攤牌，希望能增加認(rèn)購(gòu)比例，爭(zhēng)取華亞科更多股權(quán)，惟臺(tái)塑集團(tuán)回決此提議，認(rèn)為目前「等權(quán)共治」策略較佳。內(nèi)存業(yè)者表示，在瑞晶股權(quán)落入爾必達(dá)(Elpida)手中后，華亞科主導(dǎo)權(quán)亦成為臺(tái)、美雙方角力戰(zhàn)場(chǎng)，背后意義在于DRAM產(chǎn)能分配和潛在市占率。不過(guò)，針對(duì)美光要求提高華亞科持股一事，華亞科與南亞科均不予置評(píng)。 2009年臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)整合計(jì)劃白忙1年，而茂德與海力士(Hynix)分手，亦使
- 關(guān)鍵字： 華亞科 DRAM DDR3
2010年內(nèi)存市場(chǎng)預(yù)測(cè):價(jià)格走高 產(chǎn)能不足
- 隨著2010年寒假及春節(jié)的臨近，電子賣(mài)場(chǎng)即將迎來(lái)新一輪的銷(xiāo)售高潮。記者在走訪中關(guān)村電子賣(mài)場(chǎng)時(shí)了解到，步入2010年，多數(shù)型號(hào)內(nèi)存價(jià)格已有小幅上漲，或已計(jì)劃漲價(jià)。銷(xiāo)售人員向記者介紹道，從2009年中旬至今，內(nèi)存價(jià)格一路上揚(yáng)，其主要原因在于金融危機(jī)對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的影響逐漸消逝，而各廠家的出貨量沒(méi)有迅速提高，導(dǎo)致部分廠家、型號(hào)的內(nèi)存出現(xiàn)短時(shí)間缺貨。 據(jù)商家預(yù)計(jì)，2010年內(nèi)存價(jià)格仍會(huì)緩慢上漲，寒假銷(xiāo)售情況被普遍看好。 據(jù)國(guó)外專(zhuān)業(yè)分析機(jī)構(gòu)DRAMeXchange報(bào)道，受2010年P(guān)C銷(xiāo)量看漲以及OEM
- 關(guān)鍵字： 奇夢(mèng)達(dá) DRAM DDR3 內(nèi)存
華亞科現(xiàn)金增資案過(guò)關(guān)
- 2010年DRAM產(chǎn)業(yè)前景看好，臺(tái)系DRAM廠忙著搶錢(qián)擴(kuò)大產(chǎn)能，華亞科日前宣布辦理現(xiàn)金增資，預(yù)計(jì)再募資超過(guò)新臺(tái)幣百億元，日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預(yù)計(jì)2010年資本支出上看450億元，與同為臺(tái)塑集團(tuán)的南亞科合計(jì)資本支出高達(dá)640億元，2家DRAM廠雙雙展開(kāi)搶錢(qián)大作戰(zhàn)，一同轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程世代，且同時(shí)增加DDR3新產(chǎn)品的出貨比重，屆時(shí)生產(chǎn)成本可持續(xù)降低。 經(jīng)歷2008年金融風(fēng)暴洗禮，全球DRAM廠從破產(chǎn)邊緣逐漸爬起，也使得各廠都沒(méi)有多余的資金可以擴(kuò)產(chǎn)和進(jìn)行制程微縮，配合終端需求有Windo
- 關(guān)鍵字： 華亞科 DRAM DDR3
DRAMeXchange：明年下半年內(nèi)存市場(chǎng)將出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨現(xiàn)象
- 據(jù)DRAMeXchange預(yù)測(cè)，由于同期的PC銷(xiāo)量看好，加上OEM廠商為了保證庫(kù)存會(huì)開(kāi)始大量進(jìn)貨，因此明年下半年內(nèi)存市場(chǎng)可能會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的缺貨現(xiàn)象。另外，內(nèi)存價(jià)格的低迷走勢(shì)有望于明年第二季度開(kāi)始減緩，而各大內(nèi)存廠商則有望于明年年底實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。 DRAMeXchange還預(yù)測(cè)稱(chēng)，明年第一季度，DDR3內(nèi)存將力壓DDR2成為內(nèi)存市場(chǎng)的主流產(chǎn)品，到明年年底，DDR3內(nèi)存的銷(xiāo)量將可占據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)整體份額的80%。相比另外一家市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)iSuppli上個(gè)月的預(yù)測(cè)而言，DRAMeXchange對(duì)DDR3的信
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爾必達(dá)宣布40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片已投入量產(chǎn)
- 爾必達(dá)公司近日宣布其位于廣島的芯片廠已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，爾必達(dá)公司今年10月份剛剛完成40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片技術(shù)的開(kāi)發(fā)工作，而他們只用了兩個(gè)月的時(shí)間便將這項(xiàng)技術(shù)投入了量產(chǎn)。 ? 比較現(xiàn)有的50nm制程技術(shù)，40nm制程能在每片晶圓上多產(chǎn)出44%的DDR3內(nèi)存芯片，而且新制程用于生產(chǎn)1.6Gbps規(guī)格的DDR3內(nèi)存芯片時(shí)的良率可達(dá)100%。芯片工作電壓方面，40nm制程的DDR3芯片也比50nm制程的產(chǎn)品的1.5V降低了2/3左右，達(dá)到1
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) 40nm 2Gb DDR3
爾必達(dá)開(kāi)發(fā)出新款65nm XS制程1Gb DDR3內(nèi)存芯片
- 爾必達(dá)公司近日宣布完成了基于其新65nm XS(extra-shink)制程1Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工作，并稱(chēng)使用這種新制程技術(shù)制作出的內(nèi)存芯片在制作成本方面要比現(xiàn)有的50nm制程內(nèi)存芯片更低。當(dāng)應(yīng)用在300mm尺寸晶 圓上時(shí)，這種65nm XS制程相比其前代65nm S(shrink)制程(08年開(kāi)發(fā)完成)的產(chǎn)出量能提升25%。新的65nm XS制程除了可以進(jìn)一步縮小芯片的尺寸之外，還可以顯著減小廠方在制造設(shè)備上的費(fèi)用投資。 這種65nm XS制程技術(shù)的1Gb DDR3內(nèi)存芯片面向的
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) 65nm DDR3
DDR2仍未過(guò)時(shí)，但DDR3 將是2010 年的搖錢(qián)大樹(shù)
- 2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無(wú)幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問(wèn)世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2 還不算過(guò)時(shí)，而且未來(lái)一段時(shí)間之內(nèi)也不會(huì)過(guò)時(shí)，它的價(jià)格在過(guò)去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢(qián)大樹(shù)。 主要有兩個(gè)原因在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 新款英特爾處理器 促進(jìn)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡的一個(gè)事實(shí)是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR2 DDR3
DDR2仍未過(guò)時(shí)，但DDR3 將是2010 年的搖錢(qián)大樹(shù)
- 2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無(wú)幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問(wèn)世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2 還不算過(guò)時(shí)，而且未來(lái)一段時(shí)間之內(nèi)也不會(huì)過(guò)時(shí)，它的價(jià)格在過(guò)去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢(qián)大樹(shù)。 主要有兩個(gè)原因在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 新款英特爾處理器 促進(jìn)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡的一個(gè)事實(shí)是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
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ddr3介紹
目錄概述
設(shè)計(jì)
發(fā)展
DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進(jìn)
概述
針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢(shì)如下：
(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶(hù)和廠家接受。
(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度 [ 查看詳細(xì) ]
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