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          集邦科技: 全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收2010第一季營收續(xù)成長6.9%

          •   根據(jù)集邦科技公布價格,DDR3合約季均價與現(xiàn)貨季均價繼2009年第四季分別大漲40%與30%后,在2010年第一季分別續(xù)漲16%與 14%;DDR2合約季均價與現(xiàn)貨季均價2009年第四季分別大漲61%與68%后,在2010年第一季淡季不淡,合約季均價續(xù)漲5%,現(xiàn)貨季均價持平,持續(xù)維持在高檔價格。   由于計算機(jī)系統(tǒng)廠商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現(xiàn)貨市場需求仍大部份在DDR2,而DRAM廠快速轉(zhuǎn)進(jìn)至DDR3,使買方亦努力拉
          • 關(guān)鍵字: Samsung  DRAM  DDR3  

          27日:AMD推7款嵌入式處理器支持DDR3

          •   newsfactor.com:谷歌Android市場目前已有3.8萬個應(yīng)用程序   Android市場向企業(yè)開放僅僅幾個月之后,這個移動應(yīng)用程序市場就提供了3.8萬多個移動應(yīng)用程序。推出其開源軟件Android操作系統(tǒng)市場的谷歌正在與蘋果應(yīng)用程序商店爭奪人們的注意力。   有報道稱,谷歌Android市場已經(jīng)有5萬個應(yīng)用程序。但是,谷歌發(fā)言人Anthony House說,截止到4月15日,谷歌有3.8萬多個應(yīng)用程序。他不愿意對5萬個應(yīng)用程序的報道發(fā)表評論。   無論是3.8萬還是5萬個應(yīng)用程序,
          • 關(guān)鍵字: AMD  嵌入式處理器  DDR3  

          AMD 集顯SOC芯片將采用基于體硅制程的40nm制程技術(shù)制作

          •   AMD公司據(jù)稱已經(jīng)收到了首批Fusion集顯處理器產(chǎn)品Ontario的試產(chǎn)樣件。Ontario是Fusion集顯處理器系列產(chǎn)品中專門面向上網(wǎng)本, 平板電腦以及其它低功耗設(shè)備的處理器。這款處理器將采用內(nèi)部集成Bobcat架構(gòu)雙核x86處理器核心的設(shè)計,同時還將集成DX11級別集顯核心和 DDR3內(nèi)存控制器。不過從本質(zhì)上講,Ontario其實算是一款單芯片式的SOC產(chǎn)品。據(jù)Xbit labs網(wǎng)站的報道,Ontario芯片將會使用基于體硅的40nm制程工藝制作。   這款芯片的可能代工方將有Globalf
          • 關(guān)鍵字: AMD  處理器  DDR3  

          全球最大容量 爾必達(dá)4Gb DDR3顆粒開發(fā)完成

          •   日本DRAM大廠爾必達(dá)今天宣布,已經(jīng)成功開發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場上DDR3顆粒的最大容量,只需單面8顆即可組成 4GB容量內(nèi)存條,雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造,相比同工藝的2Gb顆??晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬,其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝,x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓外,還可支持1.35V低壓標(biāo)準(zhǔn)。   爾必達(dá)計劃將該顆粒使用在單條32
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  40nm  CMOS  DDR3  

          壞消息:DDR2/DDR3芯片價格仍保持漲勢

          •   1Gb DDR2/DDR3內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價格最近雙雙上漲到了接近3美元的價位,顯示目前內(nèi)存芯片市場仍處于供不應(yīng)求的緊張局面。據(jù)消息來源表示,造成這種局面 的原因主要是內(nèi)存芯片廠商目前都在實施轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3芯片的動作;另外一方面,由于PC廠商事先預(yù)計到了這種狀況,因此這些廠商事先都采取了較大量訂貨的策 略,而這則進(jìn)一步加劇了這種危機(jī)。   據(jù)DRAMeXchange統(tǒng)計,3月18日,打標(biāo)和eTT(即經(jīng)過芯片廠商完全測試,但沒有打上原廠激光標(biāo)記的芯片)1Gb DDR2芯片的價格分別上升了3.97%和4.3
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存芯片  DDR3  

          三星、力晶猛喊節(jié)制擴(kuò)產(chǎn) DRAM廠:高手過招戲碼

          •   三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來臺參加全球半導(dǎo)體聯(lián)盟(GSA)論壇,吸引DRAM業(yè)者紛前來聆聽龍頭廠對景氣風(fēng)向球。權(quán)五鉉表示,2010年下半DRAM價格可以維持穩(wěn)定,未來DRAM業(yè)者不應(yīng)一昧地追求價格和成本,而是要節(jié)制瘋狂擴(kuò)充產(chǎn)能;力晶董事長黃崇仁在現(xiàn)場亦舉手建言,呼吁大家不要再亂投資擴(kuò)產(chǎn),要追求合理價格更勝于超額利潤;此番臺、韓存儲器廠高層過招,成為整個論壇最大高潮。   權(quán)五鉉16日在GSA論壇發(fā)表有關(guān)半導(dǎo)體市場及
          • 關(guān)鍵字: Samsung  DRAM  DDR3  

          DDR3測試產(chǎn)能不足 DRAM封測廠加緊進(jìn)設(shè)備

          •   隨著各家DRAM廠加快腳步轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3,對后段廠而言,封裝產(chǎn)能利用率處于高檔,然測試、預(yù)燒等相關(guān)產(chǎn)能則呈不足現(xiàn)象,各家封測廠上演搶機(jī)臺戲碼,希望能夠盡量提前讓機(jī)臺進(jìn)駐廠區(qū),隨著工作天數(shù)恢復(fù)正常,存儲器封測廠3月接單熱絡(luò),預(yù)期單月營收應(yīng)可處于歷史高檔水平。   受惠于2010年存儲器市場復(fù)蘇,以及DDR2轉(zhuǎn)換至DDR3速度加快,力成訂單能見度延展至6~7月,華東也看到4月訂單。整體產(chǎn)能利用率依舊維持滿載,客戶端需求非常強勁,產(chǎn)出速度還跟不上訂單的腳步。尤其在測試部分,卡在測試機(jī)臺供應(yīng)不及,測試產(chǎn)能不足
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  DDR3  

          三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

          •   三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。   這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓,可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)存條,性能1.6Gbps,功耗相比于上一代產(chǎn)品降低35%,能為數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器系統(tǒng)或者高端筆記本節(jié)省大量能源。   三星指出,目前服務(wù)器系統(tǒng)平均每路處理器搭配六條RDIMM內(nèi)存條,總?cè)萘孔畲?6GB,如果是60nm 1Gb DDR2芯片,內(nèi)存子系統(tǒng)功耗可達(dá)210W,換
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  40nm  DDR3  

          鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片

          •   鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品,雙方并宣稱下一代30nm制程級別的同類產(chǎn)品已經(jīng)在鎂光設(shè)在Boise的研發(fā)中心開始研制。       兩家廠商預(yù)計將于今年第二季度開始42nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片的試樣生產(chǎn),并將于今年下半年開始量產(chǎn)這種產(chǎn)品。   兩家廠商宣稱其42nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的工作電壓僅1.35V左右,比前代產(chǎn)品的1.5V工作電壓低了不少,可節(jié)省30%電能。   這款42nm 2Gb
          • 關(guān)鍵字: 鎂光  內(nèi)存芯片  DDR3  

          DDR2芯片價格有望在下半年超過DDR3

          •   報道,威剛主席Simon Chen今天表示,隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產(chǎn)上,DDR2芯片的出貨量將開始減少,其價格有望在今年下半年超過DDR3。   Simon Chen認(rèn)為,DDR2在低端PC市場還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價格低于2美元,那么它需求將會出現(xiàn)大幅度增長。   Simon Chen還表示,上游芯片供應(yīng)商紛紛通過工藝升級的方式來加大DDR3芯片的產(chǎn)量,不過這種升級或許會因為其它設(shè)備的供應(yīng)短缺而延緩。   根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測,1Gb DDR2
          • 關(guān)鍵字: DRAM  DDR3  DDR2  

          三星發(fā)布全球首顆30nm級工藝DDR3內(nèi)存芯片

          •   三星電子宣布,全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過客戶認(rèn)證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class),而不是真正的30nm,也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。   三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb,支持1.5V標(biāo) 準(zhǔn)電壓和1.35V低電壓,相比50nm工藝級可節(jié)省最多30%的功耗,因此又稱為綠色內(nèi)存(Gree
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  30nm  DDR3   

          DRAM迎來希望之光 年底將“春光燦爛”

          •   在DRAM市場的歷史上,2009年初可能是最黑暗的時期之一,當(dāng)時廠商能活下來就不錯了。   但是,繼春季溫和復(fù)蘇之后,DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束,夏天迎來了光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲,營業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列,營業(yè)利潤率為19%,營業(yè)收入達(dá)22億美元,市場份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。   DDR3來臨   第三季度,下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望,而且顯然這種技術(shù)代表未來的一股潮流。iSuppli公司預(yù)測,DDR3出貨量將在2010年第一季度超
          • 關(guān)鍵字: DRAM  DDR3  DDR2  

          DRAM跌價襲擊 模塊廠1月營收處變不驚

          •   2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補貨行情落空,DRAM價格大跌,所幸NAND Flash價格比預(yù)期強勢,存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn),與2009年12月相較,呈現(xiàn)小漲或小跌的局面,整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響,而呈現(xiàn)下滑,但整體行情不看淡;模塊廠認(rèn)為,DDR3目前仍是缺貨,往下修正的幅度有限,一方面DDR3利潤較高,另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來,但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。   存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單,創(chuàng)見、威剛都賺足1個股本,但2010年1月立
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  DDR3  

          IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器

          •   IDT 公司推出首款針對DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤和電腦主板市場的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、移動及嵌入式計算系統(tǒng)以最高效率運行,通過監(jiān)測各子系統(tǒng)的溫度來節(jié)省總電力,提高可靠性和性能。   全新的IDT溫度傳感器可測量計算子系統(tǒng)的局部溫度,一旦溫度上升超過預(yù)定水平,系統(tǒng)控制器就會通過控制系統(tǒng)帶寬、調(diào)整內(nèi)存刷新率或改變風(fēng)扇速度進(jìn)行響應(yīng)。此外,如果溫度達(dá)到臨界點,新的IDT溫度傳感器可以觸發(fā)一個子系統(tǒng)關(guān)閉,從而提高可靠性。IDT 的產(chǎn)品包括一個獨立溫度傳感器(TS3000B3),以及一
          • 關(guān)鍵字: IDT  傳感器  DDR3  

          DDR3來臨 2010年DRAM市場云開月明

          •   2009年DRAM 市場烏云籠罩,廠商艱難度過黑暗時期,終于守得云開見月明。春季溫和復(fù)蘇,夏季迎來光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲,營業(yè)收入也水漲船高。   三星走在前列,營業(yè)利潤率為19%,營業(yè)收入達(dá)22 億美元,市場份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。   DDR3 來臨   第三季度,下一代 DRAM 技術(shù)——DDR3 看到希望,而且顯然這種技術(shù)代表未來的一股潮流。iSuppli 公司預(yù)測,DDR3 出貨量將在2010 年第一季度超過DDR2。   三星在 DDR3
          • 關(guān)鍵字: DRAM  DDR3  
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          ddr3介紹

          目錄概述 設(shè)計 發(fā)展 DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進(jìn) 概述   針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上,和DDR2相比優(yōu)勢如下:   (1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn),在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量,使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。   (2)工作頻率更高:由于能耗降低,DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率,在一定程度 [ 查看詳細(xì) ]

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