ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
韓國芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價(jià)甩賣：SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著幾大財(cái)團(tuán)的營收，比如三星、SK海力士等等。據(jù)國外媒體報(bào)道，消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑，導(dǎo)致對(duì)芯片的需求下滑，尤其是存儲(chǔ)芯片，需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示，在11月份的前20天，韓國芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國重要的出口產(chǎn)品還有智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備，但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標(biāo)志性的一個(gè)現(xiàn)象是，全球智能手機(jī)老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬部，這也
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美光發(fā)布 HSE 3.0 開源存儲(chǔ)引擎
- IT之家 11 月 20 日消息，2020 年初，美光的軟件工程師宣布了一款專為 SSD 和持久內(nèi)存設(shè)計(jì)的開源存儲(chǔ)引擎 HSE，這是一款快速鍵值存儲(chǔ)數(shù)據(jù)庫。去年 HSE 2.0 首次亮相，不再依賴于對(duì) Linux 內(nèi)核的修改，改為完全基于用戶空間的解決方案。本周，美光發(fā)布了 HSE 3.0 開源存儲(chǔ)引擎，帶來了更多功能改進(jìn)。據(jù)介紹，HSE 3.0 改進(jìn)了數(shù)據(jù)管理，提高了各種重要工作負(fù)載的性能。此外，HSE 3.0 引擎圍繞具有單調(diào)遞增鍵（例如時(shí)間序列數(shù)據(jù)）的工作負(fù)載、多客戶端工作負(fù)載、將壓縮和未壓縮值存儲(chǔ)
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美光 DDR5 內(nèi)存現(xiàn)已配合第四代 AMD EPYC 處理器平臺(tái)出貨
- 2022 年 11 月 18 日——中國上?！獌?nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心并已通過AMD 全新EPYC? （霄龍） 9004 系列處理器驗(yàn)證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務(wù)器配備更多處理內(nèi)核的CPU，其單個(gè)CPU內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸，美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬，從而提升可靠性和可擴(kuò)展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，使
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美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲(chǔ)器
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月10日，美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器已針對(duì)新的AMD EPYC? 9004系列處理器進(jìn)行了驗(yàn)證。隨著現(xiàn)代服務(wù)器將更多處理內(nèi)核裝入CPU，每個(gè)CPU內(nèi)核的存儲(chǔ)器帶寬一直在下降。與前幾代相比，美光DDR5提供了更高的帶寬，從而緩解了這一瓶頸，提高了可靠性和可擴(kuò)展性。據(jù)介紹，美光將配備其DDR5的單個(gè)第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)的STREAM基準(zhǔn)性能與3200MT/秒的第3代AMD EPYC處理器系統(tǒng)和美光DDR4進(jìn)行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)
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報(bào)告稱三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額創(chuàng) 8 年來新低
- IT之家 11 月 9 日消息，根據(jù)最新的報(bào)告，三星電子在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額已跌至八年來的最低點(diǎn)。據(jù) Eugene Investment & Securities 11 月 8 日發(fā)布的報(bào)告，第三季度全球 DRAM 市場(chǎng)銷售額為 179.73 億美元（當(dāng)前約 1301.25 億元人民幣），較第二季度的 254.27 億美元下降 29.3%。三星電子的 DRAM 銷售額從第二季度的 111.21 億美元下降到第三季度的 73.71 億美元（當(dāng)前約 533.66 億元人民幣
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芯片巨頭美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺(tái)合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備?！ ?β工藝可將能效提高約15％，存儲(chǔ)密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)。 一個(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！ ∵@意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
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SMART Modular 世邁科技推出DuraMemory DDR5 VLP ECC UDIMM 內(nèi)存模塊
- 隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊，為刀鋒服務(wù)器專用VLP模組產(chǎn)品添增生力軍。 專為網(wǎng)通及高算力應(yīng)用所需1U刀鋒服務(wù)器而生隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊，為
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機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)今年服務(wù)器 DRAM 需求將達(dá)到 684.86 億 GB，首次超過移動(dòng)設(shè)備
- 11 月 2 日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，受電子消費(fèi)品續(xù)期下滑影響，當(dāng)前全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)并不樂觀，DRAM 與 NAND 閃存的需求和價(jià)格都有下滑，三星電子、SK 海力士等存儲(chǔ)芯片制造商的業(yè)績(jī)，也受到了影響。雖然存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)整體的狀況并不樂觀，但部分領(lǐng)域的需求，卻在不斷增長(zhǎng)。研究機(jī)構(gòu)在最新的報(bào)告中就表示，服務(wù)器 DRAM 的需求在不斷增長(zhǎng)，在今年有望首次超過智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備對(duì) DRAM 的需求。研究機(jī)構(gòu)在報(bào)告中預(yù)計(jì)，今年全球服務(wù)器對(duì) DRAM 的需求，會(huì)達(dá)到 684.86 億 GB，智能手機(jī)、平板
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功率效率提高15%，美光1β DRAM樣本出貨
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機(jī)制造商和芯片組運(yùn)送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴，并已通過世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)準(zhǔn)備。據(jù)官方介紹，美光于2021年實(shí)現(xiàn)1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區(qū)儲(chǔ)存的位元數(shù)也增加35%。美光表示，隨著LPDDR5X的出樣，移動(dòng)產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時(shí)，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門副總裁Thy Tran表示，新版
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美光出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM
- 2022年11月2日——中國上海——內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺(tái)合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場(chǎng)帶來巨大收益。除了移動(dòng)應(yīng)用，基于1β節(jié)點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存：采用先進(jìn) 1β 工藝，15% 能效提升
- IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存，采用先進(jìn) 1β 工藝，正在向智能手機(jī)制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實(shí)現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場(chǎng)領(lǐng)先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個(gè) die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動(dòng)產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時(shí)，消
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SK海力士：未研究過“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”相關(guān)具體計(jì)劃
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對(duì)此，SK海力士于10月26日就中國工廠運(yùn)營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績(jī)發(fā)表會(huì)上，針對(duì)由于地緣政治問題及多種因素導(dǎo)致中國工廠運(yùn)營受困的各種假想情境，作出了可能會(huì)考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中，“中國工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對(duì)可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場(chǎng)回復(fù)，SK海力士澄清并未研究過與此相關(guān)的具體計(jì)劃。另外，針對(duì)美國對(duì)芯片設(shè)備出口的管制，SK海力士表示，
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DDR5內(nèi)存與上一代價(jià)差縮小，后市滲透率或借機(jī)提升
- 據(jù)媒體報(bào)道，因筆電市場(chǎng)低迷，沖擊DDR5內(nèi)存價(jià)格跌幅進(jìn)一步擴(kuò)大，可望推動(dòng)各廠商在2023年啟動(dòng)產(chǎn)品世代轉(zhuǎn)換，DDR5將隨之放量。從具體跌價(jià)幅度來看，TrendForce集邦咨詢預(yù)估，2022年第四季度DRAM跌幅約在13%~18%左右，而DDR5價(jià)格跌幅大于DDR4。市場(chǎng)消息上，英睿達(dá)、美光16GB DDR5 4800筆記本內(nèi)存條當(dāng)前秒殺價(jià)為499元，而今年6月份售價(jià)則一直穩(wěn)定在699元左右，跌幅超28%。DDR5為何跌跌不休？據(jù)了解，PC市場(chǎng)是DDR5的關(guān)鍵終端市場(chǎng)之一。然而近期PC市場(chǎng)情況并不樂觀，終
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8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運(yùn)行速度創(chuàng)新高
- 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon?）移動(dòng)平臺(tái)上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲(chǔ)器之間的高速信號(hào)環(huán)境，三星超過了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運(yùn)行速度，夯實(shí)了在內(nèi)存市場(chǎng)的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達(dá)8.5Gbps的運(yùn)行速度作為十多年來全球移動(dòng)內(nèi)存（DRAM）市場(chǎng)的推動(dòng)者，三星一直在努力推進(jìn)高端智能手機(jī)普及，使更多消費(fèi)者能夠在移動(dòng)設(shè)備上體驗(yàn)更為強(qiáng)大的計(jì)算性能。憑借低功
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