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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格大跳水:三星將減產(chǎn) DDR4,轉(zhuǎn)移到 DDR5 / LPDDR5 解決供過(guò)于求問(wèn)題
- IT之家 4 月 10 日消息,在芯片低迷導(dǎo)致存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格大跳水的背景下,三星電子第一季度業(yè)績(jī)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)暴跌 95.8%,終于頂不住壓力宣布減產(chǎn)。這是自 1998 年金融危機(jī)以來(lái),三星時(shí)隔 25 年首次制定正式減產(chǎn)方案。據(jù)韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》援引業(yè)內(nèi)人士消息,三星的減產(chǎn)計(jì)劃聚焦以 DDR4 為代表的通用產(chǎn)品,位于華城市的內(nèi)存產(chǎn)品線產(chǎn)量將削減 3 至 6 個(gè)月。消息人士表示,雖然產(chǎn)能有所增加(通過(guò)技術(shù)性減產(chǎn)),但與去年 2 月和 3 月的同期相比,晶圓總投入已經(jīng)減少了 5-7%。三星電子在其華城和平澤園
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)芯片 DDR4 DDR5 三星
第二季DRAM均價(jià)跌幅收斂至10~15%,仍不見(jiàn)止跌訊號(hào)
- TrendForce集邦咨詢表示,由于部分供應(yīng)商如美光(Micron)、SK海力士(SK hynix)已經(jīng)啟動(dòng)DRAM減產(chǎn),相較第一季DRAM均價(jià)跌幅近20%,預(yù)估第二季跌幅會(huì)收斂至10~15%。不過(guò),由于2023下半年需求復(fù)蘇狀況仍不明確,DRAM均價(jià)下行周期尚不見(jiàn)終止,在目前原廠庫(kù)存水位仍高的情況下,除非有更大規(guī)模的減產(chǎn)發(fā)生,后續(xù)合約價(jià)才有可能反轉(zhuǎn)。PC DRAM方面,由于買(mǎi)方已連續(xù)三季大減采購(gòu)量,目前買(mǎi)方的PC DRAM庫(kù)存約9~13周,而PC DRAM原廠已進(jìn)行減產(chǎn),TrendForce集
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DRAM市況何時(shí)回溫?存儲(chǔ)廠商這樣說(shuō)
- 當(dāng)前,由于消費(fèi)電子市場(chǎng)需求持續(xù)疲弱,當(dāng)前存儲(chǔ)器賣方面臨庫(kù)存高企壓力,以DRAM和NAND Flash為主的存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下探。為避免存儲(chǔ)器產(chǎn)品再出現(xiàn)大幅跌價(jià),多家供應(yīng)商已經(jīng)開(kāi)始積極減產(chǎn),盡管2023年第一季價(jià)格跌幅將有所收斂,但集邦咨詢?nèi)灶A(yù)估當(dāng)季DRAM價(jià)格跌幅將達(dá)13~18%,NAND Flash均價(jià)跌幅為10~15%。對(duì)于第二季DRAM產(chǎn)業(yè)市況發(fā)展,近日,南亞科和華邦電給出了各自的看法。李培英:下半年市況將有所好轉(zhuǎn)南亞科總經(jīng)理李培英認(rèn)為,受高通貨膨脹與供應(yīng)鏈不順影響,今年上半年將是DRAM市況最差
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存儲(chǔ)器廠商Q1虧損恐難逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續(xù)跌,加上庫(kù)存水位過(guò)高,終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩,據(jù)外電消息,韓國(guó)三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫(kù)存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出,南亞科(2408)及華邦電(2344)因減產(chǎn)及跌價(jià)導(dǎo)致?tīng)I(yíng)收及毛利率持續(xù)下滑,第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報(bào)導(dǎo),三星電子3月19日提交給韓國(guó)金融監(jiān)督院的申報(bào)文件中指出,截至去年第四季,整體庫(kù)存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元(約折合399億美元),遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中,占三星營(yíng)收比重最高的半導(dǎo)
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平面→立體,3D DRAM重定存儲(chǔ)器游戲規(guī)則?
- 近日,外媒《BusinessKorea》報(bào)道稱,三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法,據(jù)稱這將改變存儲(chǔ)器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么?它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)?壹摩爾定律放緩,DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天,跨國(guó)公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM),而在不久的將來(lái),這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國(guó)。DRA
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三大存儲(chǔ)模組廠商談產(chǎn)業(yè)前景
- 存儲(chǔ)模組大廠威剛認(rèn)為,以供給面而言,DRAM供給相對(duì)單純且市場(chǎng)庫(kù)存水位較低,看好DRAM價(jià)格回溫時(shí)間可望早于NAND Flash。目前消費(fèi)性需求尚未全面復(fù)蘇,第一季DRAM與NAND Flash合約價(jià)仍有小幅下跌壓力,但存儲(chǔ)器中下游業(yè)者庫(kù)存調(diào)整已歷經(jīng)近一年時(shí)間,并也降至相對(duì)健康水位,因此只要存儲(chǔ)器價(jià)格明確落底,市場(chǎng)備貨需求將可望快速啟動(dòng),加速產(chǎn)業(yè)供需平衡。威剛預(yù)估,第一季營(yíng)收走勢(shì)可望逐月走升,第二季優(yōu)于第一季,下半年可望明顯回升,宇瞻則認(rèn)為,DRAM上半年仍會(huì)處于供過(guò)于求,但在原廠減產(chǎn)、減少資本支
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)模組 威剛 宇瞻 DRAM
外媒:存儲(chǔ)大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道,三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長(zhǎng)兼工藝開(kāi)發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國(guó)首爾江南區(qū)三成洞韓國(guó)貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(zhǎng)動(dòng)力??紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況,業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然,而不是一種方向。與現(xiàn)有
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) 3D DRAM
支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新
- 本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝(用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能)的性能,就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料,包括更薄的勢(shì)壘層和熱預(yù)算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(zhǎng)。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái),包括一個(gè)或多
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TrendForce:2023 年 Server DRAM 位元產(chǎn)出比重將達(dá) 37.6%,超越 Mobile DRAM
- IT之家 2 月 20 日消息,TrendForce 集邦咨詢今日發(fā)布報(bào)告稱,2023 年的 Server DRAM 位元產(chǎn)出比重約 37.6%,將正式超越 Mobile DRAM 的 36.8%?!?圖源:TrendForce 集邦咨詢報(bào)告指出,自 2022 年起 DRAM 原廠持續(xù)將原先配置給 Mobile DRAM 的產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至前景相對(duì)強(qiáng)勁穩(wěn)健的 Server DRAM,試圖減輕 Mobile DRAM 端供需失衡的壓力。2023 年由于智能手機(jī)出貨增長(zhǎng)率與平均搭載容量成長(zhǎng)率仍保守,原廠的
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威剛:內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季度起恢復(fù)增長(zhǎng)動(dòng)能
- IT之家 2 月 10 日消息,據(jù)威剛官方消息,威剛 1 月合并營(yíng)收僅月減 7.57% 為 21.77 億元新臺(tái)幣。威剛表示,公司短期內(nèi)仍將維持彈性且謹(jǐn)慎的庫(kù)存策略,并隨時(shí)掌握產(chǎn)業(yè)變化,預(yù)期內(nèi)存產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈庫(kù)存有望在今年上半年逐步去化完成,隨著下半年消費(fèi)性需求回籠,以及各項(xiàng)產(chǎn)品單機(jī)內(nèi)存搭載容量快速成長(zhǎng),內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季起恢復(fù)成長(zhǎng)動(dòng)能。威剛董事長(zhǎng)陳立白進(jìn)一步指出,目前公司對(duì)內(nèi)存景氣展望不變,預(yù)期本季內(nèi)存價(jià)格仍處短期修正波段,但受惠于上游供應(yīng)商獲利不再且投片態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守,DRAM 與 NAND
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存儲(chǔ)設(shè)備庫(kù)存擠壓嚴(yán)重,各類儲(chǔ)存卡、SSD 價(jià)格暴跌:最低 3.59 元起
- 2023 年 2 月 7 日消息,據(jù) DT 報(bào)道稱主要存儲(chǔ)廠商包括美光、SK海力士、三星等存儲(chǔ)大廠們的芯片庫(kù)存仍在不斷膨脹擠壓中,庫(kù)存壓力巨大。不斷增長(zhǎng)的庫(kù)存壓力也讓供銷商對(duì)終端出貨的預(yù)期保持謹(jǐn)慎,甚至預(yù)測(cè)到 2023 年第四季度才能回暖。價(jià)格方面,目前 DRAM 內(nèi)存芯片價(jià)格預(yù)計(jì)一季度下跌 20%,二季度下跌 11%;而 NAND 閃存價(jià)格預(yù)計(jì)一季度下跌 10%,二季度下跌 3%,各位有需求入手儲(chǔ)存卡、固態(tài)硬盤(pán) SSD 的用戶,近期好價(jià)可以選擇入手!
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TrendForce:預(yù)計(jì)一季度服務(wù)器 DRAM 價(jià)格跌幅約 20%-25%
- IT之家 2 月 1 日消息,TrendForce 集邦咨詢最新報(bào)告指出,全球經(jīng)濟(jì)持續(xù)疲軟,促使北美四大云服務(wù)供應(yīng)商下修 2023 年服務(wù)器采購(gòu)量,且數(shù)字可能持續(xù)下修,下修幅度由多到少依次為 Meta、Microsoft(微軟)、Google(谷歌)、AWS(亞馬遜云科技)。IT之家了解到,TrendForce 集邦咨詢預(yù)計(jì),四家廠商服務(wù)器采購(gòu)量由原先預(yù)估的同比增長(zhǎng) 6.9%,降至 4.4%,此將影響 2023 年全球服務(wù)器整機(jī)出貨年增率下降到 1.87%,進(jìn)一步加劇 Server DRAM 供
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美光科技宣布DDR5服務(wù)器內(nèi)存已獲驗(yàn)證
- 近日,美光科技宣布,其用于數(shù)據(jù)中心的DDR5服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器上得到全面驗(yàn)證。據(jù)介紹,美光DDR5提供的內(nèi)存帶寬是前幾代產(chǎn)品的兩倍,這對(duì)于推動(dòng)當(dāng)今數(shù)據(jù)中心處理器內(nèi)核的快速增長(zhǎng)至關(guān)重要。過(guò)渡到DDR5將提供更高的帶寬以釋放每個(gè)處理器的更多計(jì)算能力,從而有助于緩解未來(lái)幾年的潛在瓶頸。美光DDR5結(jié)合第四代Intel Xeon Scalable處理器使包括SPECjbb在內(nèi)的廣泛工作負(fù)載受益,與前幾代相比,它在 Critical-jOPS(每秒 Java 操作數(shù))基準(zhǔn)測(cè)試中的性能
- 關(guān)鍵字: 美光科技 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存
ddr5 dram介紹
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