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          TrendForce:九月DRAM合約均價續(xù)漲逾7%

          •   TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示,隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重,標準型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下,九月合約價維持強勁上漲走勢,均價已來到14.5美元,月漲幅達7.4%,在全球筆電需求出乎意料大增的情況下,預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成,創(chuàng)下兩年來的新高點。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,DRAM現(xiàn)貨顆粒價格漲幅更為劇烈,如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元,較上月同期已各上漲19%與15%,顯見市場供不應求
          • 關(guān)鍵字: TrendForce  DRAM  

          南亞科未來兩年投資500億元 提升價值凌駕市占率

          •   南亞科總經(jīng)理李培瑛29日出席臺灣半導體產(chǎn)業(yè)年會(TSIA)表示,南亞科計劃兩年投資500億元,這不是小數(shù)目的投資,其目的在于提升芯片價值,而非拉升全球市占率,未來新存儲器技術(shù)ReRAM、3D XPoint都值得注意,且臺灣的DRAM產(chǎn)能仍占全球產(chǎn)能的20%。   再者,南亞科召開重大訊息指出,為導入20納米制程技術(shù),從2016年2月至9月29日為止,向臺塑網(wǎng)科購置制程網(wǎng)路及伺服器等相關(guān)設(shè)備,總價款約3.43億元。整體來看,南亞科為配合20納米制程技術(shù)轉(zhuǎn)換制程,預計花430億~450億元進行相關(guān)設(shè)備擴
          • 關(guān)鍵字: 南亞科  DRAM  

          DRAM價格漲勢延續(xù) 存儲器廠模組廠運營同步走高

          •   DRAM現(xiàn)貨價漲不停,主流規(guī)格DDR4 4Gb芯片均價昨(27)日正式站穩(wěn)2美元、達2.1美元,攀上七個多月來高點,本季來大漲逾24%,第4季報價持續(xù)看漲一成,南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進補。   業(yè)界透露,在全球存儲器芯片龍頭三星拉抬報價帶動下,DRAM漲勢延續(xù),9月以來已連續(xù)三周上漲,漲勢明確,伴隨追價買盤進場,漲勢加大。   根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦科技昨日晚間最新報價,DDR4 4Gb芯片正式站穩(wěn)2美元、均價來到2.1美元,單日漲幅1.6%,合計本周以來二個交易日
          • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

          三星主導調(diào)漲報價策略 DRAM廠商有望重掌號令

          •   三星主導調(diào)漲DRAM報價策略奏效,全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦科技最新DRAM現(xiàn)貨報價連四天緩步上揚,主流DDR4 4Gb DRAM有機會向2美元叩關(guān),也是近2個月來漲勢最明確的半導體重要元件。DRAM廠商包括南亞科、華邦、威剛及宇瞻等,可望重掌多頭反攻號令。   存儲器渠道商表示,三星和SK海力士近期主導價格漲勢態(tài)度積極,除8月調(diào)漲DRAM報價,第4季合約價也再漲一成,連同第3季合約價調(diào)漲15%,等于下半年漲幅約25%。   2大韓系DRAM大廠的市占逾八成,主導DRAM漲價策略奏效
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情?

          •   明年下半年DRAM供給可能會供不應求,韓媒指出,存儲器廠商轉(zhuǎn)進20納米制程的產(chǎn)能損失,或許會讓DRAM陷入供給短缺,炒熱行情。   BusinessKorea 12日報道,半導體和投資銀行的業(yè)界消息指出,2017年DRAM需求預料將年增19.3%,不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組,從當前的105萬組、2017年降至103萬組,主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此,產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長率以往大約是30%,2017年成長率可能減至10%,加劇供給不足問題。   據(jù)了解,明年上半年是淡季,DRA
          • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

          制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情?

          •   明年下半年DRAM供給可能會供不應求,韓媒指出,存儲器廠商轉(zhuǎn)進20納米制程的產(chǎn)能損失,或許會讓DRAM陷入供給短缺,炒熱行情。   BusinessKorea 12日報道,半導體和投資銀行的業(yè)界消息指出,2017年DRAM需求預料將年增19.3%,不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組,從當前的105萬組、2017年降至103萬組,主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此,產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長率以往大約是30%,2017年成長率可能減至10%,加劇供給不足問題。   據(jù)了解,明年上半年是淡季,DRA
          • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

          SK海力士業(yè)務重整 DRAM、NAND等目標并進

          • 南韓半導體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務組織,將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測器(CIS)等三大事業(yè)群分開各自營運,事業(yè)群自行加強競爭力,而SK海力士
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  NAND   

          2012年全球存儲器模組廠營收排名

          • 全球市場研究機構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 根據(jù)記憶體營收部分發(fā)布 2012年記憶體模組廠排名調(diào)查,該年度全球模組市場總銷售金額為
          • 關(guān)鍵字: 記憶體儲存  金士頓  DRAM   

          IC Insights:NAND與DRAM朝3D發(fā)展

          • 隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進幾何制程與多層次存儲器的道路,IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應商的最新動態(tài),期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM   

          DRAM晶片價格居高不下 智能手機需求旺

          • 近來DRAM 價格晶片大宗訂單的價格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供應給日益成長的智慧手機市場,令人擔心個人電腦(PC)未來的供應。預料
          • 關(guān)鍵字: DRAM  晶片  智能手機   

          SRAM簡介及與DRAM/SDRAM的比較

          • RAMRAM是指通過指令可以隨機的、個別的對各個存儲單元進行訪問的存儲器,一般訪問時間基本固定,而與存儲單元地址無關(guān)。RAM的速度比較快,但其保
          • 關(guān)鍵字: SRAM  DRAM  SDRAM  比較  

          存儲器價格飆升 DRAM廠營運旺

          • DRAMeXchange表示,由于DRAM產(chǎn)業(yè)寡占市場格局確立,加上各大DRAM供應商按照原先規(guī)劃減少標準型存儲器部位影響下,主流模塊4GB均價在第2季上揚16%,由23.5
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  三星  

          四種閃存設(shè)計優(yōu)劣點分析

          • 由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢,在過去一年里,閃存的普及率開始飆升。不過,我們總是很難判斷不同閃存產(chǎn)品之間的區(qū)別。在本文中,我
          • 關(guān)鍵字: NFS  PCIe  NAS  DRAM  閃存  

          DRAM現(xiàn)貨價短期看漲

          • 根據(jù)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查,DRAM產(chǎn)業(yè)的減產(chǎn)效應已正在逐步發(fā)酵當中,在跌無可跌的前提之下,短時間內(nèi)現(xiàn)貨價格有機會帶動一波價格的上
          • 關(guān)鍵字: DRAM  現(xiàn)貨價  短期看漲   

          提高存儲器子系統(tǒng)效率的三種方法

          • 行業(yè)專家認為,對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務器,高功率密度的
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  子系統(tǒng)效率  DRAM  
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          ddr5 dram介紹

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