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	ddr5 dram
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          TrendForce：價格漲勢不停，第三季DRAM總營收大幅季成長15.8%
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，受惠于全球智能手機出貨成長，及內(nèi)存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型內(nèi)存的產(chǎn)出，轉(zhuǎn)為行動式內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存。在供應(yīng)逐漸吃緊下，第三季開始標準型內(nèi)存價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別內(nèi)存的價格上揚。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7后來于第四
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          • 關(guān)鍵字：
                        TrendForce  DRAM                          
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          價格漲勢不停，第三季DRAM總營收大幅季成長15.8%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，受惠于全球智能手機出貨成長，及內(nèi)存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型內(nèi)存的產(chǎn)出，轉(zhuǎn)為行動式內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存。在供應(yīng)逐漸吃緊下，第三季開始標準型內(nèi)存價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別內(nèi)存的價格上揚。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7后來于第四
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  南亞科                          
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          日本半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程解讀
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 目前世界半導體產(chǎn)業(yè)進入到寡頭時代，競爭格局相對穩(wěn)定。盡管日本企業(yè)在半導體設(shè)備行業(yè)份額日益減少，但在半導體的一些其他細分行業(yè)以及半導體材料領(lǐng)域， 日本企業(yè)仍保持著優(yōu)勢地位。
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          • 關(guān)鍵字：
                        半導體  DRAM                           
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          DRAM戰(zhàn)國時代 長江存儲、聯(lián)電、合肥長芯三大勢力將對決
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權(quán)大戰(zhàn)，長江存儲傳已評估到南京設(shè)立12寸廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠同步研發(fā)25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作的合肥長芯，由前中芯國際執(zhí)行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰(zhàn)2018年，搶當大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。
　　盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現(xiàn)，長江存儲將與已并購飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術(shù)，由
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  長江存儲                          
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          SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)韓國經(jīng)濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕擞喸?017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。
　　SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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          • 關(guān)鍵字：
                        SK海力士  DRAM                          
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          SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)韓國經(jīng)濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕擞喸?017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。
　　SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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          • 關(guān)鍵字：
                        SK海力士  DRAM                          
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          賽普拉斯率先推出采用低引腳數(shù)MCP封裝的串行存儲器解決方案，實現(xiàn)汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的瞬時啟動
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　賽普拉斯半導體公司今日宣布其一款用于支持瞬時啟動應(yīng)用的全新小尺寸存儲器解決方案已驗證成功。賽普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封裝(MCP)解決方案在8mm x 6mm的空間內(nèi)集成了賽普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存儲器。該方案在一個低引腳數(shù)封裝內(nèi)結(jié)合了用于實現(xiàn)快速啟動和隨開隨用高速NOR閃存，和用于擴展便箋式存儲器的自刷新DRAM ，特別適合空間受限和成本優(yōu)化的嵌入式 設(shè)計。 該解決方案可用于廣泛的應(yīng)用類別，包括
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          • 關(guān)鍵字：
                        賽普拉斯  DRAM                           
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          三星2Q'17起或?qū)⑷娌?0納米制程生產(chǎn)移動DRAM
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星電子(Samsung Electronics)被預估自2017年第2季開始，將全面采用20納米或以下的制程技術(shù)生產(chǎn)所有移動DRAM產(chǎn)品，意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術(shù)生產(chǎn)移動DRAM芯片，由此顯示出三星在制程技術(shù)上的加速演進。
　　韓聯(lián)社等外媒報導，根據(jù)市場研究公司DRAMeXchange指出，據(jù)信在2016年第4季三星生產(chǎn)的移動DRAM芯片中，約94%已開始采用20納米或以下納米制程技術(shù)生產(chǎn)。
　　到目前三星移動DRAM芯片采20納米制程生產(chǎn)比重為82%、18納米為
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          TrendForce：十月DRAM價格月漲逾20%，4GB模組均價來到17.5美元
          
                                                            
            
                    	
          • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，DRAM原廠與一線的PC-OEM(代工)大廠敲定第四季度的合約價格，4GB模組均價來到17.5美元，較上月的14.5美元上漲逾20%;現(xiàn)貨市場也依然維持強勁的上升格局，DDR3/4 4Gb價格分別來到2.46/2.48美元，較上月同期比較已上漲17%與24%，顯見市場對于后市上漲仍將持續(xù)保持樂觀的態(tài)度。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，觀察市場面，由于原廠產(chǎn)能陸續(xù)轉(zhuǎn)進行動式內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存后，
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          • 關(guān)鍵字：
                        TrendForce  DRAM                          
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          韓國成立半導體希望基金鎖定存儲器研發(fā)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　南韓沖刺半導體業(yè)組成國家隊，由當?shù)厍皟纱髲S三星電子和SK海力士領(lǐng)軍，籌組總規(guī)模2,000億韓元的“半導體希望基金”，投資具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽w相關(guān)企業(yè)。
　　三星、SK海力士是全球前兩大存儲器芯片商，單是DRAM領(lǐng)域，兩大廠市占率總和超過七成，具有絕對制價與技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，兩大廠領(lǐng)軍籌組南韓“半導體希望基金”，預料以存儲器相關(guān)業(yè)務(wù)為優(yōu)先，臺灣南亞科、華邦電等存儲器芯片廠，以及正在興起的大陸存儲器產(chǎn)業(yè)，短線將面臨更大壓力。
　　業(yè)界人士分析，此次南韓的&ld
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          • 關(guān)鍵字：
                        半導體  DRAM                          
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          傳三星 DRAM 明年邁 15 納米
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星電子智能手機吃悶棍，力拼內(nèi)存事業(yè)救業(yè)績!據(jù)傳三星為了穩(wěn)固龍頭地位，將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM，對手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠遠落后，技術(shù)差距約為一年半。
　　BusinessKorea 31 日報導，半導體產(chǎn)業(yè)透露，三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn) 18 納米制程 DRAM，準備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM。同時，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重，目標明年下半提高至 30~40%。相關(guān)人士說，明年三星 10 納
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          手機DRAM有漏洞，黑客可竊取手機最高權(quán)限
          
                                                            
            
                    	
          • 　　阿姆斯特丹自由大學(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全實驗室VUSec Lab本周揭露了一個可能影響所有智能手機的安全漏洞，此一漏洞并非存在于移動平臺或程式上，而是藏匿在手機所使用的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中，將允許駭客取得手機的最高權(quán)限。雖然研究人員是以Android手機進行測試，但理論上該漏洞也會影響iPhone或基于其他平臺的手機。
　　研究人員利用的是已知的Rowhammer硬體漏洞，并打造Drammer軟體來執(zhí)行攻擊，發(fā)現(xiàn)包括LG、Motorola、
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                        DRAM  ARM                          
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          存儲器價格回溫　2016年IC市場可望成長1%
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　市場研究機構(gòu)IC Insights的最新報告將對2016年全球半導體市場營收的成長率預測，由原先的-2%提升為1%;此外該機構(gòu)預測，2016年全球IC出貨量成長率將在4~6%之間。IC Insights調(diào)升半導體市場成長率的很大一部分原因，來自于DRAM市場的強勁表現(xiàn)。
　　IC Insights指出，自2002年以來，全球IC市場在第三季平均季成長率為8%，但去年第三季市場成長率僅成長約1%左右;2016年第三季的IC市場成長率則出現(xiàn)了略為高于過去十五年平均值的9%。此外該機構(gòu)預期，2016年第四
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                        存儲器  DRAM                          
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          SMIC擴產(chǎn)利好，DRAM推高2016半導體增長預測
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　據(jù)ICInsight的最新預測，2016年全球半導體業(yè)的增長率將是1%，之前的預測為下降2%。它的最新預測為2016年增長1%，及2017年增長4%，而2016年IC unit(出貨量)由之前預測增加4%，上升至6%。
　　IC Insight修正預測的原因是DRAM的價格將止跌回升。如DDR3 4Gb的價格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度達62%。如今由于智能手機及PC對于DRAM的容量需求上升，導致市場缺貨，價格止跌回升。三星等又重新開始擴大投資，增加
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                        SMIC  DRAM                          
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          手機DRAM將增至8GB！三星供貨、料用于明年S8
          
                                                            
            
                    	
          • 　　行動裝置的記憶體不斷擴大!三星電子宣布，智慧機將進入8GB DRAM年代，該公司已經(jīng)開始生產(chǎn)，外界預料將用于明年初問世的Galaxy S8。
　　韓聯(lián)社報導，三星電子20日發(fā)布業(yè)界首見的8GB行動DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四個16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執(zhí)行副總Joo Sun Choi表示，8GB行動DRAM的到來，可讓次世代旗艦機的功能更上一層樓。
　　目前智慧機行動DRAM最大為6GB，記憶體加大可滿足雙鏡頭、4K螢幕、虛擬實境(VR)等的需求。三星并宣稱，新品效能與當前
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                        三星  DRAM                          
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