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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
3D DRAM 設(shè)計(jì)能否實(shí)現(xiàn)？
- 3D DRAM 的使用在未來或許是可能的。
- 關(guān)鍵字： DRAM
DRAM的變數(shù)
- 一路暴跌的半導(dǎo)體行業(yè)在 8 月終于傳來了好消息。TrendForce 集邦咨詢研究發(fā)布最新數(shù)據(jù)，第二季 DRAM 產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約 114.3 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 20.4%，終結(jié)連續(xù)三個(gè)季度的跌勢(shì)。存儲(chǔ)作為行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)，止跌是大家喜聞樂見的。這樣的好消息背后，不知道還有多少變數(shù)，又何時(shí)傳遞給整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)呢？經(jīng)歷低谷根據(jù) TrendForce 發(fā)布報(bào)告，2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營(yíng)收為 181.9 億美元，環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供應(yīng)商庫(kù)存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市
- 關(guān)鍵字： DRAM
美光 1-gamma 制程內(nèi)存預(yù)計(jì) 2025 年上半年在臺(tái)量產(chǎn)
- IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)臺(tái)灣 《中央通訊社》 報(bào)道，臺(tái)灣美光董事長(zhǎng)盧東暉表示，美光有多達(dá) 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在臺(tái)灣生產(chǎn)，其中臺(tái)日?qǐng)F(tuán)隊(duì)一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)。據(jù)悉，美光現(xiàn)在只有在臺(tái)中有 EUV 的制造工廠，1-gamma 制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，日本廠未來也會(huì)導(dǎo)入 EUV 設(shè)備。盧東暉強(qiáng)調(diào)，臺(tái)灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達(dá) 65% 的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
三星發(fā)布其容量最大的12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品
- 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級(jí)16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位，并開啟了大容量?jī)?nèi)存時(shí)代的新篇章。 三星12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級(jí)32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，我們可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
- 關(guān)鍵字： 三星 12納米 DDR5 DRAM
3D DRAM時(shí)代即將到來，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)
- 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l 這一趨勢(shì)有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 泛林
DRAM教父高啟全職業(yè)生涯又有新進(jìn)展
- 高啟全是全球 DRAM 領(lǐng)域最資深的人士之一。
- 關(guān)鍵字： DRAM
三星電子 DRAM 內(nèi)存和代工部門業(yè)績(jī)低迷，負(fù)責(zé)人雙雙被換
- IT之家 7 月 5 日消息，據(jù)多個(gè)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子昨日突然在非常規(guī)人事季更換了代工（DS）部門和 DRAM 部門負(fù)責(zé)人，被解讀為“彌補(bǔ)今年上半年存儲(chǔ)半導(dǎo)體表現(xiàn)低迷、強(qiáng)化代工業(yè)務(wù)的手段”。首先，三星代工事業(yè)部技術(shù)開發(fā)部門副社長(zhǎng)鄭基泰（Jegae Jeong）被任命為事業(yè)部最高技術(shù)負(fù)責(zé)人（CTO），而他的繼任者則是 Jahun Koo。與此同時(shí)，負(fù)責(zé)存儲(chǔ)半導(dǎo)體中 DRAM 開發(fā)的部門負(fù)責(zé)人也被更換，由原本擔(dān)任戰(zhàn)略營(yíng)銷部門副社長(zhǎng)的黃相俊（Hwang Sang-jun）接管，被業(yè)界解讀為對(duì) HB
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
瑞薩電子推出業(yè)界首款客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器CKD和第3代RCD以支持嚴(yán)苛的DDR5客戶端與服務(wù)器DIMMs應(yīng)用
- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（CKD）和第三代DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD）。憑借這些全新驅(qū)動(dòng)器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲(chǔ)器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲(chǔ)器接口組合的供應(yīng)商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達(dá)到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達(dá)7200MT/s的速度，是業(yè)內(nèi)首款與小型DIMM
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器 RCD DDR5 DIMM
美光宣布推出高容量 96GB DDR5-4800 RDIMM 內(nèi)存
- IT之家 6 月 7 日消息，內(nèi)存廠商在今年第一季度推出了單條 48GB 的非二進(jìn)制內(nèi)存，雙槽即可實(shí)現(xiàn) 96GB，四個(gè)內(nèi)存插槽全插滿可實(shí)現(xiàn) 192GB 的內(nèi)存容量。美光今天宣布開始量產(chǎn) 4800MT/s 的 96GB 大容量 DDR5 RDIMM，其帶寬相當(dāng)于 DDR4 內(nèi)存的兩倍，并且完全符合第四代 AMD EPYC 處理器的要求。IT之家注：目前在服務(wù)器領(lǐng)域主要使用的內(nèi)存類型 (DIMM) 有三種 ——UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM。RDIMM 全稱為 Registered DIM
- 關(guān)鍵字： 美光 DDR5
DRAM大廠：Q3產(chǎn)品價(jià)格可望回穩(wěn)？
- 6月5日，DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結(jié)合并營(yíng)收為新臺(tái)幣23.09億元，月增加2.17%、年減少62.74%，仍創(chuàng)下今年新高水準(zhǔn)。累計(jì)前5月合并營(yíng)收為新臺(tái)幣109.94億元，年減少66.42%。據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體《中時(shí)新聞網(wǎng)》引述南亞科總經(jīng)理提到，DRAM市況預(yù)期第三季產(chǎn)品價(jià)格可望回穩(wěn)。南亞科總經(jīng)理認(rèn)為，以今年整體狀況而言，DRAM需求成長(zhǎng)率可能低于長(zhǎng)期平均值，但DRAM是電子產(chǎn)品智能化的關(guān)鍵元件，未來各種消費(fèi)型智能電子產(chǎn)品的推陳出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車、智能家庭、智能穿戴
- 關(guān)鍵字： DRAM TrendForce
DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格未見回暖
- 業(yè)界對(duì) DDR5 DRAM 的市場(chǎng)預(yù)期不太樂觀。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash NAND DDR5
海力士完成業(yè)界首個(gè) 1bnm DDR5 服務(wù)器 DRAM 兼容性驗(yàn)證流程
- IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了 1bnm 的開發(fā)，這是 10 納米工藝技術(shù)的第五代，并對(duì)針對(duì)英特爾至強(qiáng)處理器的 DDR5 產(chǎn)品的內(nèi)存程序進(jìn)行驗(yàn)證。海力士的 DRAM 開發(fā)主管 Jonghwan Kim 說，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產(chǎn)品所采用。英特爾內(nèi)存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內(nèi)存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內(nèi)存在英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺(tái)上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個(gè)針對(duì)
- 關(guān)鍵字： 海力士 DDR5
韓媒：三星已組建開發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM
- 5月26日，韓國(guó)媒體The Elec引用知情人士消息稱，三星電子近日在其半導(dǎo)體研究中心內(nèi)組建了一個(gè)開發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM。4F2結(jié)構(gòu)DRAM能夠大大提高DRAM的存儲(chǔ)密度，方便研究團(tuán)隊(duì)克服DRAM線寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。報(bào)道稱，如果三星4F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)研究成功，在不改變節(jié)點(diǎn)的情況下，與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結(jié)構(gòu)是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，據(jù)說工藝難點(diǎn)頗多。不過三星認(rèn)為，與SK海力士和美
- 關(guān)鍵字： 三星 4F2結(jié)構(gòu) DRAM
不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團(tuán)隊(duì)開發(fā) 4F2 DRAM
- IT之家 5 月 26 日消息，根據(jù)韓媒 The Elec 報(bào)道，三星組建了一支專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，負(fù)責(zé)開發(fā) 4F2 DRAM 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。相比較現(xiàn)有的 6F2 級(jí)別，在不改變工藝節(jié)點(diǎn)的情況下，芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化，但最后以失敗告終。三星組建了專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，研發(fā) 4F2 結(jié)構(gòu)。IT之家從韓媒報(bào)道中獲悉，晶體管根據(jù)電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統(tǒng)。在漏極（D）上方安裝一個(gè)
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
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