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FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)的概念
- FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時鐘、復(fù)位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括：SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
- 關(guān)鍵字： FPGA最小系統(tǒng) Altera NiosII Flash SDRAM
基于FPGA的水聲信號高速采集存儲系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 介紹了一種基于FPGA的水聲信號數(shù)據(jù)采集與存儲系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對各部分硬件和軟件的設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲容量達(dá)2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點(diǎn),實(shí)驗(yàn)證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計(jì)要求。
- 關(guān)鍵字： 數(shù)據(jù)采集 Flash FPGA
PCI EXPRESS兼容性測試簡述
- 2006年10月，100多名工程師來到地處臺北鬧市區(qū)的Westin酒店。他們不是為新游戲機(jī)的發(fā)布，而是為了一件最終對于游戲體驗(yàn)來說更重要的事情。
- 關(guān)鍵字： PCI-E
SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內(nèi)核層可將其他層連接起來協(xié)同工作；翻譯層主要實(shí)現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個物理塊的關(guān)系，同時支持TFFS的各種功能，如磨損均衡、錯誤恢復(fù)等；MTD層執(zhí)行底層的程序驅(qū)動(map、read、write、erase等)；socket層的名稱來源于可以插拔的socket存儲卡，主要提供與具體的硬件板相關(guān)的驅(qū)動。
- 關(guān)鍵字： 文件系統(tǒng) Flash SOCKET
大容量NOR Flash與8位單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)
- Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn)，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一個品種，與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢：可靠性高、隨機(jī)讀取速度快，可以單字節(jié)或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
- 關(guān)鍵字： NOR Flash 接口 單片機(jī)
麥格理分析師：DRAM和Flash價(jià)格會持續(xù)漲到年底
- 據(jù)外媒報(bào)道，存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。 他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價(jià)格仍會續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價(jià)。 據(jù)巴隆周刊(Barron's)報(bào)導(dǎo)，Daniel Kim發(fā)布報(bào)告說：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預(yù)期更強(qiáng)。 」他看好存儲芯片價(jià)格會持續(xù)漲到今年底。 整體來說，Daniel Kim認(rèn)為芯片價(jià)格上漲，即暴露看空論點(diǎn)的瑕疵。 他指出，建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
- 關(guān)鍵字： DRAM Flash
大陸韓國擴(kuò)產(chǎn)競賽 Flash后年產(chǎn)能恐過剩
- 儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起，南韓存儲大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲產(chǎn)能;紫光集團(tuán)旗下的長江存儲武漢廠，也預(yù)定本月底正式動土，都為2018年供給過于求再現(xiàn)，埋下隱憂。 目前各市調(diào)機(jī)構(gòu)均看好明年NANDFlash仍處于供不應(yīng)求局面，但南韓存儲大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴(kuò)充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場投下新變數(shù)。 稍早三星和美光也都
- 關(guān)鍵字： Flash 晶圓
為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計(jì)外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導(dǎo)體工廠需要超過2年，所以提前做好準(zhǔn)備。 SK海力士曾在20
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SK海力士
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