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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> e-mode gan fet

          手把手教你讀懂FET選取合適器件

          • 現(xiàn)在;一臺臺電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過這東西,或用來逆變;或用來整流;或就當(dāng)個(gè)開關(guān)...
          • 關(guān)鍵字: FET  

          RFID倉儲管理信息系統(tǒng)數(shù)據(jù)庫類型及E-R模型圖

          • 1數(shù)據(jù)庫類型倉儲管理信息系統(tǒng)采用的數(shù)據(jù)庫是SQLServer2000,通過JDBC接口直接實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)與數(shù)據(jù)庫之...
          • 關(guān)鍵字: RFID  倉儲管理  E-R模型  

          基于ARM/Linux的燃料電池溫度監(jiān)控系統(tǒng)GUI設(shè)計(jì)

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 燃料電池  溫度控制  Qt/E  

          CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管

          •   CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器.   
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  P-FET  

          一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)

          • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場強(qiáng)度等特點(diǎn),被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn),基于Agilent ADS仿真軟件,利用負(fù)載/源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟并對放大器進(jìn)行了測試,數(shù)據(jù)表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W,附加效率超過67%的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí),GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  功率放大器  GaN  一種  

          如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

          •   圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因
          • 關(guān)鍵字: 進(jìn)行  緩沖  電壓  關(guān)斷  轉(zhuǎn)換器  FET  如何  

          E-ink年底公布彩色電子紙

          •   各大電子書廠商的“總后臺”E-ink今天宣布,將發(fā)布彩色屏幕的電子紙產(chǎn)品,這種新品將在今年年底發(fā)布,包含鮮艷的色澤、快速響應(yīng)時(shí)間和電磁電容觸控感應(yīng)、筆輸入能力。   這種彩色電子紙讓學(xué)生的電子課本成為可能,它非常便于隨身攜帶并記錄筆記,E-ink預(yù)計(jì)2011年將有10%的電子書采用彩色電子紙面板。
          • 關(guān)鍵字: E-ink  電子紙  

          Diagnose LEDs by monitoring the switch-mode du

          • A change in the forward voltage (VF) for a string of series-connected, high-brightness LEDs (HB LEDs) can indicate deterioration or complete failure of one or more of the LEDs. Accordingly, this circu
          • 關(guān)鍵字: switch-mode  monitoring  Diagnose  cycle    

          基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

          • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因,對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便,SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處,而價(jià)格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢,因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED  襯底  功率型    

          MOS-FET開關(guān)電路

          • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
          • 關(guān)鍵字: MOS-FET  開關(guān)電路    

          J-FET開關(guān)電路工作原理

          • 1、簡單開關(guān)控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí),VGS=0,J-FET導(dǎo)通,傳輸信號至VO;當(dāng)VC比V1足夠負(fù),VD導(dǎo)通而J-FET截止,VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
          • 關(guān)鍵字: J-FET  開關(guān)電路  工作原理    

          與萬用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器

          • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別,所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級,但一個(gè)等級內(nèi)仍有差別,如果在組裝電路之前測量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時(shí),
          • 關(guān)鍵字: VOO  檢驗(yàn)  VP  FET  結(jié)合  使用  萬用表  

          LTE承載網(wǎng)應(yīng)對的挑戰(zhàn)還有哪些?

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: LTE  承載網(wǎng)  E-UTRAN  QoS  

          使用FET輸入型OP放大器的長時(shí)間模擬定時(shí)電路

          • 電路的功能定時(shí)器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來組成定時(shí)器,這樣可以減少IC的數(shù)量,事先了
          • 關(guān)鍵字: FET  輸入  OP放大器  模擬定時(shí)電路    

          可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路

          • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V,2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制(AM)等效,可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化,以TT15、TT16特性相同為前提條件,O
          • 關(guān)鍵字: VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運(yùn)算電路    
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          e-mode gan fet介紹

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