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e-mode gan fet 文章 進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)
歐洲的“e-BRAINS”研究項(xiàng)目
- 2010年9月，英飛凌科技股份公司與19家合作伙伴攜手合作，啟動(dòng)了歐洲e-BRAINS（最可靠的環(huán)境智能納米傳感器系統(tǒng)）研究項(xiàng)目，圍繞異構(gòu)系統(tǒng)的集成展開(kāi)研究。這個(gè)項(xiàng)目由英飛凌和弗勞恩霍夫模塊化固態(tài)技術(shù)研究所負(fù)責(zé)技術(shù)管理，將于2013年底完成。納米傳感器將與IC（集成電路）、功率半導(dǎo)體、電池或無(wú)線通信模塊等組件結(jié)合使用，從而大幅提升e-BRAINS應(yīng)用的能源效率、成本效益、使用壽命和運(yùn)行可靠性。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 e-BRAINS
基于Pro/E Harness的釘板圖設(shè)計(jì)
- 一、簡(jiǎn)介 構(gòu)建釘板圖時(shí)，首先利用展平后的線束模型創(chuàng)建視圖，并在二維模型中標(biāo)注尺寸，創(chuàng)建線束B(niǎo)OM 表。創(chuàng)建釘板圖的過(guò)程與機(jī)械零部件二維圖樣的構(gòu)建過(guò)程類(lèi)似，如圖1所示?！ ? 二、構(gòu)建釘板圖 在Pro/ENGI
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) Harness Pro/E 基于
蘋(píng)果的新專(zhuān)利：E-Ink 和 LCD 的混合顯示屏
- 蘋(píng)果公司（Apple）最新申請(qǐng)的一份專(zhuān)利表明，他們正在研究新型的顯示技術(shù)——把E-Ink，LCD，觸摸屏加在一起，形成一個(gè)...
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 新專(zhuān)利 E-Ink LCD 混合顯示屏
TI 小貼士：圖例理FET知識(shí)
- 您可以通過(guò)周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來(lái)生成FFT圖。一般而言，ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
- 關(guān)鍵字： FET
手把手教你讀懂FET選取合適器件
- 現(xiàn)在；一臺(tái)臺(tái)電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過(guò)這東西，或用來(lái)逆變；或用來(lái)整流；或就當(dāng)個(gè)開(kāi)關(guān)...
- 關(guān)鍵字： FET
RFID倉(cāng)儲(chǔ)管理信息系統(tǒng)數(shù)據(jù)庫(kù)類(lèi)型及E-R模型圖
- 1數(shù)據(jù)庫(kù)類(lèi)型倉(cāng)儲(chǔ)管理信息系統(tǒng)采用的數(shù)據(jù)庫(kù)是SQLServer2000，通過(guò)JDBC接口直接實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)與數(shù)據(jù)庫(kù)之...
- 關(guān)鍵字： RFID 倉(cāng)儲(chǔ)管理 E-R模型
一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說(shuō)明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過(guò)15W，附加效率超過(guò)67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 功率放大器 GaN 一種
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