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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> e-mode gan fet

          采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

          • 在當(dāng)今社會,DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說:英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED    

          大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

          • 超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓,已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
          • 關(guān)鍵字: LED  GaN  MOSFET  

          用射頻開關(guān)優(yōu)化智能手機信號

          • 智能手機代表了射頻個人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
          • 關(guān)鍵字: 射頻開關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT  

          E Ink教育樂活新主張 電子紙創(chuàng)新應(yīng)用再升級

          • 全球電子紙領(lǐng)導(dǎo)供貨商E Ink元太科技,于10月26日至28日參加2011日本橫濱舉辦的平板顯示器展 (FPD International 2011 in Yokohama,攤位編號:6506),展示電子紙技術(shù)在教育市場與生活層面的創(chuàng)新應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: E Ink  FPD  Ectaco Jetbook Color  

          E Ink電子紙顯示器獲2011華爾街日報年度科技創(chuàng)新獎

          • 全球電子紙領(lǐng)導(dǎo)供貨商E Ink元太科技,宣布其最新研發(fā)的E Ink璀璨彩色電子紙顯示器榮獲2011華爾街日報年度科技創(chuàng)新獎。E Ink璀璨彩色電子紙在消費性電子類產(chǎn)品(Consumer Electronics category)中名列首獎。所有獲獎企業(yè)介紹都已在網(wǎng)絡(luò)公布,并刊登在10月17日的華爾街日報。
          • 關(guān)鍵字: E Ink  顯示器  

          Intersil集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡化電源設(shè)計

          • 簡介   一提到電源設(shè)計,大多數(shù)工程師都會感到撓頭,他們往往會問,“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓撲——包括降壓、升壓、flyback、半橋和全橋等。
          • 關(guān)鍵字: intersil  FET  DC/DC  

          愛特梅爾maXTouch E 系列助力三星Galaxy觸摸屏

          • 微控制器及觸摸解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商愛特梅爾公司(Atmel Corporation)宣布三星電子已經(jīng)選擇maXTouch E 系列器件為其2011年數(shù)款旗艦智能手機和平板電腦產(chǎn)品的觸摸屏。繼愛持梅爾mXT1386助力超薄Galaxy Tab 10.1平板電腦獲得成功之后,三星電子再發(fā)布數(shù)款使用愛特梅爾maXTouch E 系列的產(chǎn)品
          • 關(guān)鍵字: 三星  Galaxy  maXTouch E   

          單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路

          • 目前,為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時產(chǎn)生瞬時集電極電流,設(shè)計人員一般會設(shè)計柵特性是需要負偏置...
          • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動電路  IRGP30B120KD-E  IR  

          硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

          • 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來,LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
          • 關(guān)鍵字: LED芯片  硅襯底  GaN    

          硅襯底上GaN基LED的研制進展

          • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管,高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器,紫外光探測器,...
          • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  LED芯片    

          電動車電池成本大降

          •   7月16日,“一起‘飆’電動”主題電動車科普論壇在北京舉行,大眾汽車集團(中國)總裁兼CEO倪凱銘博士以及北京交通大學(xué)的專家講述了目前電動車的發(fā)展?fàn)顩r。就目前困擾大多數(shù)企業(yè)的電動車電池成本高的問題,大眾汽車集團(中國)的相關(guān)人士向雅虎汽車透露,未來幾年大眾電動車電池的價格會降低到200歐元/每千瓦時,并表示大眾汽車若干年后在電動車時代的主力車型E-up消費者或?qū)谥袊吹健?  
          • 關(guān)鍵字: 電動車電池  E-up  

          德州儀器推出業(yè)界首款高溫數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

          • 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款高溫數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) — 苛刻環(huán)境采集終端 (H.E.A.T.) 評估板 (EVM),其包含可滿足 -55oC 至 210oC 極端工作溫度要求的全系列 TI 信號鏈組件。H.E.A.T. EVM 可用于測試高溫爐,能夠在高達 200oC 的爐溫下工作長達 200 小時。該產(chǎn)品支持 8 個模擬數(shù)據(jù)通道,可在苛刻高溫環(huán)境下實現(xiàn)各種應(yīng)用的信號調(diào)節(jié)、數(shù)字化及處理,充分滿足井下鉆孔、噴射引擎以及重工業(yè)應(yīng)用需求。
          • 關(guān)鍵字: TI  EVM  H.E.A.T.  

          GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計

          • 摘要:為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進行了研究??紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng),通過設(shè)計適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu),利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  探測器  紅外  量子  GaN  

          一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計

          • 摘要:氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點,使其具有帶寬寬,高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點,使用了Agilent ADS等仿真軟件,進行電路仿真設(shè)計,設(shè)計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
          • 關(guān)鍵字: GaN  S波段  寬帶  放大器    

          外接PCI-E標(biāo)準計劃挑戰(zhàn)Thunderbolt

          •   PCI特別興趣小組(PCI SIG)在年度會議上宣布,將開發(fā)一種基于PCI-E規(guī)范的外接設(shè)備互連標(biāo)準,直接競爭Intel力推的Thunderbolt,以及USB-IF組織的USB 3.0。外接PCI-E將基于新一代的PCI-E 3.0技術(shù),支持四通道傳輸,也就是相當(dāng)于PCI-E 3.0 x4,最高帶寬32Gbps(或者說32GT/s)。該技術(shù)初期使用銅線,但是隨著速度的提升和未來PCI-E 4.0的發(fā)布,有可能最終改用光纖,屆時帶寬至少會翻一番達到64Gbps?!?/li>
          • 關(guān)鍵字: PCI-E  hunderbolt  
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          e-mode gan fet介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條e-mode gan fet!
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