e-mode gan fet 文章 進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)
基于ARM的嵌入式SMTP遠(yuǎn)程控制設(shè)計(jì)
- 基于ARM的嵌入式SMTP遠(yuǎn)程控制設(shè)計(jì),隨著WWW 的不斷發(fā)展,人們對以IP 網(wǎng)絡(luò)為基礎(chǔ)的Internet 應(yīng)用提出了更高的需求,將來的Internet 必將實(shí)現(xiàn)“利用IP 技術(shù)傳輸控制行為(Action over IP)”。在工業(yè)控制領(lǐng)域怎樣實(shí)現(xiàn)儀器儀表的遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)采集，實(shí)現(xiàn)異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)互
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嵌入式Linux 的safe mode 設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 嵌入式Linux 的safe mode 設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),目前的各種嵌入式產(chǎn)品已經(jīng)豐富多彩，它們正改變著我們的生活方式。隨著嵌入式產(chǎn)品功能的增加，如何讓用戶對已購買的產(chǎn)品的升級能安全地、順利地完成，避免升級過程中出現(xiàn)的意外掉電所引起的產(chǎn)品故障，這樣的問題要求
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ADI公司推出快速FET運(yùn)算放大器
- 2009年1月22日，中國北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商，最新推出一款業(yè)界最快的場效應(yīng)晶體管(FET)運(yùn)算放大器——ADA4817。這款產(chǎn)品工作頻率高達(dá)1GHz，設(shè)計(jì)用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備和儀器儀表設(shè)備。與競爭器件相比，可提供兩倍的帶寬，同時(shí)噪聲降低一半。它已被領(lǐng)先的醫(yī)療、測試和測量設(shè)備公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設(shè)備。與ADA4
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中國國產(chǎn)萬億次高性能計(jì)算機(jī)向產(chǎn)業(yè)化邁進(jìn)
- 30秒內(nèi)為駕駛員提供實(shí)時(shí)路況和最優(yōu)出行路線信息；8分鐘完成單幅機(jī)載合成雷達(dá)數(shù)據(jù)成像，準(zhǔn)實(shí)時(shí)精確提供災(zāi)情評估和經(jīng)濟(jì)損失分析信息。記者日前從中國科技大學(xué)獲悉，國產(chǎn)KD-50-I-E增強(qiáng)型萬億次國產(chǎn)高性能計(jì)算機(jī)已成功應(yīng)用于城市交通控制與管理、防災(zāi)減災(zāi)。 去年12月底，中國首臺采用國產(chǎn)高性能通用處理器芯片“龍芯2F”和其他國產(chǎn)器件、設(shè)備和技術(shù)的萬億次高性能計(jì)算機(jī)“KD-50-I”在中國科大研制成功，功能定位于大規(guī)?？茖W(xué)計(jì)算。 為了讓該項(xiàng)成果直接服務(wù)于
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德州儀器1.5A 線性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計(jì)算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。 開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
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大尺寸電子閱讀器將引發(fā)平面媒體技術(shù)革命
- 電子墨水（E Ink）顯像技術(shù)不同于我們?nèi)粘Ｊ褂玫闹T如電腦和手機(jī)上的液晶顯示屏，該技術(shù)無需背光源工作原理就能達(dá)到良好的單色成像效果。電子墨水的顯示屏有著能耗較低的節(jié)能環(huán)保特征，此外該技術(shù)顯示的文字也能在過亮或者過暗的環(huán)境下輕易被人眼識別。目前市場上已經(jīng)有幾款使用電子墨水的顯示技術(shù)的電子書產(chǎn)品，這其中包括亞馬遜公司推出的Kindle電子書閱覽器以及索尼公司推出的eReader電子書閱覽器。據(jù)悉，全球知名男性雜志《Esquire》也會在其某些版塊內(nèi)容分頁中使用電子墨水（E Ink）技術(shù)。 紐約時(shí)報(bào)（
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浪潮六核平臺創(chuàng)造TPC-E測試新世界紀(jì)錄
- 近日，在國際權(quán)威TPC-E服務(wù)器OLTP(聯(lián)機(jī)事務(wù)處理)性能測試中，基于最新六核平臺的浪潮服務(wù)器以702.90tpsE(每秒完成數(shù)據(jù)庫事務(wù)處理次數(shù))的成績，創(chuàng)造了該項(xiàng)測試最新的世界紀(jì)錄，成為業(yè)界性能最強(qiáng)的四路服務(wù)器。 據(jù)了解，TPC-E測試是TPC組織于去年3月最新推出的測試基準(zhǔn)，將逐步取代有14年歷史的TPC-C。與上一代TPC-C測試模型相比，TPC-E更加強(qiáng)調(diào)模型的高仿真性，其模型微縮模擬了全球最大電子股票交易市場---美國納斯達(dá)克股市的日常業(yè)務(wù)流程，模型架構(gòu)完成了從C/S架構(gòu)到B/S架構(gòu)
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新品SSD：國內(nèi)E-Drive異軍突起
- 最近有國內(nèi)源科創(chuàng)新股份宣布，已開始樣品供貨使用NAND的大容量E-Drive SSD(固態(tài)硬盤)，主要應(yīng)用的服務(wù)器領(lǐng)域，為了提高速度的限制，采用了PCI-E接口，容量分別為128G、256G和512G,預(yù)計(jì)2008年12月起開始量產(chǎn)，目前已經(jīng)開始提供樣品測試。 具了內(nèi)部人士介紹，這款產(chǎn)品速度驚人，當(dāng)時(shí)也曾嘗試過采用通用SATA接口，考慮的速度原因，最后還是選用了PCI-E接口，這樣可以解決接口速度的瓶頸。 目前具體的價(jià)格還處調(diào)整于保密狀態(tài)，產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入測試化階段，具體的速度還沒透露，我們也
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TI推出具有啟動(dòng)過程中禁止吸入功能的DC/DC 轉(zhuǎn)換器
- TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ～6V 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉(zhuǎn)換頻率為同步頻率并可調(diào)至 1.6MHz，以減少外部組件數(shù)量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個(gè)溫度范圍內(nèi)均可提供高達(dá) 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態(tài)良好指示、啟動(dòng)、可調(diào)慢啟動(dòng)、電流限制、熱關(guān)斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯(lián)網(wǎng)和通信基礎(chǔ)設(shè)施、分布式電源系統(tǒng)以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩(wěn)壓。
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了解電子紙顯示器技術(shù)最新動(dòng)態(tài)
- 關(guān)于電子紙(E-pape)顯示器的消息一直不絕于耳，這種顯示器承諾為我們帶來可纏繞的廣告標(biāo)識、可佩帶的手腕監(jiān)視器和可折疊或卷起來插進(jìn)衣兜內(nèi)的電子報(bào)刊。雖然這些令人嘆為觀止的產(chǎn)品要想真正商用還需時(shí)日，但使這一切得以實(shí)現(xiàn)的顯示技術(shù)正在取得進(jìn)展。 電子紙包括若干反射式顯示技術(shù)，可將其大致分成：粒子顯示、LCD和MEMS顯示。粒子顯示包括電致變色(ECD)和電泳(EPD)顯示；LCD主要有膽甾液晶器件(ChLCD)和專有技術(shù)的雙穩(wěn)態(tài)扭曲向列(TN)LCD。該領(lǐng)域的主要供應(yīng)商包括：制造ChLCD的Kent
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Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管
- Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。 新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括： 1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍 2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率 3. 在免授權(quán)的5.8G
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