elitesic mosfet 文章 進入elitesic mosfet技術社區(qū)
常見MOSFET失效模式的分析與解決方法
- 提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢。為達到這個目標，需要提高開關頻率，從而降低功率損耗、系 統(tǒng)整體尺寸以及重量。對于當今的開關電源(SMPS)而言，具有高可靠性也是非常重要的。零電壓開關(ZVS) 或零電流開關(ZCS) 拓撲允許采用高頻開關技術，可以 大限度地降低開關損耗。ZVS拓撲允許工作在高頻開 關下，能夠改善效率，能夠降低應用的尺寸，還能夠降 低功率開關的應力，因此可以改善系統(tǒng)的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優(yōu)勢逐漸成為一種 主流拓撲。這種拓撲得到了廣泛的應用，包括高端服務
- 關鍵字： MOSFET
意法半導體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效
- 意法半導體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數(shù)據(jù)中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統(tǒng)尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導通電阻(RDS(on)max)都處于同類領先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43
- 關鍵字： 意法半導體 MDmesh MOSFET
瑞能半導體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實現(xiàn)最佳效率
- 2022年5月10日-12日，一年一度的PCIM Europe盛大開幕，作為全球領先的功率半導體供應商，瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs，第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產(chǎn)品重磅回歸PCIM Europe展會，全方位展示行業(yè)領先的技術、產(chǎn)品應用和解決方案，和諸多業(yè)內(nèi)伙伴共話智能制造行業(yè)在全球范圍內(nèi)的可持續(xù)發(fā)展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展，是電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理領域最具影響力的博
- 關鍵字： SiC MOSFET 瑞能半導體 PCIM Europe
Nexperia推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia推出了用于自動化安全氣囊應用的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合，重點發(fā)布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導通內(nèi)阻、邏輯控制電平MOSFET，應用于LFPAK33封裝。ASFET是專門為用于某一應用而設計并優(yōu)化的MOSFET。此產(chǎn)品組合是Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應用提供的一系列ASFET中的最新產(chǎn)品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強安全工作區(qū)(SOA)技術
- 關鍵字： Nexperia 自動安全氣囊 MOSFET
英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強特性進一步提高系統(tǒng)能效
- 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術的分立式封裝，具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統(tǒng)，如光伏逆變器。同時，這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統(tǒng)和其他工業(yè)應用的理想選擇。CoolSiC技術取得的最新進展使得柵極驅動電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時，隨著柵極運行
- 關鍵字： SiC 太陽能 MOSFET
10A電子保險絲可為48 V電源提供緊湊型過流保護
- 摘要傳統(tǒng)上，過流保護使用的是保險絲。但是，保險絲體積龐大，響應速度慢，跳閘電流公差大，需要在一次或幾次跳閘后更換。本文介紹一種外形緊湊、纖薄、響應速度快的10 A電子保險絲，它沒有上述這些無源保險絲缺點。電子保險絲可在高達48 V的DC電源軌上提供過流保護。簡介為了盡量減少由電氣故障引起的系統(tǒng)停機時間，使用率高的電源或全年無休的系統(tǒng)需要在供電板上增加過載和短路保護。當電源為多個子系統(tǒng)或板（例如RF功率放大器陣列或基于背板的服務器和路由器）供電時，必須為電源提供過流保護?？焖贁嚅_發(fā)生故障的子系統(tǒng)與共享電源總
- 關鍵字： MOSFET
功率半導體的創(chuàng)新驅動下一代能源網(wǎng)絡建設，構建可持續(xù)發(fā)展的未來
- 全球變暖是人類面臨的最大挑戰(zhàn)。全球科學家已達成共識，必須將溫室氣體排放足跡減少到 2000 年的水平，將全球氣溫上升限制在 1.5oC 以下，才能擁有一個可持續(xù)發(fā)展的未來。要實現(xiàn)面向未來的可持續(xù)能源網(wǎng)絡，綠色轉型勢在必行，下一代能源基礎設施必須對環(huán)境有利。安森美認為下一代能源網(wǎng)絡將主要基于太陽能和風能等可再生能源，并結合能源儲存的能力。此外，我們認為能耗必須向電動汽車 (EV) 等高效和零排放的負載遷移，以實現(xiàn)可行且可持續(xù)的能源網(wǎng)絡。圖1 21世紀能源網(wǎng)絡無論是太陽能、風能和儲能等可再生能源，還是電動汽車
- 關鍵字： MOSFET
健康催生可穿戴多功能需求 東芝多款器件直面新機遇
- 可穿戴設備廣泛用于娛樂、運動和醫(yī)療健康等領域，作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術嵌入人們的衣著或配件的設備，可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個新發(fā)展機遇，可穿戴設備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實際產(chǎn)品大量普及的過程之后，行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長。據(jù)統(tǒng)計，2019年全球可穿戴技術產(chǎn)品市場的規(guī)模超過了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說可穿戴設備已成為過去5年來消費電子領域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴重的新冠疫情影響，部
- 關鍵字： 202009 MOSFET
如何用無橋圖騰柱功率因數(shù)校正控制器實現(xiàn)出色的AC-DC功率轉換效率
- 電網(wǎng)提供的電能是交流電，但我們使用的大多數(shù)設備都需要直流電，這意味著進行這種轉換的交流/ 直流電源是能源網(wǎng)上最常見的負載之一。隨著世界關注能效以保護環(huán)境并管理運營成本，這些電源的高效運行變得越來越重要。效率作為輸入功率與供給負載的功率之間的比率衡量，很容易理解。但是，輸入功率因數(shù)也有很大的影響。功率因數(shù)(PF) 描述了任何交流電設備（包括電源）消耗的有用（真實）功率與總（視在）功率(kVA) 之間的比值。PF 衡量消耗的電能轉換為有用功輸出的有效性。如果負載是純阻性負載，PF 將等于1，但任何負載內(nèi)的無功
- 關鍵字： 202204 MOSFET 無橋圖騰柱 功率因數(shù)校正控制器
貿(mào)澤電子開售英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器
- 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨英飛凌的XENSIV? PAS CO2二氧化碳傳感器。該產(chǎn)品基于光聲光譜學 (PAS) 原理，采用高靈敏度MEMS麥克風檢測傳感器腔內(nèi)CO2分子產(chǎn)生的壓力變化。這種檢測方式可以顯著減小CO2傳感器的尺寸，與市面上其他CO2傳感器相比，可以在最終產(chǎn)品中節(jié)省超過75%的空間。貿(mào)澤電子分銷的英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器集成了光聲傳感器（包含檢測器、紅外源和光學濾波器）、用
- 關鍵字： 貿(mào)澤電子 英飛凌 XENSIV PAS CO2傳感器 MOSFET
揚杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用SGT工藝
- 4月8日消息，揚杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用先進的SGT (Shield Gate Trench MOSFET) 制程工藝，針對電機驅動、BMS等應用設計，優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時，提升MOSFET抗沖擊電流能力。N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應用于電池管理系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、逆變電源系統(tǒng)、電機驅動系統(tǒng)、電源管理系統(tǒng)等，是其核
- 關鍵字： MOSFET 楊杰科技
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