elitesic mosfet 文章進(jìn)入elitesic mosfet技術(shù)社區(qū)

意法半導(dǎo)體推出5x6mm雙面散熱微型封裝汽車級(jí)功率MOSFET管

　　意法半導(dǎo)體推出了采用先進(jìn)的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管，新產(chǎn)品可提高汽車系統(tǒng)電控單元(ECU)的功率密度，已被為全球所有的汽車廠商提供先進(jìn)技術(shù)的汽車零配件大廠電裝株式會(huì)社選用。　　STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車電機(jī)控制、電池極性接反保護(hù)和高性能功率開(kāi)關(guān)。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標(biāo)準(zhǔn)封裝的尺寸和高散熱效率的底部設(shè)計(jì)，同時(shí)將頂部的源極曝露在
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET

全新高壓MOSFET高效支持大小功率應(yīng)用

　　英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壯大現(xiàn)有的CoolMOS?技術(shù)產(chǎn)品陣容，推出600 V CoolMOS? P7和600 V CoolMOS? C7 Gold (G7)系列。這兩個(gè)產(chǎn)品系列的擊穿電壓高達(dá)600 V，具備更出色的超結(jié)MOSFET性能。它們可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)非常出色的功率密度?！　?00 V CoolMOS&
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

東芝面向風(fēng)扇電機(jī)推出600V／500V小型封裝高壓智能功率器件

　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出新系列小型封裝高壓智能功率器件(IPD)，這些產(chǎn)品用于空調(diào)、空氣凈化器和空氣泵等各類風(fēng)扇電機(jī)。該新系列包括600V/2.5A “TPD4204F"和500V/2.5A “TPD4206F2"兩款產(chǎn)品，產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)?！　±脰|芝最新的MOSFET技術(shù)，新系列IPD在新開(kāi)發(fā)的小型表面貼裝“SOP30”封裝中實(shí)現(xiàn)高壓和低功率損耗，該封裝尺寸僅為20.0mm x 14.2mm。其封裝空間僅約為東
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET

東芝推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET

　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET，該產(chǎn)品適用于工業(yè)和辦公設(shè)備。該新“DTMOS V系列”最初將提供12款產(chǎn)品。樣品發(fā)貨即日啟動(dòng)，批量生產(chǎn)發(fā)貨計(jì)劃于3月中旬啟動(dòng)。　　該新系列擁有與東芝當(dāng)前的“DTMOS IV系列”相同水平的低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)性能，同時(shí)，其優(yōu)化的設(shè)計(jì)流程使EMI性能提升約3至5dB[1]。而且，降低的單位面積導(dǎo)通電阻(RON x A)性能使新的650v 0.
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET

意法半導(dǎo)體(ST)同級(jí)領(lǐng)先的900V MOSFET管，提升反激式轉(zhuǎn)換器的輸出功率和能效

　　意法半導(dǎo)體最新的900V MDmesh? K5超結(jié)MOSFET管讓電源設(shè)計(jì)人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求，具有同級(jí)最好的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和動(dòng)態(tài)特性?！　?00V擊穿電壓確保高總線電壓系統(tǒng)具有更高的安全系數(shù)。新系列產(chǎn)品含有首個(gè)RDS(ON)導(dǎo)通電阻低于100m?的900V MOSFET管，是RDS(ON) 電阻最低的DPAK產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)最低的柵電荷(Qg)確保開(kāi)關(guān)速度更快，在需要寬輸入電壓的應(yīng)用領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)更大的配置靈活性。這些特性確保標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)諧振電
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET

同步整流開(kāi)關(guān)的功率MOSFET關(guān)鍵特性有哪些

高性能轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的同步整流對(duì)于低電壓、高電流應(yīng)用（比如服務(wù)器和電信電源）至關(guān)重要，這是因?yàn)檫^(guò)將肖特基二極管整流替換為同步整流 MOSFET 能夠顯著提高效率和功率密度。同步整流 MOSFET 的很多關(guān)鍵參數(shù)甚至器件和印制電路板的寄生元件都會(huì)直接影響同步整流的系統(tǒng)效率。同步整流 MOSFET 的主要要求為：同步整流中的功率損耗(1)導(dǎo)通損耗二極管整流器的導(dǎo)通損耗占了電源總功耗的很大一部圖1 ?75 V MOSFET 和 600 V MOSFET 中 RDS(ON)的相對(duì)比例 ?
關(guān)鍵字：功率 MOSFET

為計(jì)算應(yīng)用中的功率因數(shù)校正電路選擇MOSFET(下)

關(guān)鍵字：功率電路 MOSFET

為計(jì)算應(yīng)用中的功率因數(shù)校正電路選擇MOSFET(上)

功率因數(shù)校正 (PFC) 是輸入功率不低于75 W的AC-DC轉(zhuǎn)換器的一項(xiàng)強(qiáng)制要求。在某些消費(fèi)應(yīng)用（如LED照明）中，要求在低至5 W的功率下進(jìn)行某些形式的PFC。在低功率下，可使用為控制線路頻率而設(shè)計(jì)的無(wú)源元件實(shí)現(xiàn)校正目的。但在高功率下，無(wú)源解決方案會(huì)變得相當(dāng)“笨重”而昂貴；使用高開(kāi)關(guān)頻率有源器件可減小所需無(wú)源元件的尺寸。有源PFC的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)方式是輸入整流器后跟升壓轉(zhuǎn)換器。盡管新式拓?fù)湔饾u獲得接受，但升壓PFC仍然是主要解決方案，本文將對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步
關(guān)鍵字：功率電路 MOSFET

東芝推出具備改進(jìn)的低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)的800V超級(jí)結(jié)N溝道功率MOSFET

　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布面向高效電源推出具備改進(jìn)的低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)的800V超級(jí)結(jié)N溝道功率MOSFET?！癉TMOS?IV系列”的八款新MOSFET利用超結(jié)結(jié)構(gòu)，與東芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可將其單位面積導(dǎo)通電阻(RON?x?A)降低近79%。?該系列產(chǎn)品改進(jìn)的高速開(kāi)關(guān)還有助于提高使用該系列產(chǎn)品的芯片組的電源效率。這些MOSFET適用于工業(yè)電源，服務(wù)器、筆記本電腦適配器和充電器以及移動(dòng)設(shè)備的備用電源以及LED照明燈
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET

東芝面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動(dòng)的100V N溝道功率MOSFET

　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動(dòng)的100V?N溝道功率MOSFET，以此擴(kuò)大其低電壓N溝道功率MOSFET的產(chǎn)品陣容。“U-MOS?VIII-H系列”的兩款新MOSFET分別是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)?！　‰S著快速充電器的普及和發(fā)展，市場(chǎng)需要更高性能的用于次級(jí)側(cè)整流器的功率MOSFET。這些新的MOSFET利用東芝低電壓溝槽結(jié)構(gòu)工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通電阻和高速性能。該結(jié)
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET

采用ST F7 LV MOSFET技術(shù)的單片肖特基二極管:提高應(yīng)用性能

　　摘要–當(dāng)一個(gè)功率MOSFET管被用在電橋拓?fù)浠蛴米麟娫炊蝹?cè)同步整流管時(shí)，體漏二極管的特性以及品質(zhì)因數(shù)將變得非常重要。當(dāng)需要Qrr 數(shù)值很低的軟反向恢復(fù)時(shí)，集成肖特基二極管的新60V ST “F7”功率MOSFET管確保能效和換向性能更加出色?！　.前言　　在同步整流和電橋結(jié)構(gòu)中，RDSon 和 Qg 兩個(gè)參數(shù)并不是對(duì)功率MOSFET管的唯一要求，實(shí)際上，本征體漏二極管的動(dòng)態(tài)特性對(duì)MOSFET整體性能影響很大。體漏二極管的正向壓降(VF,d
關(guān)鍵字： MOSFET MOSFET

日研究團(tuán)隊(duì)制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET

　　日本三菱化學(xué)及富士電機(jī)、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導(dǎo)體是碳化硅功率半導(dǎo)體的下一代技術(shù)。日本通過(guò)發(fā)光二極管的開(kāi)發(fā)積累了GaN元件技術(shù)，GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)用化，將處于世界優(yōu)勢(shì)地位。　　功率半導(dǎo)體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能，產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導(dǎo)體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設(shè)備已經(jīng)量產(chǎn)，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
關(guān)鍵字： GaN MOSFET

意法半導(dǎo)體下一代高達(dá)100W的智能功率模塊提升功能集成度、能效和靈活性

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)擴(kuò)大其SLLIMM? nano系列電機(jī)驅(qū)動(dòng)智能功率模塊(IPM)產(chǎn)品陣容。除了使得應(yīng)用總體尺寸最小化和設(shè)計(jì)復(fù)雜性最低化的多種可選封裝外，新產(chǎn)品還集成更多的實(shí)用功能和更高能效的最新的500V MOSFET?！　⌒翴PM模塊的額定輸出電流1A或2A，目標(biāo)應(yīng)用瞄準(zhǔn)最高功率100W的電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)，例如冰箱壓縮機(jī)、洗衣機(jī)或洗碗機(jī)的電機(jī)、排水泵、循環(huán)水泵、風(fēng)扇電機(jī)、以及硬開(kāi)關(guān)電路內(nèi)工作頻率小
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET

8種噪聲測(cè)試技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等

　　噪聲通常指任意的隨機(jī)干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內(nèi)部微粒作無(wú)規(guī)律的隨機(jī)熱運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的，常用統(tǒng)計(jì)數(shù)學(xué)的方法進(jìn)行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)中，因此噪聲測(cè)量主要指電子元件和器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)的熱噪聲和特性的測(cè)量。　　附加相位噪聲測(cè)試技術(shù)及注意事項(xiàng)　　本文簡(jiǎn)單介紹了相位噪聲的定義，詳細(xì)介紹了附加相位噪聲的測(cè)試過(guò)程，給出了實(shí)際的測(cè)試結(jié)果，指出了附加相位噪聲測(cè)試過(guò)程中的一些注意事項(xiàng)，希望對(duì)附加相位噪聲測(cè)試人員有一定的借鑒意義。　　用于4G-LTE頻段噪聲測(cè)試
關(guān)鍵字： MOSFET 噪聲

MOSFET晶體管在移相ZVS全橋直流-直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性: 設(shè)計(jì)考慮因素和實(shí)驗(yàn)結(jié)果

　　摘要 – 近幾年來(lái)，開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)對(duì)高能效、大功率系統(tǒng)的需求不斷提高，在此拉動(dòng)下，設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)向?qū)ふ译娔軗p耗更低的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?。PWM移相控制全橋轉(zhuǎn)換器就是其中一個(gè)深受歡迎的軟硬結(jié)合的開(kāi)關(guān)電源拓?fù)洌軌蛟诖蠊β蕳l件下達(dá)取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開(kāi)關(guān)管在零壓開(kāi)關(guān)(ZVS)轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性?！　?. 前言　　零壓開(kāi)關(guān)移相轉(zhuǎn)換器的市場(chǎng)定位包括電信設(shè)備電源、大型計(jì)算機(jī)或服務(wù)器以及其它的要求功率密度和能效兼?zhèn)涞碾娮釉O(shè)備。要想實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)，就必須最大限度降低功率損耗和無(wú)功功率
關(guān)鍵字： MOSFET ZVS