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MOSFET驅(qū)動及工作區(qū)的問題分析
- 問題1：最近，我們公司的技術(shù)專家在調(diào)試中發(fā)現(xiàn)，MOSFET驅(qū)動電壓過高，會導致電路過載時，MOSFET中電流過大，于是把降低了驅(qū)動電壓到6.5V，之前我們都是在12V左右。這種做法感覺和您在文章里第四部份似乎很相似，這樣做可行么? 問題分析： 系統(tǒng)短路的時候，功率MOSFET相當于工作在放大的線性區(qū)，降低驅(qū)動電壓，可以降低跨導限制的最大電流，從而降低系統(tǒng)的短路電流，從短路保護的角度而言，確實有一定的效果。然后，降低驅(qū)動電壓，正常工作時候，RDSON會增大，系統(tǒng)效率會降低，MOSFET的溫度會升高，
- 關鍵字： MOSFET 芯片
淺談MOSFET驅(qū)動電路
- MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅(qū)動電路?！ ≡谑褂肕OSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅(qū)動電路，驅(qū)動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
- 關鍵字： MOSFET 驅(qū)動電路
意法半導體提升車用40V MOSFET的噪聲性能和能效
- 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導體最新的STripFET? F7制造技術(shù)，開關性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導通能力強。新產(chǎn)品最大輸出電流達到120A，主要目標應用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時優(yōu)異的開關特性使其特別適用于電機驅(qū)動裝置，例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。 意法半導體的STripFET系列采用DeepGATE?技
- 關鍵字： 意法半導體 MOSFET
OptiMOS 5 150 V大幅降低導通電阻和反向恢復電荷
- 英飛凌科技股份公司發(fā)布針對高能效設計和應用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進一步壯大了行業(yè)領先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專門針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達驅(qū)動、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。 更環(huán)保的技術(shù) 英飛凌堅持不懈地研發(fā)適用于高能效設計的產(chǎn)品，以幫助減少全球二氧化碳排放
- 關鍵字： 英飛凌 MOSFET
微芯有刷直流電機控制方案
- 有刷直流電機通過電刷進行換向。以下是關于有刷直流電機的一些關鍵點：典型的轉(zhuǎn)子(也就是電樞)上有繞組，并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開，從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機的定子(或外部機筒)將有
- 關鍵字： MOSFET 光學編碼器 PWM 有刷直流電機驅(qū)動器
被忽略的細節(jié)：理解MOSFET額定電壓BVDSS
- 看到這個主題，可能有些工程師會問：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內(nèi)容?細節(jié)決定技術(shù)，今天研究功率MOSFET數(shù)據(jù)表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細節(jié)，來理解這個參數(shù)所設定的含義。 數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據(jù)表中標稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時，所能施加的最大的額定電壓，測試的電路如圖1所示。關于雪崩擊穿問題
- 關鍵字： MOSFET BVDSS
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