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FinFET/3D NAND前景亮 推升半導(dǎo)體設(shè)備需求
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現(xiàn)更高運(yùn)算/儲(chǔ)存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長(zhǎng)的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機(jī)臺(tái)和磊晶技術(shù)。 應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開發(fā)有兩大重點(diǎn)方向，一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù)，另一個(gè)是圖形制作與檢測(cè)技術(shù)。 應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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AMD終于用上了FinFET工藝
- 這么多年，新工藝一直是AMD的痛點(diǎn)。早年自己生產(chǎn)進(jìn)展跟不上，現(xiàn)在拆分出去了GlobalFoundries更是回回炸雷，臺(tái)積電都跑去抱蘋果的大腿了，導(dǎo)致其CPU還是停留在32nm，APU和GPU也仍是28nm。 不過(guò)在昨日的財(cái)務(wù)會(huì)議上，AMDCEOLisaSu興奮地透露，其首批兩款基于FinFET新工藝的芯片已經(jīng)完成了流片，進(jìn)展順利，接下來(lái)就可以去投產(chǎn)了。 她并沒(méi)有說(shuō)具體是哪兩款產(chǎn)品(估計(jì)會(huì)是新架構(gòu)ZenCPU和下一代的APU)，甚至至今不肯提及代工伙伴是誰(shuí)，臺(tái)積電16nm、GF14nm都有
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探秘大基金，下一個(gè)投資目標(biāo)瞄準(zhǔn)了誰(shuí)？
- 自去年國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(以下簡(jiǎn)稱大基金)成立，至今已募集資金1300多億元，提前并超額完成了基金的募集任務(wù)。正是因?yàn)?ldquo;手握重金”，坊間對(duì)于大基金的傳言不絕于耳。更有業(yè)者擔(dān)心大基金的投資會(huì)不會(huì)遍地開花，甚至?xí)Я酥袊?guó)整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)。據(jù)最接近大基金的業(yè)內(nèi)資深人士透露，這個(gè)擔(dān)心是多余的，大基金的“國(guó)家戰(zhàn)略+市場(chǎng)化運(yùn)營(yíng)”的機(jī)制以及股權(quán)投資基金業(yè)的游戲規(guī)則決定了它不會(huì)這么干! 市場(chǎng)上的私募股權(quán)投資基金不勝枚舉，大基金之所以吸引眼球，無(wú)非是它有了
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哪些半導(dǎo)體公司會(huì)成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？
- 美國(guó)時(shí)間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺(tái)，成為全球第一家實(shí)現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o(wú)論Intel還是三星、臺(tái)積電，22n時(shí)代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
- 關(guān)鍵字： FD- SOI FinFET
只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！
- 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過(guò)既然像是臺(tái)積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時(shí)提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶，有越來(lái)越多半導(dǎo)體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。 例如飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點(diǎn)采用
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GLOBALFOUNDRIES為下一代芯片設(shè)計(jì)而強(qiáng)化了14nm FinFET的設(shè)計(jì)架構(gòu)
- GLOBALFOUNDRIES，世界先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，今天宣布了其為14 nm FinFET工藝技術(shù)而開發(fā)的強(qiáng)化過(guò)的設(shè)計(jì)架構(gòu)，在幫助那些采用先進(jìn)工藝技術(shù)設(shè)計(jì)的客戶的進(jìn)程上達(dá)到了一個(gè)關(guān)鍵里程碑。 GLOBALFOUNDRIES與重要合作伙伴Cadence，Mentor Graphics，以及Synopsys合作開發(fā)出的新型設(shè)計(jì)流程，實(shí)現(xiàn)了從RTL到GDS的轉(zhuǎn)換。該流程包括了基于工藝技術(shù)的PDK和早期試用標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，形成一個(gè)數(shù)字設(shè)計(jì)“入門套件”，為設(shè)計(jì)人員進(jìn)行物理實(shí)
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14納米FinFET制程略勝一籌 全球晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)暗潮洶涌
- 雖然臺(tái)積電仍是全球晶圓代工市場(chǎng)的龍頭大廠，但為牽就蘋果(Apple)這個(gè)大客戶，內(nèi)部壓寶16納米、20納米設(shè)備可以大部互通的產(chǎn)能擴(kuò)充彈性優(yōu)勢(shì)，硬是將16納米FinFET制程技術(shù)訂為20納米下一棒的規(guī)劃藍(lán)圖。 反而在Altera、高通(Qualcomm)先后投入英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)14納米FinFET制程技術(shù)的懷抱后，即便蘋果仍可喂飽臺(tái)積電先進(jìn)制程產(chǎn)能，但臺(tái)積電客戶結(jié)構(gòu)從以IC設(shè)計(jì)公司為主，變成以系統(tǒng)廠獨(dú)霸半遍天，加上主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也開始爭(zhēng)取到重要
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Synopsys Galaxy設(shè)計(jì)平臺(tái)支撐了90%的FinFET設(shè)計(jì)量產(chǎn)
- 亮點(diǎn)： Galaxy Design Platform設(shè)計(jì)平臺(tái)被用于90%的FinFET設(shè)計(jì)量產(chǎn) 強(qiáng)勁的平臺(tái)采用率彰顯了Synopsys在FinFET數(shù)字和定制設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)工具領(lǐng)域內(nèi)的領(lǐng)先性 所有的FinFET晶圓代工廠都已經(jīng)使用并認(rèn)證了Galaxy Design Platform 新思科技公司(Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：SNPS)日前宣布：其 Galaxy™ Design Platform 設(shè)計(jì)平臺(tái)支撐了90%基于FinFET設(shè)計(jì)的量產(chǎn)流
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新思科技已支援全球9成FinFET設(shè)計(jì)量產(chǎn)
- 新思科技(Synopsys)宣布，Galaxy Design Platform已支援全球9成的FinFET晶片設(shè)計(jì)量產(chǎn)投片，目前已有超過(guò)20家業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商運(yùn)用這個(gè)平臺(tái)，成功完成超過(guò)100件FinFET投片。 格羅方德半導(dǎo)體(GLOBALFOUNDRIE)、英特爾晶圓代工(Intel Custom Foundry)、三星電子等晶圓廠已經(jīng)利用Galaxy Design Platform為彼此之共同客戶如Achronix、創(chuàng)意電子(Global Unichip Corporation)、海思半導(dǎo)體(H
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Synopsys占九成FinFET投片，Cadence趨于弱勢(shì)
- 新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片設(shè)計(jì)量產(chǎn)投片(production tapeout)，目前已有超過(guò)20家業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商運(yùn)用這個(gè)平臺(tái)，成功完成超過(guò)100件FinFET投片。 包括格羅方德半導(dǎo)體(GLOBALFOUNDRIE)、英特爾晶圓代工(Intel Custom Foundry)、三星電子(Samsung)等晶圓廠已經(jīng)利用Galaxy Design Platform為彼此之共同客戶如Achronix、創(chuàng)意電
- 關(guān)鍵字： Synopsys FinFET
聯(lián)電14納米 下季試產(chǎn)
- 聯(lián)電積極擴(kuò)充28奈米產(chǎn)能，預(yù)計(jì)今年中月產(chǎn)能可達(dá)2萬(wàn)片，28奈米毛利率將達(dá)平均水準(zhǔn)。此外，聯(lián)電已建置月產(chǎn)能約3,000片的14奈米生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)第2季進(jìn)行第2代14奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程試產(chǎn)，若下半年客戶產(chǎn)品陸續(xù)完成設(shè)計(jì)定案(tape out)，明年將開始拉升產(chǎn)能進(jìn)入量產(chǎn)階段。 聯(lián)電去年第4季28奈米投片大增，包括高通、聯(lián)發(fā)科等5家客戶晶片進(jìn)入量產(chǎn)，并有逾10家客戶完成設(shè)計(jì)定案并展開試產(chǎn)，也讓28奈米占去年第4季營(yíng)收比重正式突破5%。聯(lián)電已積極進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)估今年中可將28奈米月產(chǎn)能擴(kuò)
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 三星 FinFET
Cadence與海思在FinFET設(shè)計(jì)領(lǐng)域擴(kuò)大合作
- 益華電腦(Cadence Design Systems)宣布，已與通訊網(wǎng)路與數(shù)位媒體晶片組供應(yīng)商海思半導(dǎo)體(HiSilicon Technologies)已經(jīng)簽署合作協(xié)議，將于16奈米 FinFET 設(shè)計(jì)領(lǐng)域大幅擴(kuò)增采用Cadence 數(shù)位與客制/類比流程，并于10奈米和7奈米制程的設(shè)計(jì)流程上密切合作。 海思半導(dǎo)體也廣泛使用Cadence數(shù)位和客制/類比驗(yàn)證解決方案，并且已經(jīng)取得Cadence DDR IP與Cadence 3D-IC 解決方案授權(quán)，將于矽中介層基底(silicon interp
- 關(guān)鍵字： Cadence 海思 FinFET
finfet介紹
FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管，閘長(zhǎng)已可小于25奈米，未來(lái)預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬(wàn)分之1。由于此一半導(dǎo)體技術(shù)上的突破，未來(lái)芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊?jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場(chǎng)效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細(xì) ]
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