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finfet 文章 進(jìn)入finfet技術(shù)社區(qū)
下一代晶體管技術(shù)何去何從
- 大量的金錢(qián)和精力都花在探索FinFET工藝，它會(huì)持續(xù)多久和為什么要替代他們? 在近期內(nèi)，從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會(huì)基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮小到10nm節(jié)點(diǎn)。但是到7nm及以下時(shí)，目前的CMOS工藝路線圖已經(jīng)不十分清晰。 半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)探索了一些下一代晶體管技術(shù)的候選者。例如在7nm時(shí)，采用高遷移率的FinFET，及用III-V族元素作溝道材料來(lái)提高電荷的遷移率。然后，到5nm時(shí)，可能會(huì)有兩種技術(shù)，其中一種是環(huán)柵F
- 關(guān)鍵字： 晶體管 FinFET
SoC系統(tǒng)開(kāi)發(fā)：FinFET在系統(tǒng)級(jí)意味著什么
- 大家都在談?wù)揊inFET——可以說(shuō)，這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認(rèn)為20nm節(jié)點(diǎn)以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來(lái)。但是對(duì)于要使用這些SoC的系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員而言，其未來(lái)會(huì)怎樣呢? 回答這一問(wèn)題最好的方法應(yīng)該是說(shuō)清楚FinFET對(duì)于模擬和數(shù)字電路設(shè)計(jì)人員以及SoC設(shè)計(jì)人員究竟意味著什么。從這些信息中，我們可以推斷出FinFET在系統(tǒng)級(jí)意味著什么。
- 關(guān)鍵字： SoC FinFET
Synopsys力挺臺(tái)積電16納米FinFET
- 全球IC矽智財(cái)供應(yīng)商新思科技(Synopsys)力挺臺(tái)積電的16納米FinFET(鰭式場(chǎng)效晶體管)，全力協(xié)助臺(tái)積電加入導(dǎo)入這項(xiàng)新制程量產(chǎn)行列。 新思科技是「臺(tái)積電大同盟」成員之一，昨天也宣布獲臺(tái)積電頒發(fā)開(kāi)放創(chuàng)創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)「2013年度最佳伙伴獎(jiǎng)」，以表彰對(duì)臺(tái)積電先進(jìn)制程的貢獻(xiàn)。 臺(tái)積電16納米FinFET制程，是對(duì)抗英特爾及三星等勁敵的重要技術(shù)，臺(tái)積電將以大同盟的陣營(yíng)，聯(lián)合IP、自動(dòng)化工具、設(shè)備及芯片設(shè)計(jì)業(yè)的力量應(yīng)戰(zhàn)。臺(tái)積電16納米預(yù)定明年第4季試產(chǎn)，2015年第1季量產(chǎn)。
- 關(guān)鍵字： Synopsys FinFET
先進(jìn)制程競(jìng)賽Xilinx首重整合價(jià)值
- 由于ASIC的研發(fā)成本居高不下，加上近來(lái)FPGA不斷整合更多的功能，同時(shí)也突破了過(guò)往功耗過(guò)高的問(wèn)題，尤其當(dāng)進(jìn)入28奈米制程之后，其性?xún)r(jià)比開(kāi)始逼近ASSP與ASIC，促使FPGA開(kāi)始取代部分ASIC市場(chǎng)，應(yīng)用范圍也逐步擴(kuò)張。 附圖: Xilinx揭露未來(lái)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況。 資料來(lái)源：Xilinx 掌握這樣的趨勢(shì)，讓FPGA大廠Xilinx在28奈米的產(chǎn)品營(yíng)收持續(xù)成長(zhǎng)。 Xilinx企業(yè)策略與行銷(xiāo)資深副總裁Steve Glaser指出，預(yù)估今年在28奈米產(chǎn)品線將會(huì)有1億美元的營(yíng)收，市占率高
- 關(guān)鍵字： Xilinx FinFET
新開(kāi)發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料
- 比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱(chēng)開(kāi)發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。 隨著晶片微縮即將接近原子級(jí)的限制，業(yè)界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過(guò)為矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高載子速度與更高驅(qū)動(dòng)電流的III-V族電晶體通道，這種新的化合物半導(dǎo)體可望超越矽晶本身性能，持續(xù)微縮至更制程。
- 關(guān)鍵字： FinFET 矽材料
FinFET新技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的影響
- FinFET稱(chēng)為鰭式場(chǎng)效晶體管，由于晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。FinFET是對(duì)場(chǎng)效晶體管的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過(guò)的閘門(mén)被設(shè)計(jì)成類(lèi)似魚(yú)鰭的叉狀3D架構(gòu)，將原來(lái)的單側(cè)控制電路接通與斷開(kāi)變革為兩側(cè)。 FinFET這樣創(chuàng)新設(shè)計(jì)的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長(zhǎng)，對(duì)于制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化、IP與設(shè)計(jì)方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術(shù)升溫，使得半導(dǎo)體業(yè)戰(zhàn)火重燃，尤其是以Fi
- 關(guān)鍵字： FinFET 半導(dǎo)體制造
FinFET引爆投資熱 半導(dǎo)體業(yè)啟動(dòng)新一輪競(jìng)賽
- 半導(dǎo)體業(yè)界已發(fā)展出運(yùn)用FinFET的半導(dǎo)體制造技術(shù)，對(duì)制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化、IP與設(shè)計(jì)方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競(jìng)相加碼研發(fā)以FinFET生產(chǎn)應(yīng)用處理器的技術(shù)，促使市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)急速升溫。 過(guò)去數(shù)10年來(lái)，互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)平面電晶體一直是電子產(chǎn)品的主要建構(gòu)材料，電晶體幾何結(jié)構(gòu)則一代比一代小，因此能開(kāi)發(fā)出高效能且更便宜的半導(dǎo)體晶片。 然而，電晶體在空間上的線性微縮已達(dá)極限，電晶體縮小到20奈米(nm)以下，會(huì)降低通道閘極控制效果，造成汲極(Dr
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 FinFET
專(zhuān)家聚首談FinFET趨勢(shì)下3D工藝升級(jí)挑戰(zhàn)
- 日前，SeMind舉辦了圓桌論壇，邀請(qǐng)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造的專(zhuān)家齊聚一堂，共同探討未來(lái)晶體管、工藝和制造方面的挑戰(zhàn)，專(zhuān)家包括GLOBALFOUNDRIES的高級(jí)技術(shù)架構(gòu)副總裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技術(shù)官Carlos Mazure，Intermolecular半導(dǎo)體事業(yè)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。 SMD ：從你們的角度來(lái)看，工藝升級(jí)短期內(nèi)的挑戰(zhàn)是什么? Kengeri ：眼下，我們正在談?wù)摰?8nm到2
- 關(guān)鍵字： FinFET 3D
爭(zhēng)搶1xnm代工商機(jī) 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程
- 鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機(jī)，臺(tái)積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù)，并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，預(yù)計(jì)將于2014～2015年陸續(xù)投入量產(chǎn)，讓晶圓代工市場(chǎng)頓時(shí)硝煙彌漫。 FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機(jī)，并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術(shù)，并已將開(kāi)戰(zhàn)時(shí)刻設(shè)定于2014?2015年;同時(shí)也各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，期抗衡英特爾和三星
- 關(guān)鍵字： FinFET 晶圓
英盛德：FinFET技術(shù)日趨盛行 利益前景可觀
- 英格蘭錫爾--(美國(guó)商業(yè)資訊)--世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到芯片集成電路設(shè)計(jì)咨詢(xún)公司之一的英盛德認(rèn)為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為集成電路設(shè)計(jì)商帶來(lái)新的挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來(lái)的尺寸優(yōu)勢(shì)中受益。 工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說(shuō)：“最近，在德州召開(kāi)的設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(Design Automation Conference)上，展廳中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費(fèi)、電腦和圖形行業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&md
- 關(guān)鍵字： 集成電路設(shè)計(jì) FinFET
英盛德：FinFET技術(shù)日盛 前景可觀
- 根據(jù)美國(guó)商業(yè)資訊報(bào)導(dǎo)，世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到晶片積體電路設(shè)計(jì)顧問(wèn)公司之一的英盛德(Sondrel)認(rèn)為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設(shè)計(jì)商帶來(lái)新的挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來(lái)的尺寸優(yōu)勢(shì)中受惠。 工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說(shuō)：「最近，在德州召開(kāi)的設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(Design Automation Conference)上，展場(chǎng)中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費(fèi)、電腦和圖形產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&mdash
- 關(guān)鍵字： Sondrel FinFET
晶圓廠的FinFET混搭制程競(jìng)賽
- 一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米后段金屬導(dǎo)線制程的方式達(dá) 成試量產(chǎn)目標(biāo);而臺(tái)積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代，初版方案亦可望采用類(lèi)似的混搭技術(shù)，足見(jiàn)此設(shè)計(jì)方式已成為晶圓廠進(jìn)入 FinFET世代的共通策略。 聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷(xiāo)處處長(zhǎng)黃克勤提到，各家廠商在16/
- 關(guān)鍵字： 晶圓 FinFET
finfet介紹
FinFET稱(chēng)為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管，閘長(zhǎng)已可小于25奈米，未來(lái)預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9奈米，約是人類(lèi)頭發(fā)寬度的1萬(wàn)分之1。由于此一半導(dǎo)體技術(shù)上的突破，未來(lái)芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊?jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場(chǎng)效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細(xì) ]
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