<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
          EEPW首頁 >> 主題列表 >> finfet

          下一代晶體管技術(shù)何去何從

          •   大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝,它會持續(xù)多久和為什么要替代他們?   在近期內(nèi),從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù),有望可縮小到10nm節(jié)點(diǎn)。但是到7nm及以下時(shí),目前的CMOS工藝路線圖已經(jīng)不十分清晰。   半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)探索了一些下一代晶體管技術(shù)的候選者。例如在7nm時(shí),采用高遷移率的FinFET,及用III-V族元素作溝道材料來提高電荷的遷移率。然后,到5nm時(shí),可能會有兩種技術(shù),其中一種是環(huán)柵F
          • 關(guān)鍵字: 晶體管  FinFET  

          半導(dǎo)體工藝向14/16nm FINFET大步前進(jìn)

          • 幾乎所有繼續(xù)依靠先進(jìn)半導(dǎo)體工藝來帶給自己芯片性能與功耗競爭優(yōu)勢的廠商,紛紛將自己的設(shè)計(jì)瞄準(zhǔn)了即將全面量產(chǎn)的FINFET技術(shù)。在這一市場需求推動下,似乎20nm這一代,成為很多代工廠眼中的雞肋,巴不得直接跨越20nm,直奔16/14nm的FINFET。
          • 關(guān)鍵字: TSMC  FINFET  智能手機(jī)  201401  

          SoC系統(tǒng)開發(fā):FinFET在系統(tǒng)級意味著什么

          • FinFET給芯片設(shè)計(jì)業(yè)帶來的改變幾乎是革命性的,帶來了各種新的要求,同時(shí)也推動了各種創(chuàng)新。
          • 關(guān)鍵字: SoC  FinFET  

          SoC系統(tǒng)開發(fā):FinFET在系統(tǒng)級意味著什么

          •   大家都在談?wù)揊inFET——可以說,這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人,都認(rèn)為20nm節(jié)點(diǎn)以后,F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言,其未來會怎樣呢?   回答這一問題最好的方法應(yīng)該是說清楚FinFET對于模擬和數(shù)字電路設(shè)計(jì)人員以及SoC設(shè)計(jì)人員究竟意味著什么。從這些信息中,我們可以推斷出FinFET在系統(tǒng)級意味著什么。
          • 關(guān)鍵字: SoC  FinFET  

          Synopsys力挺臺積電16納米FinFET

          •   全球IC矽智財(cái)供應(yīng)商新思科技(Synopsys)力挺臺積電的16納米FinFET(鰭式場效晶體管),全力協(xié)助臺積電加入導(dǎo)入這項(xiàng)新制程量產(chǎn)行列。   新思科技是「臺積電大同盟」成員之一,昨天也宣布獲臺積電頒發(fā)開放創(chuàng)創(chuàng)新平臺(OIP)「2013年度最佳伙伴獎」,以表彰對臺積電先進(jìn)制程的貢獻(xiàn)。   臺積電16納米FinFET制程,是對抗英特爾及三星等勁敵的重要技術(shù),臺積電將以大同盟的陣營,聯(lián)合IP、自動化工具、設(shè)備及芯片設(shè)計(jì)業(yè)的力量應(yīng)戰(zhàn)。臺積電16納米預(yù)定明年第4季試產(chǎn),2015年第1季量產(chǎn)。
          • 關(guān)鍵字: Synopsys  FinFET  

          先進(jìn)制程競賽Xilinx首重整合價(jià)值

          •   由于ASIC的研發(fā)成本居高不下,加上近來FPGA不斷整合更多的功能,同時(shí)也突破了過往功耗過高的問題,尤其當(dāng)進(jìn)入28奈米制程之后,其性價(jià)比開始逼近ASSP與ASIC,促使FPGA開始取代部分ASIC市場,應(yīng)用范圍也逐步擴(kuò)張。   附圖: Xilinx揭露未來市場競爭狀況。 資料來源:Xilinx   掌握這樣的趨勢,讓FPGA大廠Xilinx在28奈米的產(chǎn)品營收持續(xù)成長。 Xilinx企業(yè)策略與行銷資深副總裁Steve Glaser指出,預(yù)估今年在28奈米產(chǎn)品線將會有1億美元的營收,市占率高
          • 關(guān)鍵字: Xilinx  FinFET  

          新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

          •   比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下,以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。   隨著晶片微縮即將接近原子級的限制,業(yè)界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過為矽晶整合更高性能的材料,例如可提供更高載子速度與更高驅(qū)動電流的III-V族電晶體通道,這種新的化合物半導(dǎo)體可望超越矽晶本身性能,持續(xù)微縮至更制程。  
          • 關(guān)鍵字: FinFET  矽材料  

          Mentor工具被納入臺積電16納米FinFET制程技術(shù)參考流程

          • Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克代碼:MENT)日前宣布它已完成其用于臺積電16納米FinFET制程的數(shù)字成套工具。臺積電16納米參考流程包含一些新功能,用于Olympus-SoC?布局與布線系統(tǒng)的16納米設(shè)計(jì),以及Calibre?物理驗(yàn)證和可制造性設(shè)計(jì)(DFM)平臺。
          • 關(guān)鍵字: Mentor  FinFET  

          FinFET新技術(shù)對半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的影響

          •   FinFET稱為鰭式場效晶體管,由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì),變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu),其控制電流通過的閘門被設(shè)計(jì)成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu),將原來的單側(cè)控制電路接通與斷開變革為兩側(cè)。   FinFET這樣創(chuàng)新設(shè)計(jì)的意義,在于改善了電路控制并減少漏電流,縮短了晶體管的閘長,對于制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動化、IP與設(shè)計(jì)方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術(shù)升溫,使得半導(dǎo)體業(yè)戰(zhàn)火重燃,尤其是以Fi
          • 關(guān)鍵字: FinFET  半導(dǎo)體制造  

          FinFET引爆投資熱 半導(dǎo)體業(yè)啟動新一輪競賽

          •   半導(dǎo)體業(yè)界已發(fā)展出運(yùn)用FinFET的半導(dǎo)體制造技術(shù),對制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動化、IP與設(shè)計(jì)方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競相加碼研發(fā)以FinFET生產(chǎn)應(yīng)用處理器的技術(shù),促使市場競爭態(tài)勢急速升溫。   過去數(shù)10年來,互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)平面電晶體一直是電子產(chǎn)品的主要建構(gòu)材料,電晶體幾何結(jié)構(gòu)則一代比一代小,因此能開發(fā)出高效能且更便宜的半導(dǎo)體晶片。   然而,電晶體在空間上的線性微縮已達(dá)極限,電晶體縮小到20奈米(nm)以下,會降低通道閘極控制效果,造成汲極(Dr
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  FinFET  

          專家聚首談FinFET趨勢下3D工藝升級挑戰(zhàn)

          •   日前,SeMind舉辦了圓桌論壇,邀請半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造的專家齊聚一堂,共同探討未來晶體管、工藝和制造方面的挑戰(zhàn),專家包括GLOBALFOUNDRIES的高級技術(shù)架構(gòu)副總裁Kengeri SUBRAMANI ,Soitec公司首席技術(shù)官Carlos Mazure,Intermolecular半導(dǎo)體事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。   SMD :從你們的角度來看,工藝升級短期內(nèi)的挑戰(zhàn)是什么?   Kengeri :眼下,我們正在談?wù)摰?8nm到2
          • 關(guān)鍵字: FinFET  3D  

          爭搶1xnm代工商機(jī) 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程

          •   鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機(jī),臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù),并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略,預(yù)計(jì)將于2014~2015年陸續(xù)投入量產(chǎn),讓晶圓代工市場頓時(shí)硝煙彌漫。   FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機(jī),并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢,臺積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術(shù),并已將開戰(zhàn)時(shí)刻設(shè)定于2014?2015年;同時(shí)也各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略,期抗衡英特爾和三星
          • 關(guān)鍵字: FinFET  晶圓  

          英盛德:FinFET技術(shù)日趨盛行 利益前景可觀

          •   英格蘭錫爾--(美國商業(yè)資訊)--世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到芯片集成電路設(shè)計(jì)咨詢公司之一的英盛德認(rèn)為,F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為集成電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn),因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受益。   工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說:“最近,在德州召開的設(shè)計(jì)自動化大會(Design Automation Conference)上,展廳中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣,我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費(fèi)、電腦和圖形行業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&md
          • 關(guān)鍵字: 集成電路設(shè)計(jì)  FinFET  

          英盛德:FinFET技術(shù)日盛 前景可觀

          •   根據(jù)美國商業(yè)資訊報(bào)導(dǎo),世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到晶片積體電路設(shè)計(jì)顧問公司之一的英盛德(Sondrel)認(rèn)為,F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn),因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受惠。   工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說:「最近,在德州召開的設(shè)計(jì)自動化大會(Design Automation Conference)上,展場中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣,我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費(fèi)、電腦和圖形產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&mdash
          • 關(guān)鍵字: Sondrel  FinFET  

          晶圓廠的FinFET混搭制程競賽

          •   一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式,加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預(yù)計(jì)在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米后段金屬導(dǎo)線制程的方式達(dá) 成試量產(chǎn)目標(biāo);而臺積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代,初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù),足見此設(shè)計(jì)方式已成為晶圓廠進(jìn)入 FinFET世代的共通策略。   聯(lián)華電子市場行銷處處長黃克勤提到,各家廠商在16/
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  FinFET  
          共137條 8/10 |‹ « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 »

          finfet介紹

          FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor;FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管,閘長已可小于25奈米,未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9奈米,約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導(dǎo)體技術(shù)上的突破,未來芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊売?jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細(xì) ]

          熱門主題

          Finfet    樹莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();