finfet 文章 進(jìn)入finfet技術(shù)社區(qū)
縮短開發(fā)時(shí)程 晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程
- 一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后段金屬導(dǎo)線制程的方式達(dá)成試量產(chǎn)目標(biāo);而臺(tái)積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù)，足見此設(shè)計(jì)方式已成為晶圓廠進(jìn)入FinFET世代的共通策略。 聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷處處長(zhǎng)黃克勤提到，各家廠商在16/14奈
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FinFET改變戰(zhàn)局 臺(tái)積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel
- 晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈，因此臺(tái)積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)供應(yīng)商等合作夥伴的力量，強(qiáng)化在FinFET市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。 臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀提到，今年臺(tái)積電雖屢創(chuàng)季營(yíng)收新高，但第四季因客戶調(diào)整庫存可能出現(xiàn)微幅下滑的情形。 臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀表示，臺(tái)積電在20奈米(nm)市場(chǎng)仍未看到具威脅性的對(duì)
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里昂喊買臺(tái)積電 先進(jìn)技術(shù)2015年量產(chǎn) 目標(biāo)價(jià)上看140元
- 里昂證券出具報(bào)告表示，看好臺(tái)積電(2330-TW)先進(jìn)技術(shù)2015年量產(chǎn)，將可供應(yīng)20奈米設(shè)備和16奈米FinFET制程，預(yù)估其資本支出將再2014年達(dá)到高峰，雖然近期密集產(chǎn)能擴(kuò)張，但2015年將會(huì)衰退10%，考量現(xiàn)金流和回報(bào)率，給予買進(jìn)，并將目標(biāo)價(jià)從126元上調(diào)140元。 FinFET制程部分，里昂證券指出，F(xiàn)inFET技術(shù)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在解決轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米瓶頸的相關(guān)技術(shù)，結(jié)構(gòu)性改變將使封裝具有更好效能和較低耗電量，臺(tái)積電預(yù)計(jì)在2015年前，積極搶進(jìn)16奈米FinFET晶片制造 里昂證券也指
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ARM與臺(tái)積電達(dá)成FinFET技術(shù)合作里程碑
- ARM 與晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)共同宣布，完成首件采用 FinFET 制程技術(shù)生產(chǎn)的 ARM Cortex-A57 處理器產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案(tape-out)。Cortex-A57 處理器為能進(jìn)一步提升未來行動(dòng)與企業(yè)運(yùn)算產(chǎn)品的效能，包括高階電腦、平板電腦與伺服器等具備高度運(yùn)算應(yīng)用的產(chǎn)品，此次合作展現(xiàn)了雙方在臺(tái)積公司FinFET制程技術(shù)上，共同優(yōu)化64位元ARMv8處理器系列產(chǎn)品所締造的全新里程碑。 藉由 ARM Artisan 實(shí)體IP、臺(tái)積電記憶體巨集以及開放創(chuàng)新平臺(tái)(Open Innov
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三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片
- 亮點(diǎn)： 該里程碑有助于加速對(duì)FinFET技術(shù)的采用，以實(shí)現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC) 該合作為3D器件建模和物理設(shè)計(jì)規(guī)則支持奠定了基礎(chǔ) 測(cè)試芯片驗(yàn)證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲(chǔ)器的成功采用 為芯片和電子系統(tǒng)加速創(chuàng)新提供軟件、知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)及服務(wù)的全球性領(lǐng)先供應(yīng)商新思科技公司(Synopsys, Inc.， 納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：SNPS)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)關(guān)鍵
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三星領(lǐng)先臺(tái)積 14納米進(jìn)化
- 三星21日宣布成功試產(chǎn)第1顆導(dǎo)入3D 鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的14納米測(cè)試芯片，進(jìn)度領(lǐng)先臺(tái)積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢(shì)已定下，三星力拚臺(tái)積電的野心只增不減。 韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(dǎo)(Mentor)與新思(Synopsis)共同合作，成功試產(chǎn)出旗下第1顆采用FinFET技術(shù)的14納米測(cè)試芯片。 三星系統(tǒng)芯片部門主管表示，14納米FinFET制程技術(shù)可提升電子裝置效能并降低耗電量，進(jìn)一步改善行動(dòng)環(huán)境，這也是IBM之后，第2家搭載安謀處理器架構(gòu)
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ASM：邁入FinFET將需要全方位ALD方案
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在轉(zhuǎn)換到3D結(jié)構(gòu)，進(jìn)而導(dǎo)致關(guān)鍵薄膜層對(duì)高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過去在平面元件中雖可使用幾個(gè) PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點(diǎn)而言，過渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。 就 FinFET 而言，以其尺寸及控制關(guān)鍵元件參數(shù)對(duì)后閘極 (gate last) 處理的需求來說，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 層。半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASM International (ASMI) 針對(duì)此一趨勢(shì)，與《電子工程專輯》談到了ALD 技術(shù)在先進(jìn)半導(dǎo)
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導(dǎo)入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相
- 聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。 聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，14nmFinFET制程技術(shù)將會(huì)是聯(lián)電切入未來次世代通訊運(yùn)算市場(chǎng)的最佳利器。 聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過程中，勢(shì)必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)，而此
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Cortex-A50的希望：14nm ARM成功流片
- 電子設(shè)計(jì)企業(yè)Cadence Design Systems, Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶體管技術(shù)，已經(jīng)成功流片了14nm工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗(yàn)芯片。 ? Cadence、ARM、IBM三者之間已經(jīng)達(dá)成了多年的合作協(xié)議 Cadence、ARM、IBM三者之間已經(jīng)達(dá)成了多年的合作協(xié)議，共同開發(fā)14nm以及更先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，14nm芯片和生態(tài)系統(tǒng)就是三方合作的一個(gè)重要里程碑。 這次的試驗(yàn)芯片主要是用來對(duì)14nm工藝設(shè)計(jì)IP的
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臺(tái)積電擬攜ARM V8進(jìn)軍16nm FinFET
- 臺(tái)積電在本周二(10月16日)的年度大會(huì)中，宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發(fā)展藍(lán)圖。臺(tái)積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測(cè)試16nm FinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測(cè)試晶片。 臺(tái)積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nm FinFET的雙重圖形技術(shù)對(duì)晶片設(shè)計(jì)人員帶來了極大挑戰(zhàn)。臺(tái)積電的發(fā)展藍(lán)圖大致與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Globalfoundries 類似，都希望能在明年啟動(dòng)20nm制程，2014開始14nm FinFET制程。 臺(tái)積電的目標(biāo)提前在
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GLOBALFOUNDRIES: 14nm準(zhǔn)備好了嗎?
- 日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù)，其全球銷售和市場(chǎng)營(yíng)銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對(duì)有關(guān)問題進(jìn)行了解讀。 XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)構(gòu)，它真正為移動(dòng)系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)設(shè)計(jì)做了優(yōu)化，能提供從晶體管到系統(tǒng)級(jí)的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節(jié)點(diǎn)的二維平面晶體管相比，該技術(shù)可望實(shí)現(xiàn)電池功耗效率提升 40%~60%。 Noonen表示：“201
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finfet介紹
FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管，閘長(zhǎng)已可小于25奈米，未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導(dǎo)體技術(shù)上的突破，未來芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊?jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場(chǎng)效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細(xì) ]
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