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實驗13：JK觸發(fā)器
- 實驗目的（1）熟悉和掌握FPGA開發(fā)流程和Lattice Diamond軟件使用方法；（2）通過實驗理解和掌握JK觸發(fā)器原理；（3）學習用Verilog HDL語言行為機描述方法描述JK觸發(fā)器電路。實驗任務(wù)本實驗的任務(wù)是設(shè)計一個JK觸發(fā)器實驗原理帶使能端RS鎖存器的輸入端R=S=1時，鎖存器的次態(tài)不確定，這一因素限制了其應(yīng)用。為了解決這個問題，根據(jù)雙穩(wěn)態(tài)元件兩個輸出端互補的特點，用Q和非Q反饋控制輸入信號，并用J代替S,用K代替R,構(gòu)成了J-K鎖存器。Verilog HDL建模描述用行為級描述實現(xiàn)的帶異步
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實驗12：邊沿觸發(fā)的D觸發(fā)器
- 實驗目的（1）熟悉和掌握FPGA開發(fā)流程和Lattice Diamond軟件使用方法；（2）通過實驗理解和掌握D觸發(fā)器原理；（3）學習用Verilog HDL語言行為機描述方法描述D觸發(fā)器電路。實驗任務(wù)本實驗的任務(wù)是描述一個帶有邊沿觸發(fā)的同步D觸發(fā)器電路，并通過STEP FPGA開發(fā)板的12MHz晶振作為觸發(fā)器時鐘信號clk，撥碼開關(guān)的狀態(tài)作為觸發(fā)器輸入信號d，觸發(fā)器的輸出信號q和~q，用來分別驅(qū)動開發(fā)板上的LED，在clk上升沿的驅(qū)動下，當撥碼開關(guān)狀態(tài)變化時LED狀態(tài)發(fā)生相應(yīng)變化。實驗原理從D觸發(fā)器的特
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實驗11：RS觸發(fā)器
- 實驗目的（1）熟悉和掌握FPGA開發(fā)流程和Lattice Diamond軟件使用方法；（2）通過實驗理解和掌握RS觸發(fā)器原理；（3）學習用Verilog HDL語言行為級描述方法描述RS觸發(fā)器電路。實驗任務(wù)本實驗的任務(wù)是描述一個RS觸發(fā)器電路，并通過STEP FPGA開發(fā)板的12MHz晶振作為觸發(fā)器時鐘信號clk，撥碼開關(guān)的狀態(tài)作為觸發(fā)器輸入信號S,R，觸發(fā)器的輸出信號Q和非Q，用來分別驅(qū)動開發(fā)板上的LED，在clk上升沿的驅(qū)動下，當撥碼開關(guān)狀態(tài)變化時LED狀態(tài)發(fā)生相應(yīng)變化。實驗原理基本RS觸發(fā)器可以由兩
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實驗10：七段數(shù)碼管
- 1. 實驗目的（1）熟悉和掌握FPGA開發(fā)流程和Lattice Diamond軟件使用方法；（2）通過實驗理解和掌握數(shù)碼管驅(qū)動；（3）學習用Verilog HDL描述數(shù)碼管驅(qū)動電路。2. 實驗任務(wù)在數(shù)碼管上顯示數(shù)字。3. 實驗原理數(shù)碼管是工程設(shè)計中使用很廣的一種顯示輸出器件。一個7段數(shù)碼管（如果包括右下的小點可以認為是8段）分別由a、b、c、d、e、f、g位段和表示小數(shù)點的dp位段組成。實際是由8個LED燈組成的，控制每個LED的點亮或熄滅實現(xiàn)數(shù)字顯示。通常數(shù)碼管分為共陽極數(shù)碼管和共陰極數(shù)碼管，結(jié)構(gòu)如下圖
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Microchip FPGA采用量身定制的PolarFire FPGA和SoC解決方案協(xié)議棧
- 為智能邊緣設(shè)計系統(tǒng)正面臨前所未有的困難。市場窗口在縮小，新設(shè)計的成本和風險在上升，溫度限制和可靠性成為雙重優(yōu)先事項，而對全生命周期安全性的需求也在不斷增長。要滿足這些同時出現(xiàn)的需求，需要即時掌握特殊技術(shù)和垂直市場的專業(yè)知識。沒有時間從頭開始。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布在其不斷增長的中端FPGA和片上系統(tǒng)（SoC）支持系列產(chǎn)品中增加了九個新的技術(shù)和特定應(yīng)用解決方案協(xié)議棧，涵蓋工業(yè)邊緣、智能嵌入式視覺和邊緣通信。Microchip FPGA業(yè)務(wù)部戰(zhàn)略副總裁S
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英特爾計劃將可編程解決方案事業(yè)部作為獨立業(yè)務(wù)運營
- 英特爾公司宣布計劃拆分旗下的可編程解決方案事業(yè)部（PSG），將其作為獨立業(yè)務(wù)運營。這一決定將賦予PSG所需的自主性和靈活性，以全面加速其發(fā)展，并更有力地參與FPGA行業(yè)的競爭，并廣泛服務(wù)于包括數(shù)據(jù)中心、通信、工業(yè)、汽車和航空航天等領(lǐng)域在內(nèi)的多個市場。英特爾還宣布，英特爾執(zhí)行副總裁Sandra Rivera將擔任PSG部門的首席執(zhí)行官，同時Shannon Poulin將擔任首席運營官。在英特爾的持續(xù)支持下，PSG部門的獨立運營預計將于2024年1月1日開始。英特爾預計在發(fā)布2024年第一季度財報時，將PSG
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消息稱三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價格
- 10 月 6 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報道，三星內(nèi)部認為目前 NAND Flash 供應(yīng)價格過低，公司計劃今年四季度起，調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價格，漲幅在 10% 以上，預計最快本月新合約便將采用新價格?！?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來，三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略，IT之家此前曾報道，三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%，最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量，眼下正試圖推動
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AMD Kria K24 SOM加速工業(yè)及商業(yè)電機控制應(yīng)用創(chuàng)新
- 電機控制系統(tǒng)無處不在，據(jù)統(tǒng)計電機控制消耗了全球工業(yè)能源總用量的70%。隨著電機系統(tǒng)變得更加精密復雜，提供各種速度能力，并且越來越多采用新材料設(shè)計，包括碳化硅和氮化鎵來提升效率與性能，同時還能夠降低能耗。新的現(xiàn)代電機需要先進的電機驅(qū)動系統(tǒng)來控制這些電機，這樣才能使其扭矩、速度以及應(yīng)變速達到最大，同時還能使能耗降到最低。電機驅(qū)動系統(tǒng)主要是有三個要素，第一是驅(qū)動器，第二是供電部分，第三是電機本身。因此專家也表示，提高電機的效率將對全球用電量產(chǎn)生顯著的積極影響。提高這些應(yīng)用的效率夠使能耗降低15%到40%。所以，
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英特爾宣布分拆FPGA業(yè)務(wù)，目標2-3年后獨立IPO！
- 英特爾今天通過官網(wǎng)正式宣布，將負責開發(fā)英特爾的 Agilex、Stratix 和其他 FPGA 產(chǎn)品的可編程解決方案部門（PSG）剝離，作為獨立業(yè)務(wù)運營，目標是在兩到三年后 IPO中出售部分業(yè)務(wù)。英特爾宣布將PSG獨立，并推向IPO2015年5月底，英特爾宣布以167億美元完成了對Altera的收購，成為了其后來的PSG部門，這也是英特爾史上規(guī)模最大的一筆收購。Altera在20年前發(fā)明了世界上第一個可編程邏輯器件，尤以FPGA芯片著稱。隨后在2020年，英特爾的競爭對手AMD也宣布以350億美元的估值收
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集邦咨詢：2023Q4 NAND 價格預估增長 3-8%，DRAM 要開啟增長周期
- IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn)，預估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損，2023 年以來已經(jīng)進行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
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打造強大產(chǎn)品陣容,英特爾FPGA產(chǎn)品系列再添新成員
- 為滿足客戶不斷增長的需求，英特爾近日宣布將進一步擴大英特爾Agilex? FPGA產(chǎn)品系列的陣容，并繼續(xù)擴展可編程解決方案事業(yè)部（PSG）的產(chǎn)品供應(yīng)范圍，以滿足日益增長的定制化工作負載（包括增強的AI功能）的需求，同時提供更低的總體擁有成本（TCO）和更完整的解決方案。在9月18日的英特爾FPGA技術(shù)日（IFTD）期間，英特爾將重點介紹這些新產(chǎn)品和技術(shù)，屆時硬件工程師、軟件開發(fā)人員和系統(tǒng)架構(gòu)師將與英特爾及合作伙伴專家進行深入交流和互動。?“今年1月，我們宣布對Agilex產(chǎn)品系列進行擴容，以便讓
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第二季NAND Flash營收環(huán)比增長7.4%，預期第三季將成長逾3%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第二季NAND Flash市場需求仍低迷，供過于求態(tài)勢延續(xù)，使NAND Flash第二季平均銷售單價（ASP）續(xù)跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長達19.9%，合計第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長7.4%，營收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產(chǎn)行列，且預期第三季將擴大減產(chǎn)幅度，供給收斂的同時也在醞釀漲價，供過于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過，由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應(yīng)商家數(shù)多，在庫存仍高的情
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NAND Flash第四季價格有望止跌回升
- 近日，三星（Samsung）為應(yīng)對需求持續(xù)減弱，宣布9月起擴大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，其他供應(yīng)商預計也將跟進擴大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫存去化速度，預估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲，漲幅預估約0~5%。價格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢預測，NAND Flash價格反彈會早于DRAM，由于NAND Flash供應(yīng)商虧損持續(xù)擴大，銷售價格皆已接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商為了維持營運而選擇擴大減產(chǎn)，以期帶動價
- 關(guān)鍵字： NAND Flash Wafer TrendForce
行業(yè)庫存情況如何？國內(nèi)一存儲廠商回應(yīng)
- 近日，存儲器芯片供應(yīng)商普冉股份披露投資者關(guān)系活動記錄表。關(guān)于NOR Flash行業(yè)庫存情況，普冉股份表示，NOR Flash終端客戶的原廠庫存以及渠道庫存已經(jīng)幾近健康，設(shè)計原廠的庫存調(diào)整也逐步接近尾聲。接下來一段時間，各廠商依然會采取適當?shù)慕祪r策略去化庫存。但隨著行業(yè)庫存逐步健康，行業(yè)格局逐步出清，預計下半年會持續(xù)向好，價格也會逐步回歸平穩(wěn)態(tài)勢，公司將密切關(guān)注后續(xù)市場走勢。普冉股份強調(diào)，公司將積極地進行戰(zhàn)略盤整，持續(xù)調(diào)整以應(yīng)對市場的迅速變化。面對激烈的行業(yè)競爭格局，機遇與挑戰(zhàn)并存，公司會充分發(fā)揮公司的
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