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兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)
- 近日,?業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布,其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)?!爸袊?guó)芯”獎(jiǎng)項(xiàng)是目前國(guó)內(nèi)最具權(quán)威性與影響力的獎(jiǎng)項(xiàng)之一,本屆共有125家芯片企業(yè)、累計(jì)187款芯片產(chǎn)品參與報(bào)名,基本涵蓋國(guó)內(nèi)最具實(shí)力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品,是國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
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NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場(chǎng)暗潮洶涌 各家布局蓄勢(shì)待發(fā)
- 受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn),NAND Flash價(jià)格調(diào)漲從7月開(kāi)始顯現(xiàn),而國(guó)際大廠之間的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)更是暗潮洶涌。
- 關(guān)鍵字: 三星電子 東芝存儲(chǔ)器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND
停電余威沖擊NAND Flash出貨 價(jià)格維持小跌
- 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外,市場(chǎng)傳出存儲(chǔ)器大廠東芝存儲(chǔ)器(TMC)當(dāng)?shù)貭I(yíng)運(yùn)的5座 NAND Flash工廠的營(yíng)運(yùn)中斷,盡管東芝存儲(chǔ)器尚未對(duì)外說(shuō)明影響,但據(jù)傳出,合作投資的威騰(WD)已通知客戶(hù)可能無(wú)法按照原定時(shí)程出貨。
- 關(guān)鍵字: ?威騰 東芝存儲(chǔ)器 NAND Flash
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)很重要,這塊把錢(qián)省不掉?
- 多日后,當(dāng)李工在領(lǐng)導(dǎo)面前拍著桌子指責(zé)我的時(shí)候,我才知道,原來(lái)我倆在項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
- 關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) EEPROM Flash
2019年全球Flash支出達(dá)260億美元 連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出
- 盡管隨著主要存儲(chǔ)器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)量擴(kuò)增計(jì)劃,2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會(huì)大幅下滑,但該支出金額仍然會(huì)繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出?! CInsights最新資料顯示,2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元,低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元?!?/li>
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美光行使認(rèn)購(gòu)期權(quán),收購(gòu)在IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份
- 美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布公司正在行使其認(rèn)購(gòu)期權(quán),收購(gòu)英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡(jiǎn)稱(chēng)“IM Flash”) 中的權(quán)益。2018 年 10 月 18 日,美光宣布了其行使期權(quán)的意向?! 笆召?gòu) IM Flash 將使美光加速研發(fā)進(jìn)程,并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計(jì)劃,”美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 說(shuō)?!蔼q他州的工廠將幫助我們提升生產(chǎn)制造柔性,配備高技術(shù)型人才隊(duì)伍,以推動(dòng) 3D Xpo
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H-Jtag V1.0 燒寫(xiě)NOR Flash
- H-Jtag V1.0 燒寫(xiě)NOR Flash
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DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)知多少?
- 數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備,通過(guò)CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了D
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ARM平臺(tái)數(shù)據(jù)為何會(huì)莫名其妙丟失
- Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲(chǔ)器,為固態(tài)大容量存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲(chǔ)器具有容量大,改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而越來(lái)越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲(chǔ)資料庫(kù)等業(yè)界各領(lǐng)域?! ?nbsp; 圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲(chǔ)器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象,是一個(gè)讓無(wú)數(shù)工程師毛骨悚然的
- 關(guān)鍵字: Nand-Flash eMMC
STM32的flash知識(shí)詳解
- 說(shuō)到STM32的flash,我們的第一反應(yīng)是用來(lái)裝程序的,實(shí)際上,STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來(lái)裝程序,還用來(lái)裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然, FLASH還可以用來(lái)裝數(shù)據(jù)。 FLASH分類(lèi) 根據(jù)用途,STM32片內(nèi)的FLASH分成兩部分:主存儲(chǔ)塊、信息塊。 主存儲(chǔ)塊用于存儲(chǔ)程序,我們寫(xiě)的程序一般存儲(chǔ)在這里。 信息塊又分成兩部分:系統(tǒng)存儲(chǔ)器、選項(xiàng)字節(jié)。 系統(tǒng)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)用于存放在系統(tǒng)存儲(chǔ)器自舉模式下的啟動(dòng)程序(BootLoader),當(dāng)使用ISP方
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flash介紹
閃存(Flash ROM):
是一種電擦除非易失型存儲(chǔ)器,由浮柵型場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成,寫(xiě)入時(shí),利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時(shí),則利用高壓下的隧道效應(yīng),使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù),內(nèi)部是相對(duì)靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快,價(jià)格下降也很快,這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。
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