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均價(jià)跌幅擴(kuò)大，2022年第四季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌25%
- TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫(kù)存加以應(yīng)對(duì)，此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約23~28%。在原廠積極降價(jià)求量的同時(shí)，客戶為避免零部件庫(kù)存再攀高，備貨態(tài)度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長(zhǎng)僅5.3%，平均銷售單價(jià)環(huán)比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比下跌25.0%，達(dá)
- 關(guān)鍵字： 集邦 NAND Flash
NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成
- 消費(fèi)性固態(tài)硬盤（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(zhǎng)的要角，市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)估，2022年消費(fèi)性SSD在筆電的滲透率達(dá)92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場(chǎng)，加上總經(jīng)不佳導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求急凍，未來消費(fèi)性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長(zhǎng)受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費(fèi)性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費(fèi)性SSD在近期迅速跌價(jià)后，已與半年前256GB報(bào)價(jià)相近，甚至
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 在現(xiàn)代電子設(shè)備中，越來越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來進(jìn)行大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點(diǎn)，需要識(shí)別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對(duì)壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設(shè)計(jì)方法，利用FPGA中RAM模塊，設(shè)計(jì)了狀態(tài)機(jī)電路，靈活地實(shí)現(xiàn)壞塊表的建立、儲(chǔ)存和管理，并且對(duì)該設(shè)計(jì)進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證。
- 關(guān)鍵字： NAND FLASH FPGA 壞塊 壞塊檢測(cè) 202212
集邦：第四季NAND Flash價(jià)格續(xù)跌15～20％
- 根據(jù)集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過于求，下半年起買方著重去化庫(kù)存而大幅減少采購(gòu)量，賣方開出破盤價(jià)以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價(jià)格跌幅達(dá)30～35％，但各類NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱，原廠庫(kù)存因此急速上升，預(yù)期將導(dǎo)致第四季NAND Flash總體平均價(jià)格跌幅擴(kuò)大至15～20％。集邦表示，因?yàn)樾枨蟮兔詫?dǎo)致NAND Flash下半年價(jià)格大跌，多數(shù)原廠的NAND Flash產(chǎn)品銷售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運(yùn)營(yíng)陷入虧損的壓力下，對(duì)于采取減產(chǎn)以降低虧
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應(yīng)需而生！兆易創(chuàng)新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品系列
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數(shù)據(jù)傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關(guān)鍵性能指標(biāo)上均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，在針對(duì)智能可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測(cè)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備或其它單電池供電的應(yīng)用中，能顯著降低運(yùn)行功耗，有效延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。 隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，新一代智能可穿戴設(shè)備需要擁有更豐富的功能來滿足消費(fèi)者的需求，這種空間敏感型產(chǎn)品對(duì)系統(tǒng)功耗提出了更嚴(yán)苛的要求，希
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兆易創(chuàng)新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列問世
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝，最大厚度僅為0.4mm，在如此緊湊、輕薄的空間內(nèi)，其功耗、電壓范圍等方面均實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步提升，為消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監(jiān)測(cè)設(shè)備等對(duì)電池壽命和緊湊型設(shè)計(jì)有著嚴(yán)苛需求的應(yīng)用提供了理想選擇。 如今，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術(shù)的不斷迭代，在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池
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累計(jì)出貨190億顆！兆易創(chuàng)新NOR閃存高居全球第三
- 在國(guó)產(chǎn)化Flash閃存領(lǐng)域，NAND閃存的領(lǐng)軍當(dāng)屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)，NOR閃存的代表則是兆易創(chuàng)新?！ ?月30日，兆易創(chuàng)新官方宣布，旗下Flash閃存產(chǎn)品累計(jì)出貨量已經(jīng)超過190億顆，其中NOR閃存的市場(chǎng)份額更是排名全球前三。 兆易創(chuàng)新還透露，正在在超低功耗、超小封裝等技術(shù)工藝上持續(xù)打磨產(chǎn)品，比如采用WLCSP超小封裝的NOR閃存產(chǎn)品已經(jīng)上市，可大大縮減系統(tǒng)PCB面積；比如主打超低功耗的1.2V NOR產(chǎn)品即將面世，可顯著延長(zhǎng)電池壽命?！ OR閃存可廣泛用于智能手表、智能手環(huán)、無線耳機(jī)、XR眼鏡/頭顯等智能穿
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2022年Nor Flash產(chǎn)值將增長(zhǎng)21%至35億美元
- Nor Flash在2021年僅占整體閃存市場(chǎng)總額的4%，但Nor Flash產(chǎn)品的銷售額飆升63%至29億美元，Nor Flash出貨量增長(zhǎng)了33%，平均售價(jià)則上漲23%。預(yù)計(jì)Nor Flash市場(chǎng)將在2022年再增長(zhǎng)21%至35億美元。 Nor Flash市場(chǎng)由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導(dǎo)，市占率共達(dá)91%。 去年華邦電Nor Flash銷售額達(dá)10億美元，市占率以35%居冠。華邦電從2011年來，采用58納米制程生產(chǎn)大多數(shù)的NOR產(chǎn)品，但2021年大多數(shù)已轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程。
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鎧俠為實(shí)現(xiàn)超高容量SSD，正試驗(yàn)7bit/cell超高密度的3D NAND Flash
- NAND Flash制造商一直試圖通過增加每個(gè)單元存儲(chǔ)的位數(shù)來提高其存儲(chǔ)設(shè)備的存儲(chǔ)密度，據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，近日鎧俠表示，公司一直在試驗(yàn)在一個(gè)單元中存儲(chǔ)更多比特?cái)?shù)的NAND Flash閃存。據(jù)報(bào)道，近日鎧俠表示，已設(shè)法在每個(gè)單元中存儲(chǔ)7 Bits (7 bpc)，盡管是在實(shí)驗(yàn)室和低溫的條件下。 為了使存儲(chǔ)密度更高，存儲(chǔ)電壓狀態(tài)的數(shù)量將隨著每個(gè)單元存儲(chǔ)Bits的增加呈指數(shù)增長(zhǎng)。例如，要存儲(chǔ)4位，單元必須保持16個(gè)電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數(shù)字會(huì)增長(zhǎng)到64(2^6)。而鎧俠實(shí)現(xiàn)的每個(gè)單元
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盈利能力大增，估值較低的存儲(chǔ)龍頭被看好？
- 5月30日兆易創(chuàng)新宣布，公司Flash產(chǎn)品累計(jì)出貨量已超過190億顆，年出貨量超過28億顆，目前兆易創(chuàng)新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國(guó)第一，全球第三，2020年兆易創(chuàng)新NOR Flash產(chǎn)品市場(chǎng)份額達(dá)到17.8%。除了NOR Flash存儲(chǔ)芯片，兆易創(chuàng)新業(yè)務(wù)還包括DRAM存儲(chǔ)芯片以及存儲(chǔ)器和MCU，在過去一段時(shí)間行業(yè)普遍缺芯的背景下，兆易創(chuàng)新的營(yíng)收與凈利潤(rùn)均實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)，2021年和2022年一季度公司營(yíng)收分別增長(zhǎng)89.25%和165.33%，歸母凈利潤(rùn)分別增長(zhǎng)39.25%和127.65%。目前芯片行
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2022年NOR Flash產(chǎn)值將成長(zhǎng)21%至35億美元
- 據(jù)IC Insights周二在《 The McClean Report 2022 》更新的數(shù)據(jù)顯示， NOR Flash在2021年僅占整體閃存市場(chǎng)總額的4%，但NOR Flash產(chǎn)品的銷售額飆升63%至29億美元， NOR Flash 出貨量增長(zhǎng)了33%，平均售價(jià)則上漲23%。機(jī)構(gòu)樂觀預(yù)計(jì)NOR Flash市場(chǎng)將在2022年再增長(zhǎng)21%至35億美元。NOR Flash市場(chǎng)由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導(dǎo)，市占率共達(dá) 91%。該機(jī)構(gòu)指出，去年華邦電NOR Flash銷售額達(dá)10億美元，市占率以35%居
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兆易創(chuàng)新：MCU只是個(gè)“過渡故事”
- A股市場(chǎng)向來熱衷炒作預(yù)期。投資者樂于為概念買單，愿意給一家公司提前多年的估值。國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)龍頭兆易創(chuàng)新(SH:603986)，就曾是一個(gè)被預(yù)期打滿的例子。2020年初，兆易創(chuàng)新市值一度突破1200億。然而19年和20年，它才只有25億和38億營(yíng)收。過度估值的結(jié)果就是，當(dāng)抱團(tuán)瓦解，兩年之內(nèi)兆易創(chuàng)新股價(jià)經(jīng)歷三次大起大落。圖片：兆易創(chuàng)新剛到千億市值，到如今 來源：雪球當(dāng)下，作為A股閃存設(shè)計(jì)龍頭的兆易創(chuàng)新，再一次試圖向千億市值發(fā)起了沖擊。這一次，它有什么新故事嗎？01 基本面往事要想看清楚兆易創(chuàng)新的新故事，看清
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2021全球NOR Flash市場(chǎng)：兆易創(chuàng)新銷售額暴增100%，份額升至23.2%
- 6月21日消息，半導(dǎo)體市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布的最新研究報(bào)告指出，2021年NOR Flash市場(chǎng)銷售額雖然僅占整個(gè)Flash市場(chǎng)的銷售額4%，但是2021年NOR Flash的出貨量同比大幅增長(zhǎng)了33%，同時(shí)平均售價(jià)也同比上漲了23%，使得NOR Flash總銷售額同比暴漲了63%，達(dá)到了29億元。根據(jù)IC Insights的預(yù)測(cè)， 2022年NOR Flash市場(chǎng)還將繼續(xù)增長(zhǎng) 21%，使得總銷售金額達(dá)到35億美元的新高，這也將頭部的NOR Flash大廠直接受益。數(shù)據(jù)顯示，華邦電子、旺宏
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國(guó)際巨頭把控全球存儲(chǔ)市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)如何破局
- 根據(jù)斷電之后數(shù)據(jù)是否依舊被保存對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)行劃分，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩大類。我們熟知的RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）屬于易失性存儲(chǔ)器，其中RAM又可分為DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）與SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。而ROM（只讀存儲(chǔ)器）和FLASH（閃存）則屬于非易失性存儲(chǔ)器，即斷電之后存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)仍然能被保存的存儲(chǔ)設(shè)備。據(jù)IC Insights預(yù)測(cè)，2022年、2023年全球存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)到1804億和2196億美元，市場(chǎng)成長(zhǎng)空間廣闊。但在全球的存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，市
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汽車缺芯帶來確定性上漲，智能駕駛與物聯(lián)網(wǎng)驅(qū)動(dòng)兆易創(chuàng)新活力
- 作為國(guó)內(nèi) MCU 產(chǎn)商的領(lǐng)先公司，兆易創(chuàng)新將直接受益于 MCU 國(guó)產(chǎn)化，強(qiáng)化其領(lǐng)先地位，擴(kuò)寬其成長(zhǎng)潛力。全球汽車缺芯帶來公司估值的上漲，智能駕駛與物聯(lián)網(wǎng)帶來全新的創(chuàng)新方向，國(guó)產(chǎn)化擴(kuò)寬公司的成長(zhǎng)潛力。1. 確定性與創(chuàng)新性是公司估值擴(kuò)張最有力的保障半導(dǎo)體行業(yè)庫(kù)存結(jié)構(gòu)性緊張帶來確定性的估值上漲。半導(dǎo)體存貨緊張引起供應(yīng)不足，帶來市場(chǎng)的高景氣。汽車電子市場(chǎng)需求旺盛，產(chǎn)業(yè)鏈沖擊的持續(xù)與消費(fèi)電子等芯片市場(chǎng)產(chǎn)能擠壓共同影響，汽車芯片產(chǎn)能釋放不及時(shí)，存貨市場(chǎng)將帶來公司估值確定性擴(kuò)張。圍繞最具活力的創(chuàng)新性方向擴(kuò)張其估值。創(chuàng)新
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flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲(chǔ)器，由浮柵型場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，寫入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù)，內(nèi)部是相對(duì)靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。
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