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TI：運(yùn)用GaN技術(shù)可提升數(shù)據(jù)中心的能源效率

德州儀器(TI)副總裁暨臺(tái)灣、韓國(guó)與南亞總裁李原榮，26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵（GaN）技術(shù)的潛力，以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數(shù)據(jù)中心正在擴(kuò)建 – 以氮化鎵技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高效率」為題，分享設(shè)計(jì)工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數(shù)據(jù)中心達(dá)成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示，隨著各產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者期盼透過(guò)數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，從而也提高了運(yùn)算能力的需求，TI希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力，以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。他也強(qiáng)調(diào)，
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學(xué)貫中西(7):介紹生成對(duì)抗網(wǎng)路(GAN)

1? ?GAN與NFT的結(jié)合在上一期里，我們說(shuō)明了天字第一號(hào)模型：分類器。接著本期就來(lái)看看它的一項(xiàng)有趣應(yīng)用：GAN(generative adversarial networks，生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò))。自從2014 年問(wèn)世以來(lái)，GAN 在電腦生成藝術(shù)(generative art) 領(lǐng)域，就開(kāi)始涌現(xiàn)了許多極具吸引力的創(chuàng)作和貢獻(xiàn)。GAN 如同生成藝術(shù)的科技畫(huà)筆，使用GAN 進(jìn)行創(chuàng)作特別令人振奮，常常創(chuàng)作出很特別的效果，給人們?cè)S多驚喜的感覺(jué)，例如圖1。?圖1近年來(lái)，非同質(zhì)化代幣NFT(
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UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購(gòu))宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能1200V第四代SiC FET

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見(jiàn)于電動(dòng)汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
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UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購(gòu))宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V第四代SiC FET

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見(jiàn)于電動(dòng)汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
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射頻硅基氮化鎵：兩個(gè)世界的最佳選擇

　　當(dāng)世界繼續(xù)努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時(shí)，信息通信技術(shù)的能耗繼續(xù)飆升。這些市場(chǎng)需求不僅將5G帶到許多關(guān)鍵應(yīng)用上，還對(duì)能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡(luò)性能目標(biāo)對(duì)基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件提出了一系列新的要求，增加了對(duì)高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規(guī)模MIMO（mMIMO）系統(tǒng)的推動(dòng)下，基站無(wú)線電中的半導(dǎo)體器件數(shù)量急劇增加，移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商在降低資本支出和運(yùn)營(yíng)支出方面面臨的壓力更加嚴(yán)峻。因此，限制設(shè)備成本和功耗對(duì)于高效5G網(wǎng)絡(luò)的安裝和
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從手機(jī)快充到電動(dòng)汽車，氮化鎵功率半導(dǎo)體潛力無(wú)限

　　近期，蘋果“爆料大神”郭明錤透露，蘋果可能年某個(gè)時(shí)候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充，同時(shí)采用新的外觀設(shè)計(jì)?！　∨c三星、小米、OPPO等廠商積極發(fā)力氮化鎵快充產(chǎn)品相比，蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月，伴隨新款MacBook Pro的發(fā)布，蘋果推出了140W USB-C電源適配器（下圖），這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器，售價(jià)729元。圖片來(lái)源：蘋果　　如今，蘋果有望持續(xù)加碼氮化鎵充電器，氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望迎來(lái)高歌猛進(jìn)式發(fā)展。手機(jī)等快充需求上升，氮化鎵功率市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1
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氮化鎵 (GaN) 封裝的諸多挑戰(zhàn)

EETOP編譯整理自techinsights　　在處理氮化鎵（GaN）時(shí)，與硅(Si)相比，還有兩個(gè)額外的考慮因素可以優(yōu)化器件性能?！　∮捎贕aN/AlGaN異質(zhì)結(jié)界面上的二維電子氣體(2DEG)通道，GaN具有快速開(kāi)關(guān)的潛力?！　〉壍膶?dǎo)熱性相對(duì)較差。(在300K時(shí)約1.3W/cm.K，而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅（SiC）為3.7W/cm.K)　　雖然體積熱導(dǎo)率并不明顯低于硅，但請(qǐng)記住更高的電流密度-它被限制在異質(zhì)結(jié)周圍的一個(gè)小區(qū)域。漸進(jìn)式的改進(jìn)　　雖然不理想，但傳統(tǒng)的硅封裝可以而且已
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氮化鎵集成方案如何提高功率密度

　　氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢允沟?0Plus鈦電源、3.8 kW/L電動(dòng)汽車(EV)車載充電器和電動(dòng)汽車(EV)充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)施。在許多具體應(yīng)用中，由于GaN能夠驅(qū)動(dòng)更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了傳統(tǒng)的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能，使得使用GaN元件進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰(zhàn)?！　aN場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強(qiáng)型（e-mode）、共源共柵型(cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的
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意法半導(dǎo)體發(fā)布50W GaN功率變換器，面向高能效消費(fèi)及工業(yè)級(jí)電源設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體 VIPerGaN50能夠簡(jiǎn)化最高50 W的單開(kāi)關(guān)反激式功率變換器設(shè)計(jì)，并集成一個(gè) 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達(dá)到更高水平。VIPerGaN50 采用單開(kāi)關(guān)拓?fù)?，集成很多功能，包括?nèi)置電流采樣和保護(hù)電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內(nèi)部集成的GaN 晶體管可應(yīng)用于高開(kāi)關(guān)頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產(chǎn)品設(shè)計(jì)先進(jìn)的高能效開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)，可顯著減少外圍元器件的數(shù)量。VIPerGaN50 可幫助設(shè)計(jì)人員利用 GaN 寬禁帶
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不只是充電器！99％的人不知道的事實(shí)：氮化鎵技術(shù)竟與5G 相關(guān)

　　過(guò)去的2020年是5G手機(jī)大爆發(fā)的一年。5G手機(jī)無(wú)疑為大家?guī)?lái)了更快的上網(wǎng)體驗(yàn)，更快的下載速度、低延時(shí)，高達(dá)10Gps/s的理論峰值速率，比4G手機(jī)數(shù)據(jù)傳輸提升10倍以上，延時(shí)更是低至1ms，比4G手機(jī)縮短10倍。　　當(dāng)然，5G對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度提升，更強(qiáng)的CPU處理性能也對(duì)手機(jī)的續(xù)航能力提出了更高要求。為此，不少手機(jī)廠商為5G手機(jī)配備更大容量的電池，采用更高的充電功率，并在充電器上引進(jìn)最新的氮化鎵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)在提高充電器功率的同時(shí)，將體積控制得更小巧?！　《@里其實(shí)有一個(gè)有趣的事實(shí)：　　這項(xiàng)為5G手機(jī)帶來(lái)
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氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈全景深度解析

根據(jù)阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布的《2021十大科技趨勢(shì)》預(yù)測(cè)的第一大趨勢(shì)是“以氮化鎵（GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)”。達(dá)摩院指出，近年來(lái)第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)，正在打開(kāi)應(yīng)用市場(chǎng)：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。半導(dǎo)體材料演進(jìn)圖：資料來(lái)源：Yole, 國(guó)盛證券相對(duì)于第一代（硅基）半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體禁帶寬度大，電導(dǎo)率高、熱導(dǎo)率高，其具有臨界擊穿電場(chǎng)高、電子遷移率高、頻率特性好等特點(diǎn)。氮化鎵（GaN）是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料，成為高溫、高頻、大功
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氮化鎵充電器與普通充電器有什么不同，為什么選擇的人特別多？

　　氮化鎵充電器頻繁的出現(xiàn)在我們的視線中，那么氮化鎵充電器與普通充電器有什么不一樣呢？我們一起來(lái)看看?！　〉壥堑玩壍幕衔铮且环N直接能隙的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中氮化鎵材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的
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PI打出芯片組合拳解決家電快充應(yīng)用

　　2022年3月21日Power Integrations宣布推出節(jié)能型HiperLCS?-2芯片組以及集成750V PowiGaN?氮化鎵開(kāi)關(guān)的HiperPFS?-5系列功率因數(shù)校正(PFC)IC?！　?jù)了解，HiperLCS-2雙芯片解決方案由一個(gè)隔離器件和一個(gè)獨(dú)立半橋功率器件組成。其中的隔離器件內(nèi)部集成了高帶寬的LLC控制器、同步整流驅(qū)動(dòng)器和FluxLink?隔離控制鏈路。而獨(dú)立半橋功率器件則采用Power Integrations獨(dú)特的600V FREDFET，具有無(wú)損耗的電流檢測(cè)，同時(shí)集成有上
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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達(dá)8V，非常適用于基地臺(tái)、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺(tái)和數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)低功耗和小型化一般來(lái)說(shuō)，GaN組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實(shí)現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的組件可靠性方面尚存在課題。針對(duì)該課題，RO
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ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達(dá)8V，非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實(shí)現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的器件可靠性方面存在問(wèn)題。針對(duì)這一課題，ROHM的新產(chǎn)品通過(guò)采用自有的結(jié)構(gòu)，成功
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