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UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）為功率設(shè)計(jì)擴(kuò)展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合

移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務(wù)器電源應(yīng)用實(shí)現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強(qiáng)型封裝，為需求最大效率、低傳導(dǎo)損失和高性價比的高功耗應(yīng)用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
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UnitedSiC（現(xiàn)為 Qorvo）針對電源設(shè)計(jì)擴(kuò)展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合

Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項(xiàng)，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務(wù)器電源等快速增長的應(yīng)用量身定制，能夠?yàn)樵跓嵩鰪?qiáng)型封裝中實(shí)現(xiàn)更高效率、低傳導(dǎo)損耗和卓越成本效益的高功率應(yīng)用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
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東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決 GaN 應(yīng)用的痛點(diǎn)

和傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導(dǎo)通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導(dǎo)體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡單來說，GaN 的開關(guān)速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數(shù)極小，開關(guān)速度極高，比較適合高頻應(yīng)用，例如：電動汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉(zhuǎn)換電路、OBC（車載充電）、低功率開關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達(dá)、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
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Transphorm的表面貼裝封裝產(chǎn)品系列增加行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-263 (D2PAK)封裝產(chǎn)品，擴(kuò)大SuperGaN平臺的優(yōu)勢

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴(kuò)充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場效應(yīng)晶體管 (FET)，典型導(dǎo)通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應(yīng)用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過了J
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東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決GaN應(yīng)用痛點(diǎn)

受訪人：黃文源東芝電子元件（上海）有限公司半導(dǎo)體技術(shù)統(tǒng)括部技術(shù)企劃部高級經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　回答：自從半導(dǎo)體產(chǎn)品面世以來，硅一直是半導(dǎo)體世界的代名詞。但是，近些年，隨著化合物半導(dǎo)體的出現(xiàn)，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導(dǎo)體業(yè)界將硅（Si）作為第一代半導(dǎo)體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導(dǎo)體的
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第三代半導(dǎo)體市場的“互補(bǔ)共生”

　　受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統(tǒng)工程營銷組的應(yīng)用經(jīng)理，負(fù)責(zé)工業(yè)和個人電子市場的定制電源設(shè)計(jì)。他的團(tuán)隊(duì)每年負(fù)責(zé)500項(xiàng)設(shè)計(jì)，并在過去20年中設(shè)計(jì)了15000個電源。Robert于2002年加入TI，大部分時間都在擔(dān)任各種應(yīng)用的電源設(shè)計(jì)師。Robert擁有佛羅里達(dá)大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　
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GaN是否具有可靠性？或者說我們能否如此提問？

鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世，電源設(shè)計(jì)人員對硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。事實(shí)上，GaN行業(yè)已經(jīng)在可靠性方面投入了大量精力和時間。而人們對于硅可靠性方面的問題措辭則不同，比如“這是否通過了鑒定？”盡管GaN器件也通過了硅鑒定，但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個合理的觀點(diǎn)，因
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破解SiC、GaN柵極動態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

SiC、GaN 作為最新一代功率半導(dǎo)體器件具有遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時，SiC、GaN極快的開關(guān)速度也給工程師帶來了使用和測量的挑戰(zhàn)，稍有不慎就無法獲得正確的波形，從而嚴(yán)重影響到器件評估的準(zhǔn)確、電路設(shè)計(jì)的性能和安全、項(xiàng)目完成的速度。SiC、GaN動態(tài)特性測量中，最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅(qū)動電壓VGS的測量，包括兩個部分：開關(guān)過程和Crosstalk。此時是無法使用無源探頭進(jìn)行測量的，這會導(dǎo)致設(shè)備和人員危險，同時還會由
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GaN Systems HD半橋雙極驅(qū)動開關(guān)評估板在貿(mào)澤開售

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅(qū)動開關(guān)評估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強(qiáng)模式 (e-mode) 半橋評估板性能優(yōu)異，同時減少了組件總數(shù)，節(jié)省了寶貴的電路板空間。貿(mào)澤電子分銷的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個HEY1011-L12C GaN FET驅(qū)動器和兩
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Qorvo 助力簡化 GaN PA 偏置

移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設(shè)計(jì)，可加強(qiáng) Qorvo GaN PA 的設(shè)計(jì)與測試。GaN 器件是耗盡型 FET，運(yùn)行時需要施加負(fù)柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統(tǒng)中，需要以特定的順序進(jìn)行偏置：提高漏極偏置電壓之前，必須施加負(fù)柵極電壓，以保護(hù)器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內(nèi)置可配置
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學(xué)貫中西(8)：從GAN領(lǐng)悟人機(jī)協(xié)同創(chuàng)新之道

1 回顧：GAN里的兩個角色在上一期里，詳細(xì)介紹了 GAN( 生成對抗網(wǎng) ) 里的兩個角色：生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。其中的生成者，又稱為創(chuàng)新者，而判別者又稱為鑒賞者。在常見的圖像繪畫領(lǐng)域，其典型的協(xié)同創(chuàng)新模式是： G( 創(chuàng)新者 ) 負(fù)責(zé)創(chuàng)作圖片；而 D( 鑒賞者 ) 負(fù)責(zé)辨別一張圖像的真或假，然后引領(lǐng) G 逐步改進(jìn)，止于完美逼近目標(biāo)。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng)新模式，屬于 AI 機(jī)器與機(jī)器之間的協(xié)同合作或創(chuàng)新。然而，在 AI 科技不斷
關(guān)鍵字： 202206 GAN 人機(jī)協(xié)同

EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推線上論壇，為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇"，為工程師提供產(chǎn)品信息和技術(shù)支持，從而了解氮化鎵（GaN）技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。該論壇專為工程師、工程專業(yè)學(xué)生和所有氮化鎵技術(shù)愛好者而設(shè)，為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外，用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問和反饋。此外，
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貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，為各類電源應(yīng)用提供更好的支持

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應(yīng)用。?貿(mào)澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設(shè)計(jì)人員提供了
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毫米波技術(shù)需要高度線性、緊湊和高能效的寬帶產(chǎn)品

5G 通信正在改變我們的生活，同時也在促進(jìn)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型，為工業(yè)、汽車和消費(fèi)電子等行業(yè)提供了巨大的應(yīng)用想象空間與市場機(jī)會，例如實(shí)現(xiàn)創(chuàng)建人與機(jī)器人和諧共存的環(huán)境，高質(zhì)量醫(yī)療，并且加速實(shí)現(xiàn)安全的自動駕駛汽車，等等。● 打造未來智能工廠——5G 無線網(wǎng)絡(luò)可以幫助工廠實(shí)現(xiàn)更高的可靠性，例如縮短延遲時間、提高生產(chǎn)效率。在人與機(jī)器人共存的世界里，更強(qiáng)的連接可以改善人機(jī)互動，并降低事故風(fēng)險?！?提供高質(zhì)量的醫(yī)療服務(wù)——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實(shí)施遠(yuǎn)程監(jiān)測，進(jìn)行生命體征檢測，并將信息傳輸給基于云的診斷
關(guān)鍵字： 202206 毫米波 5G GAN

第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)5G基站技術(shù)全面升級

5G 受到追捧是有充足的理由的。根據(jù)CCS Insight 的預(yù)測，到2023 年，5G 用戶數(shù)量將達(dá)10 億；2022 年底，5G蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施將承載近15％的全球手機(jī)流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線性度是5G 基礎(chǔ)設(shè)施對射頻半導(dǎo)體器件的硬性要求。對于整個第三代半導(dǎo)體技術(shù)，尤其是氮化鎵（GaN），5G 開始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的開關(guān)頻率、輸出功率和工作溫度更高，適合1-110 GHz的高頻通信應(yīng)用，涵蓋移動通信、無線網(wǎng)絡(luò)、點(diǎn)對點(diǎn)和點(diǎn)對多點(diǎn)微波通
關(guān)鍵字： 202206 第三代半導(dǎo)體 GaN