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德州儀器推出業(yè)內(nèi)先進的獨立式有源 EMI 濾波器 IC，支持高密度電源設(shè)計
- 中國上海（2023 年 3 月 28 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）今日宣布推出業(yè)內(nèi)先進的獨立式有源電磁干擾 (EMI) 濾波器集成電路 (IC)，能夠幫助工程師實施更小、更輕量的 EMI 濾波器，從而以更低的系統(tǒng)成本增強系統(tǒng)功能，同時滿足 EMI 監(jiān)管標準。 隨著電氣系統(tǒng)變得愈發(fā)密集，以及互連程度的提高，緩解 EMI 成為工程師的一項關(guān)鍵系統(tǒng)設(shè)計考慮因素。得益于德州儀器研發(fā)實驗室 Kilby Labs 針對新概念和突破性想法的創(chuàng)新開發(fā)，新的獨立式有源 EMI 濾波器 I
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GaN 出擊
- 自上世紀五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著時間的流逝，盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導(dǎo)體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導(dǎo)體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關(guān)注。近段時間，GaN 方面又有了新進展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計劃
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基于Navitas NV6115的150W電源解決方案
- 傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體被設(shè)計用來提升系統(tǒng)的效率以及減少能量損失?？墒菍嶋H上，出于兩個方面的原因-傳導(dǎo)和開關(guān)切換，設(shè)備可能會出現(xiàn)能量損失。GaN FET為第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)，其改善開關(guān)切換的延遲時間。納微（Navitas）半導(dǎo)體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅(qū)動器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實現(xiàn)許多軟開關(guān)拓撲和應(yīng)用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
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GaN 良率受限，難以取代 IGBT
- GaN 要快速擴散至各應(yīng)用領(lǐng)域，仍有層層關(guān)卡待突破。
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市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導(dǎo)體成收購的熱門賽道
- 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核，其對第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開拓有了新的進展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。事實上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2023年3月2
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晶圓廠貨源多元布局，代工報價面臨壓力
- IT之家 3 月 13 日消息，據(jù)臺媒中央社報道，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣反轉(zhuǎn)向下，晶圓代工產(chǎn)能松動，IC 設(shè)計廠為強化供應(yīng)鏈，同時因未來可能變化的需求，紛紛針對貨源展開多元布局，晶圓代工報價恐將面臨壓力。臺媒指出，晶圓代工廠今年來因為終端市場需求疲弱，供應(yīng)鏈持續(xù)調(diào)整庫存，產(chǎn)能明顯松動，世界先進第一季度產(chǎn)能利用率恐較去年第四季度下滑 10 個百分點，力積電將降至 6 成多水準，聯(lián)電第一季度產(chǎn)能利用率也將降至 7 成。IC 設(shè)計廠多數(shù)表示，晶圓代工廠并未調(diào)降代工價格，不過廠商針對配合預(yù)先投片備貨的客戶提供優(yōu)
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GaN 時代來了？
- 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預(yù)計第三代化合物半導(dǎo)體市場狀況將發(fā)生變化，GaN 被認為會產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進行了早期部署，并繼續(xù)擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網(wǎng)
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用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護
- 當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機驅(qū)動等高功率應(yīng)用中實施。實現(xiàn)這一壯舉的方法是提高電子設(shè)備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關(guān)速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應(yīng)用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產(chǎn)品的地方，適用于各行各業(yè)的不同應(yīng)用。當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機驅(qū)動等高功
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探索IC電源管理新領(lǐng)域的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用
- 本文深入探討物聯(lián)網(wǎng)電池技術(shù)，并提出設(shè)計人員可能面臨的一些電源問題，以及ADI提供的解決方案。這些高效的解決方案可以協(xié)助克服物聯(lián)網(wǎng)裝置中的其他問題，包括尺寸、重量和溫度。隨著物聯(lián)網(wǎng)裝置越來越密集地應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、家庭自動化和醫(yī)療應(yīng)用中，透過減小外形尺寸、提高效率、改善電流消耗，或者加快充電時間（對于可攜式物聯(lián)網(wǎng)裝置）來優(yōu)化這些裝置的電源管理的壓力也越來越大。相關(guān)的要求是所有這些都必須以小尺寸實現(xiàn)，既不能影響散熱，也不能干擾裝置實現(xiàn)無線通信。 物聯(lián)網(wǎng)裝置的應(yīng)用領(lǐng)域幾乎沒有止境，每天都會考慮新的裝置和使用情況。
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英飛凌將收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）
- 【2023 年 03 月 03日，德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）聯(lián)合宣布，雙方已簽署最終協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，英飛凌將斥資 8.3 億美元收購氮化鎵系統(tǒng)公司。氮化鎵系統(tǒng)公司是全球領(lǐng)先的科技公司，致力于為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用開發(fā)基于氮化鎵的解決方案。該公司總部位于加拿大渥太華，擁有 200 多名員工。 英飛凌科技首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化鎵技術(shù)為打造更加
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幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設(shè)計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路必須考慮的 PCB 設(shè)計注意事項。本設(shè)計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應(yīng)有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
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半導(dǎo)體渠道商：庫存降低速度慢于預(yù)期
- IT之家 2 月 27 日消息，據(jù)臺灣地區(qū)經(jīng)濟日報報道，半導(dǎo)體庫存問題不僅 IC 設(shè)計廠商需要面對，下游 IC 渠道商為顧及長期合作關(guān)系，也常要與芯片原廠“共渡難關(guān)”。即便目前陸續(xù)傳出部分芯片有小量急單需求，有 IC 渠道廠商坦言，目前庫存去化速度還是比原本估計慢。IC 渠道廠商分析，市場目前的短單是否是曇花一現(xiàn)，通貨膨脹、美聯(lián)儲加息狀況、俄烏沖突以及國內(nèi)是否會有報復(fù)性買盤需求等是觀察重點。不具名的 IC 渠道廠商透露，目前庫存去化狀況不如預(yù)期，假設(shè)原本估計的庫存去化速度是進 0.5 個月的貨，
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基于 Richtek RT5047GSP 在于 LNB/LNBF 10W電源方案
- 小耳朵衛(wèi)星天線,在于一些偏遠地區(qū)常見,用于收看衛(wèi)星電視節(jié)目,由于衛(wèi)星電視的信號非常微弱，所以我們需要一個拋物面天線來聚焦信號，還需要一個高頻頭，也稱為LNB或LNBF，通常LNB和饋源安裝在天線的焦點上來收集信號。LNB又叫高頻頭(Low Noise Block)，即低噪聲下變頻器，其功能是將由饋源傳送的衛(wèi)星信號經(jīng)過放大和下變頻，把Ku或C波段信號變成L波段，經(jīng)同軸電纜傳送給衛(wèi)星接收機,每只LNB只能用于某一波段，因為S、C和KU波段需要不同的波導(dǎo)管。也有一些類型是用于圓極化和線極化信號接收的，它們主要在
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氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關(guān)。只有合理設(shè)計能夠支持這種功率開關(guān)轉(zhuǎn)換的印刷電路板 (PCB) ，才能實現(xiàn)實現(xiàn)高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關(guān)的全部性能優(yōu)勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設(shè)計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路的 PCB 設(shè)計要點。NCP51820 是一款全功能專用驅(qū)動器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關(guān)性能而
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納芯微新品，專門用于驅(qū)動E?mode（增強型）GaN 開關(guān)管的半橋芯片NSD2621
- 前言現(xiàn)階段的大多數(shù) GaN 電源系統(tǒng)都是由多個芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會產(chǎn)生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅(qū)動器會在單獨的芯片上帶有驅(qū)動器的分立晶體管，受到驅(qū)動器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開關(guān)節(jié)點之間的寄生電感的影響，同時GaN HEMT 具有非常高的開關(guān)速度，如果寄生電感未被抑制，將會導(dǎo)致信號傳輸?shù)牟▌?。近日，納芯微推出了兩款全新的GaN相關(guān)產(chǎn)品，分別是GaN驅(qū)動NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅(qū)動芯片，專門用于驅(qū)動E?mode（增強型）GaN 開關(guān)管；集成化的
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