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納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K

納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅(qū)動(dòng)NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲(chǔ)能、服務(wù)器電源等多種GaN應(yīng)用場(chǎng)景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，專(zhuān)門(mén)用于驅(qū)動(dòng)E?mode（增強(qiáng)型）GaN 開(kāi)關(guān)管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品，內(nèi)部集成了高壓半橋驅(qū)動(dòng)器和兩顆650V耐壓的GaN開(kāi)關(guān)管。NSD2621產(chǎn)品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅(qū)動(dòng)電流2A/-4A 03.&n
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基于安森美半導(dǎo)體高頻率準(zhǔn)諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器

電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而市場(chǎng)對(duì)于高功率密度的需求也正日益增高。過(guò)去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。對(duì)于未來(lái)的5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)、機(jī)器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來(lái)實(shí)現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場(chǎng)景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實(shí)體圖?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
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基于安森美半導(dǎo)體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器

電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而市場(chǎng)對(duì)于高功率密度的需求也正日益增高。過(guò)去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。對(duì)于未來(lái)的5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)、機(jī)器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來(lái)實(shí)現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場(chǎng)景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
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世平基于安森美半導(dǎo)體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案

安森美GAN_Fet驅(qū)動(dòng)方案(NCP51820)。數(shù)十年來(lái)，硅來(lái)料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個(gè)狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開(kāi)始改變。由開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，它們具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性。但問(wèn)題在于化合物半導(dǎo)體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢(shì)。作為解決方案出現(xiàn)的兩個(gè)化合物半導(dǎo)體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器
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英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC，提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能

【2022年11月24日，德國(guó)慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統(tǒng)一Type-C連接器為各種移動(dòng)和電池供電設(shè)備供電的主流標(biāo)準(zhǔn)。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標(biāo)準(zhǔn)中，擴(kuò)展功率范圍（EPR）規(guī)格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統(tǒng)一化和大功率容量再加上低系統(tǒng)成本的小外型尺寸已成為推動(dòng)適配器和充電器市場(chǎng)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力。為了加速這一趨勢(shì)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數(shù)字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
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14年后全球半導(dǎo)體行業(yè)突然按下“暫停鍵”：減支力度高達(dá)19%

以存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)商為代表，包括美光、SK海力士等在內(nèi)，均宣布將減少明年的資本支出，這些錢(qián)一般用于擴(kuò)建擴(kuò)產(chǎn)等，反映出行業(yè)的低迷。實(shí)際上，整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的日子都不太好過(guò)。日前，統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布最新研報(bào)，預(yù)測(cè)明年全產(chǎn)業(yè)的資本支出將同比下滑19%，在1466億美元左右。據(jù)悉，這是繼2008~2009金融危機(jī)以來(lái)的最大降幅，當(dāng)時(shí)的降幅一度高達(dá)40%?？勺鰧?duì)比的是，半導(dǎo)體資本支出在過(guò)去今年迎來(lái)了高速增長(zhǎng)，2021年增長(zhǎng)35%達(dá)到1531億美元，今年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)19%達(dá)到1817億美元，創(chuàng)下歷史新高。
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基于安森美半導(dǎo)體NCP1342驅(qū)動(dòng)GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案

此電源設(shè)計(jì)最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時(shí)輸出時(shí)，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿(mǎn)足EMI又導(dǎo)熱好！通標(biāo)變壓器設(shè)計(jì)，21V效率最高達(dá)到93%,驅(qū)動(dòng)與MOS均采用美國(guó)安森美半導(dǎo)體技術(shù)！?場(chǎng)景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協(xié)議?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)1.51.5*51.5*31 超小體積功率密度：1.26cm3/W2. QR架構(gòu)，COST
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格芯獲得3000萬(wàn)美元政府基金研發(fā)GaN芯片

據(jù)外媒《NBC》報(bào)道，近日，晶圓代工廠(chǎng)商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬(wàn)美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠(chǎng)研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機(jī)、射頻無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車(chē)、電網(wǎng)等領(lǐng)域。格芯稱(chēng)，電動(dòng)汽車(chē)的普及、電網(wǎng)升級(jí)改造以及5G、6G智能手機(jī)上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導(dǎo)體帶來(lái)需求。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
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GaN IC縮小電機(jī)驅(qū)動(dòng)器并加快eMobility、電動(dòng)工具、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)的上市時(shí)間

EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)，增強(qiáng)了電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。該逆變器尺寸極小，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級(jí)GaN IC，內(nèi)含柵極驅(qū)動(dòng)器功能和兩個(gè)具有5.2 mΩ典型導(dǎo)通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達(dá)28 Apk(2
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器
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功率GaN RF放大器的熱考慮因素

氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場(chǎng)擊穿，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國(guó)防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場(chǎng)中獲得應(yīng)用。其中許多應(yīng)用需要很長(zhǎng)的使用壽
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使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話(huà)題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 車(chē)載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類(lèi)型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強(qiáng)型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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西門(mén)子與聯(lián)華電子合作開(kāi)發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠(chǎng)聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗(yàn)證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶(hù)提供此項(xiàng)新流程。通過(guò)在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶(hù)可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
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大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案

2022年9月20日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產(chǎn)品以及氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案的展示板圖以手機(jī)、電腦為代表的移動(dòng)智能設(shè)備已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ畹闹匾ぞ撸欢S著這些設(shè)備所覆蓋的功能越來(lái)越多，設(shè)備有限的續(xù)航能力已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)
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使用集成GaN解決方案提高功率密度

氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話(huà)題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 車(chē)載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類(lèi)型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強(qiáng)型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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