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          GaN FET讓您實現(xiàn)高性能D類音頻放大器
          
                                                            
            
                    	
          • D類音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效，從而可實現(xiàn)全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計，可實現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設計中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢，在4Ω負載時，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設計，其主板配有兩個PWM調制器和兩個半橋功率級子板，實現(xiàn)具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設計的靈活性高，使
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          • 關鍵字：
                        GaN FET  D類音頻放大器                          
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          氮化鎵器件讓您實現(xiàn)具成本效益的電動自行車、無人機和機器人
          
                                                            
            
                    	
          • 基于氮化鎵器件的逆變器參考設計(EPC9193)讓您實現(xiàn)具有更高性能的電機系統(tǒng)，其續(xù)航里程更長、精度更高、扭矩更大，而且同時降低了系統(tǒng)的總成本。宜普電源轉換公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動逆變器，具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置，分別為標準和高電流版本：●? ?EPC9193 是標準參考設計，在每個開關位置使用單個FET，可提供高達30ARMS 的最大輸出電流?！? ?EPC91
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵器件  電動自行車  無人機  機器人  EPC  GaN  宜普                          
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          將達100億美元，SiC功率器件市場急速擴張
          
                                                            
            
                    	
          • SiC 市場的快速擴張主要得益于電動汽車的需求，預計 2023 年市場將比上年增長 60%。
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          GaN引領未來寬帶功率放大器——Qorvo TGA2962
          
                                                            
            
                    	
          • Qorvo是一家在射頻解決方案領域具有顯著影響力的美國公司。它通過提供創(chuàng)新的射頻技術，為移動、基礎設施與國防/航空航天市場提供核心技術及解決方案，致力于實現(xiàn)全球互聯(lián)。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開關、調諧器等領域都展現(xiàn)出了強大的技術實力和市場地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商，其產品在市場上具有較高的認可度和廣泛的應用。這使得Qorvo在推動5G網絡、云計算、物聯(lián)網等新興應用市場的發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。在Qorvo所擅長的寬帶功率放大器領域之中，GaN材料展露出了重要的應用潛力。由于
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          • 關鍵字：
                        Qorvo  GaN  寬帶功率放大器                          
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          納微半導體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術展望快充未來
          
                                                            
            
                    	
          • 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術打造，象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術●? &
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          • 關鍵字：
                        納微半導體  亞洲充電展  GaN+SiC  快充                          
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          英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本
          
                                                            
            
                    	
          • 英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉換器中使用英飛凌的GaN功率半導體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉換器將變得更輕、更小，系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設計，進一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質量標準和穩(wěn)固的供應鏈為我們提供了
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  Worksport  氮化鎵  GaN  便攜式發(fā)電站                          
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          EPC推出首款具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET
          
                                                            
            
                    	
          • 全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導通電阻
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          • 關鍵字：
                        EPC  1mΩ  導通電阻  GaN FET                          
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          適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南
          
                                                            
            
                    	
          • 激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農業(yè)。在這些應用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時發(fā)射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性，因為需要使用微控制器或其他大型數(shù)字集成電路 (IC) 來控制激光二極管，但又不能直接驅動它，這樣就必須增加一個柵極
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          • 關鍵字：
                        自主駕駛  LiDAR  GaN  FET                          
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          帶隙對決：GaN和SiC，哪個會占上風？
          
                                                            
            
                    	
          • 電力電子應用希望納入新的半導體材料和工藝。
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          SR-ZVS與GaN：讓電源開關損耗為零的魔法
          
                                                            
            
                    	
          • 當今，快充市場正迎來前所未有的機遇與挑戰(zhàn)。風暴仍在繼續(xù)，快充市場的迅猛發(fā)展，用戶對于充電器的功率需求也在不斷增大；移動設備的普及，用戶對于充電器體積的要求也越來越高；同時為了在激烈的市場競爭中脫穎而出，低成本是每個快充產品必須考慮的因素。種種這些都對快充技術的要求愈發(fā)嚴格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應多樣化的標準和滿足用戶個性化的需求。在種種挑戰(zhàn)之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開關IC，在內部集成750V或900V PowiGaN?初級開關、初級側控制器、FluxLink?
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          • 關鍵字：
                        PI  SR-ZVS  GaN  氮化鎵                          
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          EPC GaN FET可在數(shù)納秒內驅動激光二極管，實現(xiàn)75~231A脈沖電流
          
                                                            
            
                    	
          • 宜普電源轉換公司（EPC）推出三款激光驅動器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達系統(tǒng)。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅動器和通過車規(guī)級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
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          • 關鍵字：
                        EPC GaN FET  激光二極管                          
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          低功耗 GaN 在常見交流/直流電源拓撲中的優(yōu)勢
          
                                                            
            
                    	
          • 消費者希望日常攜帶的各種電子設備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產品轉向 USB Type-C? 充電器，越來越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設備充電。在設計現(xiàn)代消費級 USB Type-C 移動充電器、PC 電源和電視電源時，面臨的挑戰(zhàn)是如何在縮小解決方案尺寸的同時保持甚至提高功率水平。德州儀器的低功耗氮化鎵 (GaN) 器件有助于在各種最流行的拓撲中解決這一問題，同時提供散熱、尺寸和集成方面的優(yōu)勢。在過去的幾十年里，隨著 GaN 等寬帶隙技術的發(fā)展，交流/直流拓撲
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          • 關鍵字：
                        TI  GaN   電源拓撲                          
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          瑞薩收購Transphorm,利用GaN技術擴展電源產品陣容
          
                                                            
            
                    	
          • 2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本東京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亞州戈利塔訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股，較Transphorm在2024年1月
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          • 關鍵字：
                        瑞薩  Transphorm  GaN                          
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          GaN新技術可使散熱能力提高2倍以上
          
                                                            
            
                    	
          • 近期，大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應用于5G通信基站、氣象雷達、衛(wèi)星通信、微波加熱、等離子體處理等領域，該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。隨著半導體技術不斷發(fā)展，功率密度和散熱等問題日益凸顯，業(yè)界試圖通過新一代材料解決上述問題。據(jù)悉，金剛石具備極強的導熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。在最新研究中，大阪公立大學的科學家們成
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          • 關鍵字：
                        GaN  散熱能力                          
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          使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積
          
                                                            
            
                    	
          • 盡管電池技術和低功耗電路不斷取得進步，但對于許多應用來說，完全不依賴純電池設計可能是不可行、不適用和無法接受的。醫(yī)療系統(tǒng)就屬于這類應用。相反，設備通常必須直接通過 AC 線路運行，或至少在電池電量不足時連接 AC 插座即可運行。除了滿足基本的 AC/DC 電源性能規(guī)范外，醫(yī)用電源產品還必須符合監(jiān)管要求，即滿足電隔離、額定電壓、泄漏電流和保護措施 (MOP) 等不那么明顯的性能要求。制定這些標準是為了確保用電設備即使在電源或負載出現(xiàn)故障時，也不會給操作員或病人帶來危險。與此同時，醫(yī)療電源的設計者必須不斷提地
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          • 關鍵字：
                        DigiKey  GaN  AC/DC                          
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