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gan systems 文章 進(jìn)入gan systems技術(shù)社區(qū)
SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效
- 1 專(zhuān)注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)，致力于設(shè)計(jì)和制造用于新世代電力系統(tǒng)的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開(kāi)發(fā)階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項(xiàng)專(zhuān)利，氮化鎵器件為單一業(yè)務(wù)。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運(yùn)營(yíng)的上市公司，這意味著在器件開(kāi)發(fā)的每個(gè)關(guān)鍵階段，我們均能做到自主可控和創(chuàng)新——包括GaN HEMT 器件設(shè)計(jì)、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片。
- 關(guān)鍵字： 202310 SuperGaN 氮化鎵 GaN Transphorm
SiC和GaN的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)與技術(shù)挑戰(zhàn)
- 1? ?SiC和GaN應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)我們對(duì)汽車(chē)、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和可再生能源等廣泛市場(chǎng)中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應(yīng)用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動(dòng)汽車(chē)（EV）：SiC和GaN 可用于電動(dòng)汽車(chē)，以提高效率、續(xù)航里程和整車(chē)性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車(chē)載充電，以減少功率損耗并提高效率。●? ?數(shù)據(jù)中心：SiC 和GaN 可用于數(shù)據(jù)中心電源，以提高效率并降低運(yùn)營(yíng)成本。●? ?可再生能
- 關(guān)鍵字： 202310 SiC GaN 安世半導(dǎo)體
SiC和GaN的技術(shù)應(yīng)用挑戰(zhàn)
- 1 SiC和GaN的優(yōu)勢(shì)相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅(qū)動(dòng)損耗和更高的開(kāi)關(guān)速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應(yīng)用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車(chē)牽引逆變器、車(chē)載充電器和直流/ 直流轉(zhuǎn)換器、大功率太陽(yáng)能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應(yīng)用。SiC 進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間略長(zhǎng)，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導(dǎo)通電阻。
- 關(guān)鍵字： 202310 納芯微 SiC GaN
東芝在SiC和GaN的技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新
- 1 SiC、GaN相比傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢(shì)雖然硅功率器件目前占據(jù)主導(dǎo)地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應(yīng)用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級(jí)應(yīng)用。最為重要的一點(diǎn)，SiC 的擊穿場(chǎng)是硅的10 倍。由于這種性質(zhì)，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開(kāi)關(guān)器件。此外，SiC 的導(dǎo)熱系數(shù)大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
- 關(guān)鍵字： 202310 東芝 SiC GaN
ST在SiC和GaN的發(fā)展簡(jiǎn)況
- ST（ 意法半導(dǎo)體） 關(guān)注電動(dòng)汽車(chē)、充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應(yīng)用領(lǐng)域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實(shí)現(xiàn)能效和功率密度更高的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強(qiáng)型HEMT 開(kāi)關(guān)管用于開(kāi)發(fā)超快速充電和高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小，重量更輕，開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
- 關(guān)鍵字： 202310 意法半導(dǎo)體 SiC GaN
基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小體積之PD快充方案
- 過(guò)往產(chǎn)品的充電裝置多由各家廠牌使用各自的接口，導(dǎo)致裝置汰換時(shí)將造成許多浪費(fèi)。由于USB的普及，市面大部分的產(chǎn)品都透過(guò)此接口傳輸數(shù)據(jù)，進(jìn)而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過(guò)去即使透過(guò)USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，則電子產(chǎn)品需要較長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發(fā)表第一版USB Power Delivery規(guī)范 (USB Power Delivery Specifi
- 關(guān)鍵字： ST 意法半導(dǎo)體 GAN 第三代半導(dǎo)體 Power and energy PD 協(xié)議 快充
GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺(tái)
- 全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems?今推出全新第四代氮化鎵平臺(tái)?(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標(biāo)竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子?(figures of merit)。以GaN Systems 在?2022 年發(fā)表的?3.2kW 人工智能(AI) 服務(wù)器電源供應(yīng)器來(lái)看，改采用最新第四代平臺(tái)，不僅效率超過(guò)鈦金級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，功率密度更從?100W/in3提升至&nbs
- 關(guān)鍵字： GaN Systems 氮化鎵
日本新技術(shù)將GaN材料成本降90%
- 據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)，日本最大的半導(dǎo)體晶圓企業(yè)信越化學(xué)工業(yè)和從事ATM及通信設(shè)備的OKI開(kāi)發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體材料的技術(shù)。制造成本可以降至傳統(tǒng)制法的十分之一以下。如果能夠量產(chǎn)，用于快速充電器等用途廣泛，有利于普及。功率半導(dǎo)體裝入充電器、小型家電以及連接純電動(dòng)汽車(chē)(EV)馬達(dá)與電池的控制裝置，用于控制電力等。如果使用GaN，可以控制大量的電力。根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究報(bào)告顯示，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長(zhǎng)率
- 關(guān)鍵字： 日本 GaN 材料 成本
自動(dòng)執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測(cè)試
- _____減少碳排放的迫切需求推動(dòng)了對(duì)電氣技術(shù)的投資，特別是數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域。根據(jù)彭博社最新的電動(dòng)汽車(chē)展望報(bào)告，到 2050 年，幾乎所有道路運(yùn)輸都將實(shí)現(xiàn)電氣化，預(yù)計(jì)將導(dǎo)致全球電力需求激增 27%。這一趨勢(shì)凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來(lái)方面的重要意義。越來(lái)越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體取代開(kāi)關(guān)模式電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉(zhuǎn)變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來(lái)的，包括比硅器件更快
- 關(guān)鍵字： 寬禁帶 SiC GaN 雙脈沖測(cè)試
GaN 如何在基于圖騰柱 PFC 的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率
- 幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都會(huì)用到 AC/DC 電源，它從交流電網(wǎng)中獲取電能，并將其轉(zhuǎn)化為調(diào)節(jié)良好的直流電壓傳輸?shù)诫姎庠O(shè)備。隨著全球范圍內(nèi)功耗的增加，AC/DC 電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中的相關(guān)能源損耗成為電源設(shè)計(jì)人員整體能源成本計(jì)算的重要一環(huán)，對(duì)于電信和服務(wù)器等“耗電大戶”領(lǐng)域的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個(gè) 100MW 數(shù)據(jù)
- 關(guān)鍵字： ti GaN 圖騰柱 PFC 電源
GaN Systems 與上海安世博能源科技結(jié)盟 推進(jìn)氮化鎵進(jìn)入中國(guó)電動(dòng)車(chē)應(yīng)用市場(chǎng)
- 【中國(guó)上海 – 2023年8月3日】氮化鎵功率半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結(jié)盟，共同致力于加速并擴(kuò)大氮化鎵功率半導(dǎo)體于電動(dòng)車(chē)應(yīng)用的發(fā)展。安世博能源科技為電源行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，擁有完整電源供應(yīng)器、電動(dòng)車(chē)充電模塊及車(chē)載充電器產(chǎn)品解決方案。結(jié)合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車(chē)用領(lǐng)域所累積的應(yīng)用實(shí)績(jī)，與安世博能源科技在高功率電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)及批量生產(chǎn)的卓越能力，此次策略合作將為中國(guó)電動(dòng)車(chē)行業(yè)帶來(lái)突破性革新。氮化鎵功率半導(dǎo)體將在實(shí)現(xiàn)下世代電動(dòng)車(chē)對(duì)尺寸微縮、輕
- 關(guān)鍵字： GaN Systems 安世博 氮化鎵 電動(dòng)車(chē)
意法半導(dǎo)體量產(chǎn)PowerGaN器件，讓電源產(chǎn)品更小巧、更清涼、更節(jié)能
- 2023年8月3日，中國(guó) -意法半導(dǎo)體宣布已開(kāi)始量產(chǎn)能夠簡(jiǎn)化高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)的增強(qiáng)模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車(chē)電氣化等應(yīng)用的性能。該系列先期推出的兩款產(chǎn)品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業(yè)級(jí)650V常關(guān)G-HEMT? 晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時(shí)的典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))分別為7
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 PowerGaN 氮化鎵 GaN
GaN如何在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率
- 幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都會(huì)用到 AC/DC 電源，它從交流電網(wǎng)中獲取電能，并將其轉(zhuǎn)化為調(diào)節(jié)良好的直流電壓傳輸?shù)诫姎庠O(shè)備。隨著全球范圍內(nèi)功耗的增加，AC/DC 電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中的相關(guān)能源損耗成為電源設(shè)計(jì)人員整體能源成本計(jì)算的重要一環(huán)，對(duì)于電信和服務(wù)器等“耗電大戶”領(lǐng)域的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個(gè) 100MW 數(shù)據(jù)
- 關(guān)鍵字： TI GaN PFC
ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)，對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對(duì)這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
- 關(guān)鍵字： ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
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