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GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計(jì)
- 摘要:為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究??紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng),通過設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu),利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 探測器 紅外 量子 GaN
一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場強(qiáng)度等特點(diǎn),被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn),基于Agilent ADS仿真軟件,利用負(fù)載/源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟并對放大器進(jìn)行了測試,數(shù)據(jù)表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W,附加效率超過67%的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí),GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
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Renesas RX 系列產(chǎn)品從開發(fā)軟件兼容性中獲益
- IAR Systems今日宣布在為Renesas RX定制的IAR Embedded Workbench集成開發(fā)環(huán)境中支持應(yīng)用程序二進(jìn)制(ABI)接口,從而能夠兼容于其他Renesas RX工具鏈的輸出。當(dāng)編譯器對于軟件重用放低門檻后,基于組件的應(yīng)用程序開發(fā)將變得更為簡單,并大大節(jié)約了開發(fā)時(shí)間和工程成本。 任何與Renesas RX ABI 相兼容的工具鏈所編譯的軟件都可以被鏈接到IAR Embedded Workbench集成開發(fā)環(huán)境中。比如,原先在Renesas的專用工具上開發(fā)完成的硬件驅(qū)動(dòng)
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GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長,2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億
- 美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示,2010年的市場規(guī)模近乎為零,但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式,不斷擴(kuò)大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測,該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。 目前,GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段,或者剛開始商用化的階段。不過,GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比,具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn),可提高電源電路的轉(zhuǎn)
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ADI助力Northern Power Systems的風(fēng)輪機(jī)設(shè)計(jì)
- 隨著傳統(tǒng)燃料生產(chǎn)和消耗所導(dǎo)致的環(huán)境和經(jīng)濟(jì)問題與日俱增,清潔的可再生能源市場應(yīng)運(yùn)而生。作為一種彌補(bǔ)石油、...
- 關(guān)鍵字: ADI 風(fēng)輪機(jī) Northern Power Systems
Samplify Systems推出首款16通道、12位、65Msps的ADC
- Samplify Systems公司近日宣布該公司將推出一系列嶄新的16信道、12比特、每秒65兆采樣的模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片,并集成有數(shù)據(jù)壓縮技術(shù)。
- 關(guān)鍵字: 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)據(jù)壓縮 Samplify Systems
IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺(tái)
- 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布,成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺(tái)相比,該技術(shù)平臺(tái)可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10,顯著提高計(jì)算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能,并降低能耗。 開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù),歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 IR的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
- 關(guān)鍵字: IR 功率器件 GaN 終端
貝爾金選擇Azimuth Systems信道仿真器及ADEPT-n MIMO測試平臺(tái)
- 無線寬帶測試設(shè)備及Wi-Fi、WiMAX、LTE(長期演進(jìn))和其他4G技術(shù)的信道仿真器提供商 Azimuth Systems公司宣布,貝爾金國際公司(Belkin International, Inc.)已經(jīng)選擇了ACE(TM)信道仿真器及ADEPT-n MIMO測試平臺(tái),來自動(dòng)化測試其N及N1無線網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品線。ACE信道仿真器及ADEPT-n MIMO測試平臺(tái)是專門用于MIMO測試的,可為802.11n設(shè)備的自動(dòng)化及可重復(fù)的性能、互操作性及功能測試提供框架。使用Azimuth公司的ACE信道仿真器及A
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FuturePlus Systems為泰克邏輯分析儀推出高速DDR3插補(bǔ)器
- FuturePlus Systems公司日前為下一代雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR) SDRAM總線推出FS2355 DDR3 1333插補(bǔ)器預(yù)處理器。這款插補(bǔ)器是為用于泰克TLA7000系列邏輯分析系統(tǒng)設(shè)計(jì)的,以增強(qiáng)1333 DIMM卡調(diào)試,改善最新的高性能DDR存儲(chǔ)器技術(shù)的可靠性、加快產(chǎn)品開發(fā)周期。相關(guān)設(shè)計(jì)人員將運(yùn)用它對PC游戲、服務(wù)器、超級計(jì)算和高清電視進(jìn)行DIMM驗(yàn)證、故障分析和總線功能參數(shù)驗(yàn)證。 新的預(yù)處理器提供了高達(dá)1333 MT/s(每秒百萬次傳送)的狀態(tài)分析和協(xié)議解碼功能,在DDR3系統(tǒng)中
- 關(guān)鍵字: 泰克 FuturePlus Systems 邏輯分析儀 DDR3插補(bǔ)器
Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管
- Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管,用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品,其性能級別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。 新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括: 1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件,效率增加四倍 2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS,提高了工作頻率 3. 在免授權(quán)的5.8G
- 關(guān)鍵字: 三極管 WiMAX Cree GaN
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