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          硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

          • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管,高密度光學(xué)存儲(chǔ)用的紫光激光器,紫外光探測器,...
          • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  LED芯片    

          GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計(jì)

          • 摘要:為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究??紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng),通過設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu),利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  探測器  紅外  量子  GaN  

          一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)

          • 摘要:氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點(diǎn),使其具有帶寬寬,高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn),使用了Agilent ADS等仿真軟件,進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
          • 關(guān)鍵字: GaN  S波段  寬帶  放大器    

          一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)

          • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場強(qiáng)度等特點(diǎn),被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn),基于Agilent ADS仿真軟件,利用負(fù)載/源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟并對放大器進(jìn)行了測試,數(shù)據(jù)表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W,附加效率超過67%的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí),GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  功率放大器  GaN  一種  

          Renesas RX 系列產(chǎn)品從開發(fā)軟件兼容性中獲益

          •   IAR Systems今日宣布在為Renesas RX定制的IAR Embedded Workbench集成開發(fā)環(huán)境中支持應(yīng)用程序二進(jìn)制(ABI)接口,從而能夠兼容于其他Renesas RX工具鏈的輸出。當(dāng)編譯器對于軟件重用放低門檻后,基于組件的應(yīng)用程序開發(fā)將變得更為簡單,并大大節(jié)約了開發(fā)時(shí)間和工程成本。   任何與Renesas RX ABI 相兼容的工具鏈所編譯的軟件都可以被鏈接到IAR Embedded Workbench集成開發(fā)環(huán)境中。比如,原先在Renesas的專用工具上開發(fā)完成的硬件驅(qū)動(dòng)
          • 關(guān)鍵字: IAR  Systems  

          基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

          • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因,對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便,SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處,而價(jià)格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢,因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED  襯底  功率型    

          GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長,2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億

          •   美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示,2010年的市場規(guī)模近乎為零,但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式,不斷擴(kuò)大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測,該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。   目前,GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段,或者剛開始商用化的階段。不過,GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比,具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn),可提高電源電路的轉(zhuǎn)
          • 關(guān)鍵字: GaN  MOSFET  

          ADI助力Northern Power Systems的風(fēng)輪機(jī)設(shè)計(jì)

          • 隨著傳統(tǒng)燃料生產(chǎn)和消耗所導(dǎo)致的環(huán)境和經(jīng)濟(jì)問題與日俱增,清潔的可再生能源市場應(yīng)運(yùn)而生。作為一種彌補(bǔ)石油、...
          • 關(guān)鍵字: ADI  風(fēng)輪機(jī)  Northern  Power  Systems  

          SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

          • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC,研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片,連續(xù)波測試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W,帶內(nèi)增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
          • 關(guān)鍵字: MMIC  SiC  GaN  襯底    

          Samplify Systems推出首款16通道、12位、65Msps的ADC

          IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺(tái)

          •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布,成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺(tái)相比,該技術(shù)平臺(tái)可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10,顯著提高計(jì)算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能,并降低能耗。   開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù),歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。   IR的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
          • 關(guān)鍵字: IR  功率器件  GaN  終端  

          貝爾金選擇Azimuth Systems信道仿真器及ADEPT-n MIMO測試平臺(tái)

          •   無線寬帶測試設(shè)備及Wi-Fi、WiMAX、LTE(長期演進(jìn))和其他4G技術(shù)的信道仿真器提供商 Azimuth Systems公司宣布,貝爾金國際公司(Belkin International, Inc.)已經(jīng)選擇了ACE(TM)信道仿真器及ADEPT-n MIMO測試平臺(tái),來自動(dòng)化測試其N及N1無線網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品線。ACE信道仿真器及ADEPT-n MIMO測試平臺(tái)是專門用于MIMO測試的,可為802.11n設(shè)備的自動(dòng)化及可重復(fù)的性能、互操作性及功能測試提供框架。使用Azimuth公司的ACE信道仿真器及A
          • 關(guān)鍵字: Wi-Fi  WiMAX  LTE  Azimuth Systems  貝爾金  MIMO測試  

          測試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話技術(shù)問題

          • 要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度,從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì),需要進(jìn)行實(shí)際使用測試。使用測試是一種很有價(jià)值...
          • 關(guān)鍵字: GAN  蜂窩  話音質(zhì)量  

          FuturePlus Systems為泰克邏輯分析儀推出高速DDR3插補(bǔ)器

          •   FuturePlus Systems公司日前為下一代雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR) SDRAM總線推出FS2355 DDR3 1333插補(bǔ)器預(yù)處理器。這款插補(bǔ)器是為用于泰克TLA7000系列邏輯分析系統(tǒng)設(shè)計(jì)的,以增強(qiáng)1333 DIMM卡調(diào)試,改善最新的高性能DDR存儲(chǔ)器技術(shù)的可靠性、加快產(chǎn)品開發(fā)周期。相關(guān)設(shè)計(jì)人員將運(yùn)用它對PC游戲、服務(wù)器、超級計(jì)算和高清電視進(jìn)行DIMM驗(yàn)證、故障分析和總線功能參數(shù)驗(yàn)證。   新的預(yù)處理器提供了高達(dá)1333 MT/s(每秒百萬次傳送)的狀態(tài)分析和協(xié)議解碼功能,在DDR3系統(tǒng)中
          • 關(guān)鍵字: 泰克  FuturePlus Systems  邏輯分析儀  DDR3插補(bǔ)器  

          Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

          •   Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管,用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品,其性能級別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。   新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括:   1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件,效率增加四倍      2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS,提高了工作頻率   3. 在免授權(quán)的5.8G
          • 關(guān)鍵字: 三極管  WiMAX  Cree  GaN  
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          gan systems介紹

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