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納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K
- 納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅(qū)動(dòng)NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲(chǔ)能、服務(wù)器電源等多種GaN應(yīng)用場(chǎng)景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，專門用于驅(qū)動(dòng)E?mode（增強(qiáng)型）GaN 開(kāi)關(guān)管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品，內(nèi)部集成了高壓半橋驅(qū)動(dòng)器和兩顆650V耐壓的GaN開(kāi)關(guān)管。NSD2621產(chǎn)品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅(qū)動(dòng)電流2A/-4A 03.&n
- 關(guān)鍵字： 納芯微 GaN
基于安森美半導(dǎo)體高頻率準(zhǔn)諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而市場(chǎng)對(duì)于高功率密度的需求也正日益增高。過(guò)去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。對(duì)于未來(lái)的5G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)、機(jī)器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來(lái)實(shí)現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場(chǎng)景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實(shí)體圖?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
- 關(guān)鍵字： 安森美 NCP1342 PD QR 高頻率 GaN
基于安森美半導(dǎo)體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而市場(chǎng)對(duì)于高功率密度的需求也正日益增高。過(guò)去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。對(duì)于未來(lái)的5G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)、機(jī)器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來(lái)實(shí)現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場(chǎng)景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
- 關(guān)鍵字： 安森美 有源鉗位 NCP1568 GaN PD電源 適配器
世平基于安森美半導(dǎo)體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案
- 安森美GAN_Fet驅(qū)動(dòng)方案(NCP51820)。 數(shù)十年來(lái)，硅來(lái)料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個(gè)狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開(kāi)始改變。由開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，它們具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性。但問(wèn)題在于化合物半導(dǎo)體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢(shì)。作為解決方案出現(xiàn)的兩個(gè)化合物半導(dǎo)體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器
- 關(guān)鍵字： NCP51820 安森美 半導(dǎo)體 電源供應(yīng)器 GaN MOS Driver
英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC，提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能
- 【2022年11月24日，德國(guó)慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統(tǒng)一Type-C連接器為各種移動(dòng)和電池供電設(shè)備供電的主流標(biāo)準(zhǔn)。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標(biāo)準(zhǔn)中，擴(kuò)展功率范圍（EPR）規(guī)格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統(tǒng)一化和大功率容量再加上低系統(tǒng)成本的小外型尺寸已成為推動(dòng)適配器和充電器市場(chǎng)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力。為了加速這一趨勢(shì)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數(shù)字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 PFC和混合反激式組合IC GaN USB-C EPR適配器
基于安森美半導(dǎo)體NCP1342驅(qū)動(dòng)GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案
- 此電源設(shè)計(jì)最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時(shí)輸出時(shí)，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿足EMI又導(dǎo)熱好！通標(biāo)變壓器設(shè)計(jì)，21V效率最高達(dá)到93%,驅(qū)動(dòng)與MOS均采用美國(guó)安森美半導(dǎo)體技術(shù)！?場(chǎng)景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協(xié)議?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)1.51.5*51.5*31 超小體積 功率密度：1.26cm3/W2. QR架構(gòu)，COST
- 關(guān)鍵字： 安森美 NCP1342 65W PD GAN 1A1C 超小尺寸PD
格芯獲得3000萬(wàn)美元政府基金研發(fā)GaN芯片
- 據(jù)外媒《NBC》報(bào)道，近日，晶圓代工廠商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬(wàn)美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機(jī)、射頻無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車、電網(wǎng)等領(lǐng)域。格芯稱，電動(dòng)汽車的普及、電網(wǎng)升級(jí)改造以及5G、6G智能手機(jī)上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導(dǎo)體帶來(lái)需求。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
- 關(guān)鍵字： 格芯獲 GaN
GaN IC縮小電機(jī)驅(qū)動(dòng)器并加快eMobility、電動(dòng)工具、 機(jī)器人和無(wú)人機(jī)的上市時(shí)間
- EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)，增強(qiáng)了電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。該逆變器尺寸極小，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級(jí)GaN IC，內(nèi)含柵極驅(qū)動(dòng)器功能和兩個(gè)具有5.2 mΩ典型導(dǎo)通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達(dá)28 Apk(2
- 關(guān)鍵字： GaN IC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器
- 關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
功率GaN RF放大器的熱考慮因素
- 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場(chǎng)擊穿，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國(guó)防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場(chǎng)中獲得應(yīng)用。其中許多應(yīng)用需要很長(zhǎng)的使用壽
- 關(guān)鍵字： Wolfspeed 放大器 GaN
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強(qiáng)型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
- 關(guān)鍵字： TI GaN
大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案
- 2022年9月20日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產(chǎn)品以及氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機(jī)、電腦為代表的移動(dòng)智能設(shè)備已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ畹闹匾ぞ?，然而隨著這些設(shè)備所覆蓋的功能越來(lái)越多，設(shè)備有限的續(xù)航能力已經(jīng)無(wú)法滿足用戶對(duì)
- 關(guān)鍵字： 大聯(lián)大友尚 onsemi GaN System PD快充電源
使用集成GaN解決方案提高功率密度
- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強(qiáng)型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN 功率密度
GaN將在數(shù)據(jù)服務(wù)器中挑起效率大梁
- 雖然增加可再生能源是全球的大趨勢(shì)，但這還不夠，能源效率是另一個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域，這是因?yàn)榉?wù)器及其冷卻系統(tǒng)對(duì)能源消耗，占據(jù)了數(shù)據(jù)中心將近40%的運(yùn)營(yíng)成本。GaN具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，提供卓越的性能和效率，并徹底改變數(shù)據(jù)中心的配電和轉(zhuǎn)換、節(jié)能、減少對(duì)冷卻系統(tǒng)的需求，并最終使數(shù)據(jù)中心更具成本效益和可擴(kuò)展性。數(shù)字化和云端服務(wù)的快速建置推動(dòng)了全球數(shù)據(jù)服務(wù)器的產(chǎn)業(yè)規(guī)模的成長(zhǎng)。今天，數(shù)據(jù)服務(wù)器消耗了全球近1%的電力，這個(gè)數(shù)字預(yù)計(jì)會(huì)不斷的成長(zhǎng)下去。次世代的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，例如虛擬世界、增強(qiáng)實(shí)境和虛擬現(xiàn)實(shí)，所消耗大量電力將遠(yuǎn)超現(xiàn)今地球上所能
- 關(guān)鍵字： GaN 數(shù)據(jù)服務(wù)器 效率
殺入新能源汽車市場(chǎng)的GaN，勝算幾何？
- 在電力電子應(yīng)用中，為了滿足更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。基于硅（Si）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導(dǎo)體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開(kāi)啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應(yīng)用之門。SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV，幾乎比硅的1.1eV帶
- 關(guān)鍵字： 貿(mào)澤電子 GaN
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