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SiC和GaN的技術應用挑戰(zhàn)
- 1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅(qū)動損耗和更高的開關速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉(zhuǎn)換器、大功率太陽能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應用。SiC 進入市場的時間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導通電阻。
- 關鍵字： 202310 納芯微 SiC GaN
東芝在SiC和GaN的技術產(chǎn)品創(chuàng)新
- 1 SiC、GaN相比傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據(jù)主導地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級應用。最為重要的一點，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質(zhì)，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關器件。此外，SiC 的導熱系數(shù)大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
- 關鍵字： 202310 東芝 SiC GaN
ST在SiC和GaN的發(fā)展簡況
- ST（ 意法半導體） 關注電動汽車、充電基礎設施、可再生能源和工業(yè)應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實現(xiàn)能效和功率密度更高的產(chǎn)品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開關管用于開發(fā)超快速充電和高頻功率轉(zhuǎn)換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小，重量更輕，開關和導通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
- 關鍵字： 202310 意法半導體 SiC GaN
基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小體積之PD快充方案
- 過往產(chǎn)品的充電裝置多由各家廠牌使用各自的接口，導致裝置汰換時將造成許多浪費。由于USB的普及，市面大部分的產(chǎn)品都透過此接口傳輸數(shù)據(jù)，進而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過去即使透過USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，則電子產(chǎn)品需要較長的時間來充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發(fā)表第一版USB Power Delivery規(guī)范 (USB Power Delivery Specifi
- 關鍵字： ST 意法半導體 GAN 第三代半導體 Power and energy PD 協(xié)議 快充
GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺
- 全球氮化鎵功率半導體領導廠商GaN Systems?今推出全新第四代氮化鎵平臺?(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領先的質(zhì)量因子?(figures of merit)。以GaN Systems 在?2022 年發(fā)表的?3.2kW 人工智能(AI) 服務器電源供應器來看，改采用最新第四代平臺，不僅效率超過鈦金級能效標準，功率密度更從?100W/in3提升至&nbs
- 關鍵字： GaN Systems 氮化鎵
日本新技術將GaN材料成本降90%
- 據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)，日本最大的半導體晶圓企業(yè)信越化學工業(yè)和從事ATM及通信設備的OKI開發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵(GaN)的功率半導體材料的技術。制造成本可以降至傳統(tǒng)制法的十分之一以下。如果能夠量產(chǎn)，用于快速充電器等用途廣泛，有利于普及。功率半導體裝入充電器、小型家電以及連接純電動汽車(EV)馬達與電池的控制裝置，用于控制電力等。如果使用GaN，可以控制大量的電力。根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究報告顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率
- 關鍵字： 日本 GaN 材料 成本
自動執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試
- _____減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術的投資，特別是數(shù)據(jù)中心和電動汽車領域。根據(jù)彭博社最新的電動汽車展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實現(xiàn)電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來方面的重要意義。越來越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開關模式電源和電機驅(qū)動器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉(zhuǎn)變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來的，包括比硅器件更快
- 關鍵字： 寬禁帶 SiC GaN 雙脈沖測試
GaN 如何在基于圖騰柱 PFC 的電源設計中實現(xiàn)高效率
- 幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都會用到 AC/DC 電源，它從交流電網(wǎng)中獲取電能，并將其轉(zhuǎn)化為調(diào)節(jié)良好的直流電壓傳輸?shù)诫姎庠O備。隨著全球范圍內(nèi)功耗的增加，AC/DC 電源轉(zhuǎn)換過程中的相關能源損耗成為電源設計人員整體能源成本計算的重要一環(huán)，對于電信和服務器等“耗電大戶”領域的設計人員來說更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個 100MW 數(shù)據(jù)
- 關鍵字： ti GaN 圖騰柱 PFC 電源
GaN Systems 與上海安世博能源科技結(jié)盟 推進氮化鎵進入中國電動車應用市場
- 【中國上海 – 2023年8月3日】氮化鎵功率半導體全球領導廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結(jié)盟，共同致力于加速并擴大氮化鎵功率半導體于電動車應用的發(fā)展。安世博能源科技為電源行業(yè)領導廠商，擁有完整電源供應器、電動車充電模塊及車載充電器產(chǎn)品解決方案。結(jié)合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車用領域所累積的應用實績，與安世博能源科技在高功率電源系統(tǒng)設計及批量生產(chǎn)的卓越能力，此次策略合作將為中國電動車行業(yè)帶來突破性革新。氮化鎵功率半導體將在實現(xiàn)下世代電動車對尺寸微縮、輕
- 關鍵字： GaN Systems 安世博 氮化鎵 電動車
意法半導體量產(chǎn)PowerGaN器件，讓電源產(chǎn)品更小巧、更清涼、更節(jié)能
- 2023年8月3日，中國 -意法半導體宣布已開始量產(chǎn)能夠簡化高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應用的性能。該系列先期推出的兩款產(chǎn)品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業(yè)級650V常關G-HEMT? 晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導通電阻(RDS(on))分別為7
- 關鍵字： 意法半導體 PowerGaN 氮化鎵 GaN
GaN如何在基于圖騰柱PFC的電源設計中實現(xiàn)高效率
- 幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都會用到 AC/DC 電源，它從交流電網(wǎng)中獲取電能，并將其轉(zhuǎn)化為調(diào)節(jié)良好的直流電壓傳輸?shù)诫姎庠O備。隨著全球范圍內(nèi)功耗的增加，AC/DC 電源轉(zhuǎn)換過程中的相關能源損耗成為電源設計人員整體能源成本計算的重要一環(huán)，對于電信和服務器等“耗電大戶”領域的設計人員來說更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個 100MW 數(shù)據(jù)
- 關鍵字： TI GaN PFC
ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積！
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側(cè)電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
- 關鍵字： ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
實測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態(tài)特性測試
- 氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表，具有極快的開關速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關速度又對其動態(tài)特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結(jié)果。傳統(tǒng)氮化鎵器件多用于消費類電子市場，研發(fā)高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子、新能源和電動汽車行業(yè)開拓新的應用市場。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家。這次測試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK，在市場上具有標志性意義，傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件最高電壓普
- 關鍵字： GaN HEMT 功率器件 動態(tài)特性測試
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