gan-on-sapphire器件 文章 進(jìn)入gan-on-sapphire器件技術(shù)社區(qū)
EPC起訴英諾賽科，要求保護(hù)氮化鎵(GaN)專利
- 案例聚焦新一代替代硅技術(shù)?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）于今日向美國聯(lián)邦法院和美國國際 貿(mào)易委員會(huì)（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎(chǔ)專利組合中的 四項(xiàng)專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統(tǒng)稱英諾賽科）侵犯。 這些專利 涉及宜普公司獨(dú)家的增強(qiáng)型氮化
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 EPC 英諾賽科 氮化鎵 GaN
意法半導(dǎo)體的100W和65W VIPerGaN功率轉(zhuǎn)換芯片節(jié)省空間
- 2023?年?5?月?19?日，中國——意法半導(dǎo)體高壓寬禁帶功率轉(zhuǎn)換芯片系列新增VIPerGaN100?和?VIPerGaN65兩款產(chǎn)品，適合最大功率100W和65W的單開關(guān)管準(zhǔn)諧振(QR)反激式功率轉(zhuǎn)換器。這個(gè)尺寸緊湊、高集成度的產(chǎn)品設(shè)計(jì)的目標(biāo)應(yīng)用包括USB-PD充電器、家電、智能建筑控制器、照明、空調(diào)、智能表計(jì)和其他工業(yè)應(yīng)用的開關(guān)式電源(SMPS)。?每個(gè)器件都集成了脈寬調(diào)制?(PWM)?控制器和650
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 GaN 功率轉(zhuǎn)換芯片
ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。據(jù)悉，電源和電機(jī)的用電量占全世界用電量的一大半，為實(shí)現(xiàn)無碳社會(huì)，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
- 關(guān)鍵字： ROHM 650V GaN HEMT
意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片
- 2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，采用隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償、電源正常指示，以及過流保護(hù)、熱關(guān)斷等保護(hù)功能。擴(kuò)
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 隔離式降壓轉(zhuǎn)換器 功率轉(zhuǎn)換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)
EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機(jī)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)
- 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設(shè)計(jì)增強(qiáng)了高功率應(yīng)用的電機(jī)系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實(shí)現(xiàn)更長的續(xù)航里程。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動(dòng)滑板車、小型電動(dòng)汽車、農(nóng)業(yè)機(jī)械、叉車和大功率無人機(jī)等應(yīng)用。EPC9186在每個(gè)開關(guān)位置使用四個(gè)并聯(lián)的EPC2302，可提供高達(dá)200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
- 關(guān)鍵字： EPC GaN FET ARMS 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨，2023年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
- 關(guān)鍵字： Nexperia E-mode GAN FET
深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊(duì)
- 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度達(dá)到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應(yīng)用有獨(dú)特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設(shè)計(jì)和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實(shí)現(xiàn)商用，6 英寸
- 關(guān)鍵字： GaN-on-Si 氮化鎵
氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因
- 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。?氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應(yīng)用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 GaN 電源管理
高電壓技術(shù)是構(gòu)建更可持續(xù)未來的關(guān)鍵
- 隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長，高電壓技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新讓設(shè)計(jì)工程師能夠開發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術(shù)更易于使用。?“隨著人均用電量的持續(xù)增長，可持續(xù)能源變得越來越重要，”TI 副總裁及高電壓產(chǎn)品部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示。“以負(fù)責(zé)的方式管理能源使用非常重要。我們不能浪費(fèi)任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術(shù)的創(chuàng)新是實(shí)現(xiàn)能源可持續(xù)的關(guān)鍵。”?隨著電力需求的增加（在 2 秒內(nèi)將電動(dòng)汽車 (EV) 從 0mph加速到 60mph?
- 關(guān)鍵字： 高電壓技術(shù) 電動(dòng)汽車 GaN IGBT
GaN 出擊
- 自上世紀(jì)五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著時(shí)間的流逝，盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導(dǎo)體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導(dǎo)體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關(guān)注。近段時(shí)間，GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計(jì)劃
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
基于Navitas NV6115的150W電源解決方案
- 傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體被設(shè)計(jì)用來提升系統(tǒng)的效率以及減少能量損失?？墒菍?shí)際上，出于兩個(gè)方面的原因-傳導(dǎo)和開關(guān)切換，設(shè)備可能會(huì)出現(xiàn)能量損失。GaN FET為第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)，其改善開關(guān)切換的延遲時(shí)間。納微（Navitas）半導(dǎo)體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅(qū)動(dòng)器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實(shí)現(xiàn)許多軟開關(guān)拓?fù)浜蛻?yīng)用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
- 關(guān)鍵字： NAVITAS NV6115 NV6117 GAN
GaN 良率受限，難以取代 IGBT
- GaN 要快速擴(kuò)散至各應(yīng)用領(lǐng)域，仍有層層關(guān)卡待突破。
- 關(guān)鍵字： GaN
市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導(dǎo)體成收購的熱門賽道
- 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核，其對第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。事實(shí)上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2023年3月2
- 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體 收購 SiC GaN
GaN 時(shí)代來了？
- 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動(dòng)力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預(yù)計(jì)第三代化合物半導(dǎo)體市場狀況將發(fā)生變化，GaN 被認(rèn)為會(huì)產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進(jìn)半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續(xù)擴(kuò)大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達(dá) 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機(jī)車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網(wǎng)
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護(hù)
- 當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計(jì)算機(jī)、電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高功率應(yīng)用中實(shí)施。實(shí)現(xiàn)這一壯舉的方法是提高電子設(shè)備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關(guān)速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應(yīng)用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產(chǎn)品的地方，適用于各行各業(yè)的不同應(yīng)用。當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計(jì)算機(jī)、電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高功
- 關(guān)鍵字： GaN HEMT 短路保護(hù)
gan-on-sapphire器件介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan-on-sapphire器件!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對gan-on-sapphire器件的理解，并與今后在此搜索gan-on-sapphire器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對gan-on-sapphire器件的理解，并與今后在此搜索gan-on-sapphire器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
gan-on-sapphire器件相關(guān)帖子
gan-on-sapphire器件資料下載
gan-on-sapphire器件專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473