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          氮化鎵襯底晶片實現(xiàn)“中國造”

          •   一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片,卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件,是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片,是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。   “不會游泳的時候就跳下了水”   蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商, 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設(shè)備開始研發(fā),逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
          • 關(guān)鍵字: GaN  氮化鎵  

          宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無線電源及高分辨率激光雷達(dá)應(yīng)用

          •   EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費電子應(yīng)用 -- 分別是無線充電及自動駕駛汽車的激光雷達(dá)應(yīng)用?! PC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無線充電系統(tǒng),可以在桌面上任何位置對多種設(shè)備同時充電,可傳送高達(dá)300 W功率。可傳送這么大功率使得我們可以同時對電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
          • 關(guān)鍵字: 宜普  GaN  

          制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開始

          •   接近62%的能源被白白浪費   美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說,而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計,本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點同樣在于能源的問題。這是一個關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。      圖1:整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

          •   未來五年,通信產(chǎn)業(yè)向5G時代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機市場,還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,并且,5G將為RF功率市場的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來重大市場機遇。   未來幾年,據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術(shù)趨勢-2017版》報告預(yù)計,隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長,RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間,整體RF功率市場營收或?qū)⒃鲩L75%,帶來9.8%的復(fù)合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
          • 關(guān)鍵字: GaN  5G  

          5G推動RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

          • 展望未來,采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù),LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
          • 關(guān)鍵字: 5G  GaN  

          2021年全球MOCVD市場將突破11億美元

          •   什么是MOCVD?   MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。   MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長,是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。   根據(jù)Technavio統(tǒng)計,全球MOCVD市場的復(fù)合年平均增長率將在2021年之前增長到14%,市場規(guī)模將從201
          • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  

          第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動新型功率器件

          • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  第三代半導(dǎo)體材料  

          趁著第三代半導(dǎo)體的東風(fēng),紫外LED要做弄潮兒

          • 本文主要介紹了第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會影響力。
          • 關(guān)鍵字: 照明  紫外LED  GaN  第三代半導(dǎo)體  

          GaN組件和AMO技術(shù)實現(xiàn)更高效率與寬帶

          • 隨著無線通信的帶寬、用戶數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴展,基地臺收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項優(yōu)勢,首先,最明顯的好 處是降低運營成本;同時,更少的熱意味著更低的設(shè)備冷卻需求以及更高的可靠性。
          • 關(guān)鍵字: GaN  AMO  放率放大器  LINC  DPDm  

          MACOM:硅基GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來的發(fā)展趨勢

          •   MACOM是半導(dǎo)體行業(yè)的支柱型企業(yè),在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中,公司敢于采用大膽的技術(shù)手段,為客戶提供真正的競爭優(yōu)勢并為投資者帶來卓越的價值,致力于構(gòu)筑更加美好的世界。   在基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)領(lǐng)域中,MACOM的技術(shù)提高了移動互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率,讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量,讓數(shù)百萬人在生活中每時每刻方便地交流溝通。   日前在上海舉辦的EDICON展會上,MACOM展出了一系列應(yīng)用在基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品,根據(jù)客戶的需求及痛點提供一站式解決方案。
          • 關(guān)鍵字: MACOM  GaN  

          汽車功率元器件市場前景廣闊

          •   汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件,是支撐新型電動汽車?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。   雖然智能手機的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源
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          前瞻性技術(shù):加速GaN技術(shù)應(yīng)用

          •   相較于過去所使用的硅晶體管,氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下,以更高的切換頻率運作。 這代表在相同條件下,GaN能夠較以硅為基礎(chǔ)的解決方案實現(xiàn)更高的效率。   電源供應(yīng)設(shè)計   德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型,讓工程師能夠輕松地將GaN技術(shù)設(shè)計至電源解決方案中,進(jìn)而超越傳統(tǒng)上功率密度限制。 基于數(shù)十年的電源測試專業(yè)經(jīng)驗,TI針對GaN進(jìn)行了數(shù)百萬小時的加速測試,并建立了能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設(shè)計的生態(tài)系統(tǒng)。   GaN將在功率密集的應(yīng)用中大展身手,它能夠在保持或提
          • 關(guān)鍵字: 德州儀器  GaN  

          汽車功率元器件市場前景廣闊

          •   雖然智能手機的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源相關(guān)芯片?! ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同,功率元器件FET通常運用更老的技術(shù)節(jié)點,使用200毫米(和
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          電源設(shè)計控必須了解的2017三大趨勢

          •   2017電源市場需求和技術(shù)趨勢風(fēng)向如何?來e星球,與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流!  需求往往是推動創(chuàng)新的源泉,無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求,潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā),也只有適應(yīng)需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內(nèi)外領(lǐng)先電源廠商集聚上海新國際博覽中心,深度探討2017年中國電源市場需求與走勢,
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          下一波功率轉(zhuǎn)換浪潮—專為實現(xiàn)太陽能光伏逆變器的安全、速度和成本效益而設(shè)計

          •   引言  太陽能不再是一項新興技術(shù),而是正在經(jīng)歷重大技術(shù)變革的技術(shù),日趨成熟。我們朝著電網(wǎng)平價(太陽能成本與傳統(tǒng)能源發(fā)電類型的成本相當(dāng)),并且改進(jìn)傳統(tǒng)能源發(fā)電類型構(gòu)成的目標(biāo)前進(jìn),因為將面板中的直流電轉(zhuǎn)換為可用交流電的過程變得更加高效且經(jīng)濟實惠?! 〉?,雖然太陽能面板在近幾年價格顯著降低,但下一波太陽能發(fā)展浪潮將由功率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的新技術(shù)推動。先進(jìn)復(fù)雜的多級功率開關(guān)拓?fù)涞呐d起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料,加上更高的工作電壓(最高1600 VDC),實現(xiàn)更加快速的功率開關(guān),與傳統(tǒng)系
          • 關(guān)鍵字: 光伏逆變器  GaN  
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          gan介紹

           GaN   即氮化鎵,屬第三代半導(dǎo)體材料。 [ 查看詳細(xì) ]

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