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gan 文章 進(jìn)入gan技術(shù)社區(qū)
盤點(diǎn)2018年全球電子產(chǎn)業(yè)最具代表性的十大“黑科技”
- 今年整個(gè)產(chǎn)業(yè)在技術(shù)上也是節(jié)節(jié)攀升，2018年可以說(shuō)是產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的一年，全球電子產(chǎn)業(yè)也產(chǎn)生了眾多技術(shù)突破。
- 關(guān)鍵字： 芯片，GaN
第三代半導(dǎo)體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)？
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來(lái)越高，它們?cè)谖磥?lái)的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的作用。特別是在未來(lái)三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會(huì)有非常廣闊的發(fā)展前景?！ ∪欢琒iC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來(lái)。 實(shí)際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 SiC GaN
QORVO?憑借行業(yè)首款28 GHZ GAN前端模塊增強(qiáng)其5G領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)
- 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天應(yīng)用RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼：QRVO)憑借行業(yè)首款 28 Ghz 氮化鎵 (GaN) 前端模塊 (FEM) --- QPF4001 FEM，擴(kuò)大了其 5G 業(yè)務(wù)范圍。在基站設(shè)備制造商涉足 5G 之后，這款新 FEM 可以幫助他們降低總體系統(tǒng)成本?！ ?jù) SNS Telecom & IT 介紹，28 GHz 頻段是早期基于 5G 的固定無(wú)線接入 (FWA) 部署的首選頻段，使運(yùn)營(yíng)商能夠滿足 5G 對(duì)速度、延遲、可靠性和容量的
- 關(guān)鍵字： QORVO GAN
德州儀器用2000萬(wàn)小時(shí)給出使用氮化鎵（GaN）的理由
- 在多倫多一個(gè)飄雪的寒冷日子里?！ ∥覀儙讉€(gè)人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級(jí)電力電子研究實(shí)驗(yàn)室中，進(jìn)行一場(chǎng)頭腦風(fēng)暴。有點(diǎn)諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，當(dāng)然不是要生熱取暖，而是如何減少功率轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的熱量。我們已經(jīng)將MOSFET和IGBT分別做到了極致，但是我們中沒(méi)有人對(duì)此感到滿意。在這個(gè)探討過(guò)程中，我們盤點(diǎn)了一系列在高壓環(huán)境中失敗的設(shè)備?！ ≡谀莻€(gè)雪花漫天飛舞的日子里，我們聚焦于選擇新方法和拓?fù)?，以尋求獲得更高的效率和密度，當(dāng)然也要找到改進(jìn)健全性的途徑。一位高級(jí)研究員幫助總
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN
尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機(jī)器人、可再生能源和電信等領(lǐng)域帶來(lái)革新
- 從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無(wú)減?！ 」桦娫醇夹g(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下，硅材料無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對(duì)于即將推出的5G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)，以及未來(lái)的機(jī)器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率都是一個(gè)至關(guān)重要的因素。 “工程師現(xiàn)在處于一個(gè)非常尷尬的境地，一方面他們無(wú)法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Behe
- 關(guān)鍵字： GaN，機(jī)器人
當(dāng)今的射頻半導(dǎo)體格局正在發(fā)生變化 - 為什么？
- 當(dāng)今的半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷翻天覆地的變化，這主要是由于終端市場(chǎng)需求變化和重大整合引起。幾十年前，業(yè)內(nèi)有許多家射頻公司，它們多半活躍于相同的市場(chǎng)，如今這種局面已被全新的市場(chǎng)格局所取代 - 有多個(gè)新興市場(chǎng)出現(xiàn)，多家硅谷公司與傳統(tǒng)芯片制造商進(jìn)行重大兼并和收購(gòu)。究竟有哪些因素推動(dòng)著市場(chǎng)格局不斷變化? 哪些因素在推動(dòng)變革? 半導(dǎo)體行業(yè)格局的變化從根本上由兩個(gè)要求驅(qū)動(dòng)：對(duì)無(wú)所不在的傳感和連接的需求。無(wú)論人們身處世界的哪個(gè)位置，無(wú)論在家中還是在工作場(chǎng)所，都希望能夠安全、有效地與他人溝通交流。市場(chǎng)不再僅僅滿足蜂窩手
- 關(guān)鍵字： 射頻半導(dǎo)體 GaN
德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)產(chǎn)品組合可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用
- 德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達(dá)10kW應(yīng)用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN)，50mΩ和70mΩ功率級(jí)產(chǎn)品組合。與AC/DC電源、機(jī)器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、電信和個(gè)人電子應(yīng)用中的硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)相比，LMG341x系列使設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設(shè)計(jì)。 德州儀器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過(guò)集成獨(dú)特的功能和保護(hù)特性，來(lái)實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，達(dá)到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級(jí)聯(lián)和獨(dú)立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過(guò)集成的<100ns電
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN
SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不再迷茫
- SiC和GaN MOSFET技術(shù)的出現(xiàn)，正推動(dòng)著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個(gè)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提高了多個(gè)百分點(diǎn)，而這在幾年前是不可想象的?！ ≡诂F(xiàn)實(shí)世界中，沒(méi)有理想的開(kāi)關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開(kāi)關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn)，既能實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗，又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換，并支持超快速開(kāi)關(guān)頻率，使得這些新技術(shù)既成就了DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)工程師的美夢(mèng)，但同時(shí)也變成了他們的惡夢(mèng)?！ ”热缫幻O(shè)計(jì)工程師正在開(kāi)發(fā)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如逆變器或馬達(dá)驅(qū)動(dòng)控制器，或者正在設(shè)
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
納微將在國(guó)際電力電子大會(huì)上發(fā)布GaNFast成果
- 納微(Navitas)半導(dǎo)體公司宣布成為2018年11月4日至7日在中國(guó)深圳舉辦的第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)及應(yīng)用會(huì)議(IEEEPEAC'2018)的鉆石贊助商。在此次大會(huì)上，納微將發(fā)布并展示GaNFast功率IC的重大發(fā)展成果，這些進(jìn)展推動(dòng)業(yè)界實(shí)現(xiàn)的新一代電源系統(tǒng)，將會(huì)打造能效、功率密度和快速充電的全新基準(zhǔn)。 這些技術(shù)發(fā)展成果從27W到300W，包括用于智能手機(jī)、筆記本電腦、一體式電腦、電視/顯示器以及GPU的充電器和適配器應(yīng)用。納微將展示客戶
- 關(guān)鍵字： GaN 電源 IC
意法半導(dǎo)體和Leti合作開(kāi)發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開(kāi)關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體能夠滿足高能效、高功率的應(yīng)用需求，包括混動(dòng)和電動(dòng)汽車車載充電器、無(wú)線充電和服務(wù)器?！ ”竞献黜?xiàng)目的重點(diǎn)是開(kāi)發(fā)和檢測(cè)在200mm晶片上制造的先進(jìn)的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu)。研究公司IHS認(rèn)為，該市場(chǎng)將在2019年至2024[1]年有超過(guò)2
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 GaN
兩個(gè)指標(biāo)讓GAN訓(xùn)練更有效
- 生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)(GAN)是當(dāng)今最流行的圖像生成方法之一，但評(píng)估和比較 GAN 產(chǎn)生的圖像卻極具挑戰(zhàn)性。之前許多針對(duì) GAN 合成圖像的研究都只用了主觀視覺(jué)評(píng)估，一些定量標(biāo)準(zhǔn)直到最近才開(kāi)始出現(xiàn)。本文認(rèn)為現(xiàn)有指標(biāo)不足以評(píng)估 GAN 模型，因此引入了兩個(gè)基于圖像分類的指標(biāo)——GAN-train 和 GAN-test，分別對(duì)應(yīng) GAN 的召回率(多樣性)和精確率(圖像質(zhì)量)。研究者還基于這兩個(gè)指標(biāo)評(píng)估了最近的 GAN 方法并證明了這些方法性能的顯著差異。上述評(píng)估指標(biāo)表明，數(shù)據(jù)集復(fù)雜程度(從 CIFAR10 到
- 關(guān)鍵字： GAN
寬禁帶技術(shù)-下一代功率器件
- 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動(dòng)因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長(zhǎng)以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)(400千瓦時(shí))的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業(yè)的碳排放量也一樣。隨著對(duì)能源的巨大需求，各國(guó)政府正在采取更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)和新的監(jiān)管措施，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品都需具有最高能效。 同時(shí)，我們看到對(duì)更高功率密度和更小空間的要求。電動(dòng)汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
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