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          消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦 HBM 等高利潤(rùn)產(chǎn)品
          
                                                            
            
                    	
          • 10 月 17 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦高利潤(rùn)產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長(zhǎng)點(diǎn)。SK 海力士今年減少了對(duì) CIS 業(yè)務(wù)的研發(fā)投資，同時(shí)月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場(chǎng)三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場(chǎng)份額，SK 海力士?jī)H以 4% 排在第六位，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。同時(shí)，SK 海力
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          • 關(guān)鍵字：
                        SK 海力士  CIS  HBM  內(nèi)存                          
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          HBM對(duì)DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升
          
                                                            
            
                    	
          • TrendForce指出，隨著AI服務(wù)器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)處高成長(zhǎng)階段，平均售價(jià)約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴(kuò)張，營(yíng)收貢獻(xiàn)將逐季上揚(yáng)。TrendForce指出，HBM市場(chǎng)仍處于高成長(zhǎng)階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務(wù)器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級(jí)下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動(dòng)HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺(tái)將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
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          • 關(guān)鍵字：
                        HBM  DRAM  TrendForce                          
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          HBM3e 12hi面臨良率和驗(yàn)證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過(guò)剩仍待觀察
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 近期市場(chǎng)對(duì)于2025年HBM可能供過(guò)于求的擔(dān)憂加劇，而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進(jìn)HBM3e仍是未知數(shù)，加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學(xué)習(xí)曲線長(zhǎng)，目前尚難判定是否會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能過(guò)剩局面。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，Samsung（三星）、SK 
hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處于持續(xù)驗(yàn)證階段。其中SK 
hynix與Micron進(jìn)度較快，有望于今年底完成
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          • 關(guān)鍵字：
                        HBM3e 12hi  良率  驗(yàn)證  HBM  TrendForce                          
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          HBM外另一大關(guān)注重點(diǎn)：新一代存儲(chǔ)器GDDR7是什么？
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著GDDR7存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格于今年確定，存儲(chǔ)器業(yè)者開(kāi)始推出GDDR7解決方案。與目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升級(jí)，提高游戲和其它類型工作負(fù)載的性能。什么是GDDR7存儲(chǔ)器呢？其實(shí)GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的顯示存儲(chǔ)器，如即將推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年問(wèn)世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的顯存時(shí)脈頻率為14 

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          • 關(guān)鍵字：
                        HBM  存儲(chǔ)器  GDDR7                          
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          SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達(dá)定制 HBM 內(nèi)存意向
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 8 月 20 日消息，據(jù)韓媒 MK 報(bào)道，SK 海力士負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存業(yè)務(wù)的副總裁 Ryu Seong-soo 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日在 SK 集團(tuán) 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達(dá)了希望 SK 海力士為其開(kāi)發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達(dá)、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進(jìn)行電話溝通，并為滿足這些企業(yè)的需
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  HBM  內(nèi)存                          
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          HBM 帶動(dòng)，三大內(nèi)存原廠均躋身 2024Q1 半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)營(yíng)收前四
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時(shí)間本月 7 日?qǐng)?bào)告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業(yè)營(yíng)收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾?！?圖源 IDC報(bào)告表示，數(shù)據(jù)中心對(duì) AI 訓(xùn)練與推理的需求飆升，其中對(duì) HBM 內(nèi)存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價(jià)和對(duì)通用 DRAM 產(chǎn)能的壓縮也推動(dòng) DRAM 平均價(jià)格上升，使總體內(nèi)存市場(chǎng)營(yíng)收大幅成長(zhǎng)。此外終端設(shè)備市場(chǎng)回穩(wěn)，AI PC、智能手機(jī)逐步發(fā)售，同樣提升
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          • 關(guān)鍵字：
                        內(nèi)存  存儲(chǔ)  HBM                          
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          因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價(jià) 15~20%
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見(jiàn)聞報(bào)道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價(jià) 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價(jià)主要是因?yàn)?HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價(jià)格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價(jià)格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預(yù)計(jì)價(jià)格會(huì)有所上漲?！?nbsp;SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時(shí)候還有報(bào)道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  HBM  存儲(chǔ)                          
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          美光將在中國(guó)臺(tái)灣加碼投資，或聚焦HBM
          
                                                            
            
                    	
          • 行業(yè)人士消息，美光總裁暨CEO Sanjay 
Mehrotra在今年7月訪問(wèn)中國(guó)臺(tái)灣，將帶來(lái)更進(jìn)一步合作，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國(guó)臺(tái)灣投資，除制造HBM先進(jìn)制程外，不排除有機(jī)會(huì)在中國(guó)臺(tái)灣創(chuàng)建第二個(gè)研發(fā)中心。據(jù)悉，中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部門于2021年5月申請(qǐng)領(lǐng)航企業(yè)研發(fā)深耕計(jì)劃（大A+），提出DRAM先進(jìn)技術(shù)暨高帶寬存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)航計(jì)劃，在中國(guó)臺(tái)灣設(shè)立第一個(gè)研發(fā)中心，獲補(bǔ)助47億元新臺(tái)幣，將研發(fā)先進(jìn)制程落腳在中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)。2021年，美光在中國(guó)臺(tái)灣申請(qǐng)
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          • 關(guān)鍵字：
                        美光  HBM                          
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          存儲(chǔ)技術(shù)，掀起一輪新革命
          
                                                            
            
                    	
          • 內(nèi)存市場(chǎng)迎來(lái)新一輪 DRAM 技術(shù)「革命」。
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          • 關(guān)鍵字：
                        HBM                          
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          存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的下一個(gè)“新寵”是？
          
                                                            
            
                    	
          • 人工智能AI浪潮下，以HBM為代表的新型DRAM存儲(chǔ)器迎來(lái)了新一輪的發(fā)展契機(jī)，而與此同時(shí)，在服務(wù)器需求推動(dòng)下，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開(kāi)始登上“歷史舞臺(tái)”。當(dāng)前，AI及大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展帶動(dòng)服務(wù)器CPU內(nèi)核數(shù)量同步增加，為滿足多核CPU中各內(nèi)核的數(shù)據(jù)吞吐要求，需要大幅提高內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬，在此情況下，服務(wù)器高帶寬內(nèi)存模組MRDIMM/MCRDIMM應(yīng)運(yùn)而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標(biāo)準(zhǔn)細(xì)節(jié)當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模組
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          • 關(guān)鍵字：
                        存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)  HBM  MRDIMM  MCRDIMM                          
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          HBM4持續(xù)加速：AI時(shí)代競(jìng)爭(zhēng)新焦點(diǎn)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • HBM4是目前發(fā)布的HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)化版，旨在進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時(shí)保持基本特性，例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個(gè)芯片和/或堆棧容量 —— 這些對(duì)于需要高效處理大數(shù)據(jù)集和復(fù)雜計(jì)算的應(yīng)用至關(guān)重要，包括生成人工智能（AI）、高性能計(jì)算、高端顯卡和服務(wù)器。
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                        HBM  AI  內(nèi)存                          
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          臺(tái)積電要抄三星的后路
          
                                                            
            
                    	
          • 在芯片制造領(lǐng)域，先進(jìn)制程的影響力和統(tǒng)治力越來(lái)越大，已經(jīng)從之前的邏輯芯片晶圓代工領(lǐng)域，拓展到最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片制造，這在臺(tái)積電和三星身上有凸出的體現(xiàn)。當(dāng)下的 3nm 制程晶圓代工，臺(tái)積電的市場(chǎng)統(tǒng)治力很明顯，三星處于弱勢(shì)地位。未來(lái)的 2nm 制程，三星必須加緊趕上，否則會(huì)越來(lái)越困難。在高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片制造方面，原本都由存儲(chǔ)芯片 IDM 大廠自家完成，但是，到了下一代的 HBM4，技術(shù)難度和制造難度提高了不少，需要更先進(jìn)的制程工藝參與進(jìn)來(lái)。2nm 制程針?shù)h相對(duì)據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電將于 7 月中旬開(kāi)始試生產(chǎn) 2n
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                        HBM                          
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          HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢(shì)可期
          
                                                            
            
                    	
          • 近期在智慧手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上，用于暫時(shí)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的DRAM價(jià)格漲勢(shì)停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報(bào)價(jià)漲勢(shì)。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開(kāi)，對(duì)一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng)，加上產(chǎn)業(yè)旺季來(lái)臨，可帶動(dòng)DRAM重啟漲勢(shì)。 據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價(jià)約2.10美元、容量較小的4GB合約價(jià)1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對(duì)價(jià)格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過(guò)輝達(dá)（NVIDIA）認(rèn)證，輝達(dá)GB200將于2025年放量，其
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                        HBM  DRAM  美光                          
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          巨頭搶奪戰(zhàn)，HBM被徹底引爆
          
                                                            
            
                    	
          • 在英偉達(dá)一步步站穩(wěn)萬(wàn)億市值腳根的道路上，少不了兩項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)支持，其中之一是由臺(tái)積電主導(dǎo)的 CoWoS 先進(jìn)封裝，另一個(gè)便是席卷當(dāng)下的 HBM（高帶寬存儲(chǔ)）。英偉達(dá) H200 是首次采用 HBM3E 存儲(chǔ)器規(guī)格的 AI 加速卡。借助內(nèi)存速度更快、容量更大的 HBM3e，英偉達(dá) H200 以每秒 4.8TB 的速度提供 141GB 的內(nèi)存，與 A100 相比，容量幾乎是其兩倍，帶寬也提升了 43%，從而加速生成式 AI 和大語(yǔ)言模型，提高高性能計(jì)算（HPC）的工作負(fù)載。隨著人工智能的興起，HBM 成為巨頭們搶
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                        HBM                          
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          SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)
          
                                                            
            
                    	
          • 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》17日訊，SK海力士計(jì)劃于2026年在其HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合，目前半導(dǎo)體封裝公司Genesem已提供兩臺(tái)下一代混合鍵合設(shè)備安裝在SK海力士的試驗(yàn)工廠，用于測(cè)試混合鍵合工藝?；旌湘I合取消了銅焊盤之間使用的凸塊和銅柱，并直接鍵合焊盤，這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進(jìn)行堆疊，并增加帶寬。
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                        SK  海力士  HBM  混合鍵合技術(shù)                          
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(function(){
    var bp = document.createElement('script');
    var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0];
    if (curProtocol === 'https') {
        bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js';
    }
    else {
        bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js';
    }
    var s = document.getElementsByTagName("script")[0];
    s.parentNode.insertBefore(bp, s);
})();