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存儲大廠10億美元加碼HBM先進封裝
- SK海力士負責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長認為，半導(dǎo)體行業(yè)前50年都在專注芯片本身的設(shè)計和制造，但是，下一個 50 年，一切將圍繞芯片封裝展開。據(jù)彭博社報道，SK海力士（SK Hynix）今年將在韓國投資超過10億美元，用于擴大和改進其芯片制造的最后步驟，即先進封裝。前三星電子工程師、現(xiàn)任 SK Hynix 封裝開發(fā)主管的李康旭表示，推進封裝工藝創(chuàng)新是提高HBM性能、降低功耗的關(guān)鍵所在，也是SK海力士鞏固HBM市場領(lǐng)先地位的必由之路。高度聚焦先進封裝SK海力士HBM不斷擴產(chǎn)SK海力士在最近的財報中表示，
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HBM：屬于大廠的游戲，而非全部存儲廠商的狂歡？
- 近期，存儲廠商南亞科總經(jīng)理李培瑛對外表示，HBM目前產(chǎn)品溢價較高，確實會對存儲器廠商營收有所貢獻，但其占全球DRAM位元數(shù)僅約2%。因此，以當(dāng)前南亞科在DRAM市場的市占率而言，現(xiàn)階段不適合公司投入大量資源爭奪HBM市場。存儲市場正掀起AI狂歡熱潮，HBM技術(shù)也從幕后走向臺前，并成為推動存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的強勁動能。不過，HBM技術(shù)含量高、在DRAM占比小，因此決定了該技術(shù)是屬于三星、SK海力士、美光等大廠的“游戲”，而非全部存儲廠商的“狂歡”。如今，存儲大廠的HBM戰(zhàn)局已然打響，并瞄準了最新的HBM3E技術(shù)
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全球HBM戰(zhàn)局打響！
- AI服務(wù)器浪潮席卷全球，帶動AI加速芯片需求。DRAM關(guān)鍵性產(chǎn)品HBM異軍突起，成為了半導(dǎo)體下行周期中逆勢增長的風(fēng)景線。業(yè)界認為，HBM是加速未來AI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵科技之一。近期，HBM市場動靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲兩大廠釋出2024年HBM產(chǎn)能售罄。與此同時，HBM技術(shù)再突破、大客戶發(fā)生變動、被劃進國家戰(zhàn)略技術(shù)之一...一時間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全稱為High Bandwidth Memory），是高帶寬存儲器，是屬于圖形DDR內(nèi)存的一種。從技術(shù)原理上講，HB
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美光、SK海力士今年HBM已售罄
- 繼此前美光宣布 HBM 產(chǎn)能全部售罄之后，SK 海力士今年的 HBM 產(chǎn)能也已經(jīng)全部售罄。
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兩家存儲大廠：今年HBM售罄
- 近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開始為2025年做準備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計已全部售罄。生成式AI火熱發(fā)展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準HBM擴產(chǎn)。其中，三星電子從2023年四季度開始擴大HBM3的供應(yīng)。此前2023年四季度三星內(nèi)部消息顯示，已經(jīng)向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開始量產(chǎn)。到下半年，其占比預(yù)計將
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價格暴漲500%，HBM市場徹底被引爆
- 內(nèi)存技術(shù)作為計算機系統(tǒng)的核心組成部分，其性能的提升對于整體計算能力的提升至關(guān)重要。在這個背景下，高帶寬內(nèi)存（HBM）以其卓越的性能表現(xiàn)，正逐漸在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域嶄露頭角，成為推動計算領(lǐng)域進入全新時代的關(guān)鍵力量。相較于傳統(tǒng)的動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM），HBM 的性能優(yōu)勢顯而易見。遠遠超越 DDRDDR 是一種常見的計算機內(nèi)存類型，最早是為了提高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾识O(shè)計的。它采用了雙倍數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，即在每個時鐘周期內(nèi)可以傳輸兩次數(shù)據(jù)，從而提高了數(shù)據(jù)傳輸速率。目前最常見的 DDR 版本是 DDR4、DDR5，但在過去還
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SK海力士“狂飆”，HBM是“救命良藥”
- 最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度財報，2023 年第四季度實現(xiàn)扭虧為盈，當(dāng)季營業(yè)利潤 3460 億韓元（約合 2.6 億美元），而上年同期營業(yè)虧損 1.91 萬億韓元。這意味著，SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來一直持續(xù)的營業(yè)虧損情況。相比之下，同為韓國半導(dǎo)體巨頭的三星，業(yè)績卻不盡如人意。數(shù)據(jù)顯示，三星電子去年銷售額為 258.16 萬億韓元（1.4 萬億元人民幣），同比下滑 14.58%。受半導(dǎo)體部門業(yè)績不佳影響，三星電子全年營業(yè)利潤時隔 15 年再次跌至 10 萬億韓元（544
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大廠有意擴產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存
- 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇明確，包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司，去年12月營收呈現(xiàn)月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計劃階段性擴產(chǎn)，為內(nèi)存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度，NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。針對內(nèi)存大廠有意擴產(chǎn)，國內(nèi)存儲器廠商則認為，海力士擴廠應(yīng)集中在DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品為主，因為臺灣目前產(chǎn)品主攻DDR4，不致影響產(chǎn)品報價。TrendForc
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你所需要知道的HBM技術(shù)
- 在2024年即將到來之際，多家機構(gòu)給出預(yù)測，認定生成式AI將成為2024年的增長重點之一?；仡?023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應(yīng)用，這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域，根據(jù)權(quán)威機構(gòu)預(yù)測，2023年和2024年，AI服務(wù)器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時，也極大帶動了市場對新一代內(nèi)存芯片HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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DRAM掀起新一輪熱潮，封裝技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用
- 處理器，無論是 CPU、GPU、FPGA，還是 NPU，要想正常運行，都離不開 RAM，特別是 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器），它已經(jīng)成為各種系統(tǒng)（PC，手機，數(shù)據(jù)中心等）中內(nèi)存的代名詞。根據(jù)應(yīng)用不同，系統(tǒng)對芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成標準 DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）、LPDDR、GDDR 等，當(dāng)然，主要就是這三類。其中，DDR 是相對于 SDR（單數(shù)據(jù)速率）而言的，將 I/O 時鐘加倍了，主要為 PC 和數(shù)據(jù)中心的 CPU 服務(wù)，目前已經(jīng)發(fā)展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
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存儲器大廠積極布局，DDR5與HBM受青睞
- 今年以來，ChatGPT持續(xù)推動生成式AI需求上漲，加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞，存儲器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5：美光發(fā)布新品、三星計劃擴大產(chǎn)線當(dāng)前DDR5制程已經(jīng)來到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達 7200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內(nèi)存采用先進的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高
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