hbm 文章 進(jìn)入hbm技術(shù)社區(qū)
一文看懂TSV技術(shù)
- 前言從HBM存儲(chǔ)器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項(xiàng)技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛?。?000年的第一個(gè)月，Santa Clara Universi
- 關(guān)鍵字： 芯片 TSV HBM NAND 先進(jìn)封裝
三星、美光大動(dòng)作，擴(kuò)產(chǎn)HBM
- 存儲(chǔ)市場(chǎng)消費(fèi)電子應(yīng)用疲軟的環(huán)境下，HBM成為發(fā)展新動(dòng)能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴(kuò)產(chǎn)HBM的消息。大廠積極布局HBM近期，媒體報(bào)道三星為了擴(kuò)大HBM產(chǎn)能，已收購(gòu)三星顯示（Samsung Display）韓國(guó)天安廠區(qū)內(nèi)部分建筑及設(shè)備，用于HBM生產(chǎn)。據(jù)悉，三星計(jì)劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規(guī)模生產(chǎn)HBM，該公司已花費(fèi)105億韓元購(gòu)買上述建筑和設(shè)備等，預(yù)計(jì)追加投資7000億-1萬億韓元。 此前，據(jù)三星電子副社長(zhǎng)、DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人黃尚俊透露，三星已開發(fā)出9.8Gbps的H
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HBM 的未來是光速 - 集成光子學(xué)的未來設(shè)計(jì)
- HBM 的未來不僅是光明的：它還具有光速、超帶寬和超低功耗。 在今年的開放計(jì)算項(xiàng)目 (OCP) 全球峰會(huì)上，三星先進(jìn)封裝團(tuán)隊(duì) Yan Li 向我們展示了一個(gè)比我們想象的更加集成的未來：隨著高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的進(jìn)一步發(fā)展，熱和晶體管密度問題可能會(huì)得到解決。 通過光子學(xué)來解決。 光子學(xué)基于一種可以對(duì)單個(gè)光子（光的粒子/波）信息進(jìn)行編碼的技術(shù)，這意味著它改善了（幾乎）我們當(dāng)前計(jì)算環(huán)境中我們關(guān)心的一切。 功耗大幅降低（發(fā)射的是光粒子而不是電子流），處理速度也得到提高（延遲達(dá)到飛秒級(jí)，傳播速度接近光
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三星、美光計(jì)劃擴(kuò)大HBM產(chǎn)能
- 在消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)低迷的背景下，高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動(dòng)力，最新報(bào)告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴(kuò)張HBM DRAM 。三星耗資105億韓元，收購(gòu)了三星顯示位于韓國(guó)天安市的某些工廠和設(shè)備，以擴(kuò)大HBM產(chǎn)能。三星還計(jì)劃再投資7000億至1萬億韓元，用于新建新的封裝線。此前報(bào)道，三星副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Hwang Sang-jun先生透露，三星已開發(fā)出速度為9.8Gbps的HBM3E，并計(jì)劃開始向客戶提供樣品。同時(shí)，三星還正在開發(fā)HBM4的各種技術(shù)，包括針對(duì)高溫?zé)崽匦院突旌湘I
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抓住 AI 大趨勢(shì)，三星、美光積極籌備 HBM 擴(kuò)建計(jì)劃
- IT之家 11 月 8 日消息，在消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)低迷的背景下，高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動(dòng)力，最新報(bào)告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴(kuò)張 HBM DRAM。圖源：三星最新報(bào)道稱三星電子耗資 105 億韓元，收購(gòu)了三星顯示位于韓國(guó)天安市的某些工廠和設(shè)備，以擴(kuò)大 HBM 產(chǎn)能。三星電子還計(jì)劃再投資 7000 億至 1 萬億韓元，用于新建新的封裝線。IT之家此前報(bào)道，三星電子副總裁兼 DRAM 產(chǎn)品和技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人 Hwang Sang-jun 先生透露，三星已開發(fā)出速度為 9.8Gbp
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大模型市場(chǎng)，不止帶火HBM
- 近日，HBM 成為芯片行業(yè)的火熱話題。據(jù) TrendForce 預(yù)測(cè)，2023 年高帶寬內(nèi)存（HBM）比特量預(yù)計(jì)將達(dá)到 2.9 億 GB，同比增長(zhǎng)約 60%，2024 年預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增長(zhǎng) 30%。2008 年被 AMD 提出的 HBM 內(nèi)存概念，在 2013 年被 SK 海力士通過 TSV 技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)，問世 10 年后 HBM 似乎真的來到了大規(guī)模商業(yè)化的時(shí)代。HBM 的概念的起飛與 AIGC 的火爆有直接關(guān)系。AI 服務(wù)器對(duì)帶寬提出了更高的要求，與 DDR SDRAM 相比，HBM 具有更高的帶寬和更
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AI及HPC需求帶動(dòng)對(duì)HBM需求容量將年增近60%
- 為解決高速運(yùn)算下，存儲(chǔ)器傳輸速率受限于DDR SDRAM帶寬而無法同步成長(zhǎng)的問題，高帶寬存儲(chǔ)器（High Bandwidth Memory，HBM）應(yīng)運(yùn)而生，其革命性傳輸效率是讓核心運(yùn)算元件充分發(fā)揮效能的關(guān)鍵。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM已成主流，預(yù)估2023年全球HBM需求量將年增近六成，來到2.9億GB ，2024年將再成長(zhǎng)三成。TrendForce集邦咨詢預(yù)估到2025年，全球若以等同ChatGPT的超大型AIGC產(chǎn)品5款、Midjourney的
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三星將于今年下半年開始批量生產(chǎn)HBM芯片
- AI服務(wù)器需求，帶動(dòng)HBM提升，繼HanmiSemiconductor之后，又有一存儲(chǔ)大廠在加速HBM布局。據(jù)韓媒《TheKoreaTimes》6月27日?qǐng)?bào)道，三星電子將于今年下半年開始批量生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片，以滿足持續(xù)增長(zhǎng)的人工智能（AI）市場(chǎng)。根據(jù)報(bào)道，三星將量產(chǎn)16GB、24GB的HBM3存儲(chǔ)芯片，這些產(chǎn)品數(shù)據(jù)處理速度可達(dá)到6.4Gbps，有助于提高服務(wù)器的學(xué)習(xí)計(jì)算速度。三星執(zhí)行副總裁Kim Jae-joon在4月份的電話會(huì)議上表示，該公司計(jì)劃在今年下半年推出下一代HBM3P產(chǎn)品，以滿
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AI大勢(shì)！GPU訂單排到明年、HBM與先進(jìn)封裝需求大漲
- 2023年ChatGPT引發(fā)的AI熱潮仍在繼續(xù)，近期媒體報(bào)道，今年擁有云端相關(guān)業(yè)務(wù)的企業(yè)，大多都向英偉達(dá)采購(gòu)了大量GPU，目前該公司訂單已排至2024年。同時(shí)，由于英偉達(dá)大量急單涌入，晶圓代工企業(yè)臺(tái)積電也從中受益。據(jù)悉，英偉達(dá)正向臺(tái)積電緊急追單，這也令臺(tái)積電5納米制程產(chǎn)能利用率推高至接近滿載。臺(tái)積電正以超級(jí)急件（superhotrun）生產(chǎn)英偉達(dá)H100、A100等產(chǎn)品，而且訂單排至年底。業(yè)界認(rèn)為，隨著ChatGPT等AIGC（生成式人工智能）快速發(fā)展，未來市場(chǎng)對(duì)GPU的需求將不斷上升，并將帶動(dòng)HBM以及
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英特爾至強(qiáng)CPU Max系列：整合高帶寬內(nèi)存（HBM）和至強(qiáng)處理器內(nèi)核
- 治療癌癥、減緩全球變暖、保護(hù)生態(tài)健康——當(dāng)今世界充滿了各種挑戰(zhàn)。因此，通過科技緊跟時(shí)代發(fā)展步伐，并充分利用不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)至關(guān)重要。這不僅涉及數(shù)據(jù)的處理速度，也涉及能夠處理的海量數(shù)據(jù)，以及數(shù)據(jù)在內(nèi)存和處理器之間的傳輸速度。 英特爾設(shè)計(jì)工程部首席工程師、英特爾?至強(qiáng)? CPU Max系列（代號(hào)Sapphire Rapids HBM）首席架構(gòu)師Ugonna Echeruo如此描述這一挑戰(zhàn)：究其根本，一顆CPU是從內(nèi)存獲取信息、對(duì)其進(jìn)行處理并更新。CPU最終可以處理的信息量受限于數(shù)據(jù)傳輸“管道”的寬窄。
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AI服務(wù)器需求帶動(dòng)HBM供應(yīng)
- AI服務(wù)器出貨動(dòng)能強(qiáng)勁帶動(dòng)HBM（high bandwidth memory）需求提升，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士（SK hynix）50%、三星（Samsung）約40%、美光（Micron）約10%。此外，高階深度學(xué)習(xí)AI GPU的規(guī)格也刺激HBM產(chǎn)品更迭，2023下半年伴隨NVIDIA H100與AMD MI300的搭載，三大原廠也已規(guī)劃相對(duì)應(yīng)規(guī)格HBM3的量產(chǎn)。因此，在今年將有更多客戶導(dǎo)入HBM3的預(yù)期下，SK海力士作為目
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速度優(yōu)勢(shì)是HBM產(chǎn)品成功的關(guān)鍵
- 高帶寬存儲(chǔ)器（HBM, High Bandwidth Memory）是一種可以實(shí)現(xiàn)高帶寬的高附加值DRAM產(chǎn)品，適用于超級(jí)計(jì)算機(jī)、AI加速器等對(duì)性能要求較高的計(jì)算系統(tǒng)。隨著計(jì)算技術(shù)的發(fā)展，機(jī)器學(xué)習(xí)的應(yīng)用日漸廣泛，而機(jī)器學(xué)習(xí)的基礎(chǔ)是自20世紀(jì)80年代以來一直作為研究熱點(diǎn)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型。作為速度最快的DRAM產(chǎn)品，HBM在克服計(jì)算技術(shù)的局限性方面發(fā)揮著關(guān)鍵的作用。HBM的高帶寬離不開各種基礎(chǔ)技術(shù)和先進(jìn)設(shè)計(jì)工藝的支持。由于HBM是在3D結(jié)構(gòu)中將一個(gè)邏輯die與4-16個(gè)DRAM die堆疊在一起，因此開發(fā)過
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漢高電子材料攜創(chuàng)新解決方案亮相SEMICON China 2020
- 2020年6月28日，半導(dǎo)體和電子行業(yè)的年度盛會(huì)SEMICON China在上海隆重舉行。全球粘合劑市場(chǎng)的領(lǐng)先者漢高再次亮相此次展會(huì)，粘合劑技術(shù)電子材料業(yè)務(wù)在展會(huì)期間全方位展示了應(yīng)用于先進(jìn)封裝、存儲(chǔ)器和攝像頭模組等領(lǐng)域的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案。先進(jìn)封裝目前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于一段轉(zhuǎn)折期，數(shù)據(jù)爆炸性增長(zhǎng)推動(dòng)了以數(shù)據(jù)為中心的服務(wù)器、客戶端、移動(dòng)和邊緣計(jì)算等架構(gòu)對(duì)高性能計(jì)算的需求，對(duì)5G部署、手持設(shè)備封裝中小型化和集成的持續(xù)需求，這些趨勢(shì)推動(dòng)了先進(jìn)封裝逐步進(jìn)入成熟期。當(dāng)前半導(dǎo)體和封裝技術(shù)快速發(fā)展，對(duì)于芯片與電子產(chǎn)
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三星主攻HBM、英特爾集中eDRAM 跳脫存儲(chǔ)器頻寬限制
- 挹注次世代存儲(chǔ)器半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)投資的三星電子(Samsung Electronics)和英特爾(Intel)為打破存儲(chǔ)器業(yè)界最大議題頻寬(bandwith)的上限，正各自尋找解決方法。三星專注于研發(fā)高頻寬存儲(chǔ)器(HBM)和次世代SRAM技術(shù)，英特爾則正在研發(fā)嵌入式DRAM(eDRAM)。 據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo)，英特爾預(yù)計(jì)2017年推出的次世代芯片Kaby Lake，將采用14納米FinFET制程，搭載較Skylake容量增加2倍的256MB的eDRAM。eDRAM不同于一般DRAM，
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