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	high na euv
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          Intel：14nm進展順利 一兩年后量產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Intel CTO Justin Rattner近日對外披露說，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計劃順利進行，會在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。
　　2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項新工藝的開發(fā)，并為其投產(chǎn)擴大對俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產(chǎn)要等到2014年了。
　　而從2015年開始，Intel又會陸續(xù)進入10nm、7nm、5nm等更新工藝節(jié)點。
　　Rattner指出，Intel
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          • 關(guān)鍵字：
                        Intel  晶圓  EUV                          
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          High-end A4監(jiān)聽音箱的制作
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 一、設(shè)計及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
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          • 關(guān)鍵字：
                        制作  音箱  監(jiān)聽  A4  High-end                          
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          High-end A4監(jiān)聽音箱的制作方法
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 一、設(shè)計及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸ǎ笠粝渥龅帽M可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
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          • 關(guān)鍵字：
                        制作方法  音箱  監(jiān)聽  A4  High-end                          
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          臺積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)
          
                                                            
            
                    	
          • 而關(guān)于臺積電是否足夠支應大舉投資ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)則認為，臺積電截至今年第2季為止手頭有約50億美元的現(xiàn)金，估計今年全年，從盈余中可望取得93億美元左右的現(xiàn)金流，且臺積電今年預估會再募集10億美元左右的公司債，因此大體而言將足夠支付包括今年82.5億美元的資本支出，以及用于ASML的投資費用。
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          • 關(guān)鍵字：
                        臺積電  EUV                          
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          安森美ADS軟件的 High-Q IPD工藝設(shè)計套件
          
                                                            
            
                    	
          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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          • 關(guān)鍵字：
                        安森美  ADS  High-QIPD  高電阻率  硅銅                          
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          電流-頻率轉(zhuǎn)換電路--1NA~100UA轉(zhuǎn)0.1HZ~10KHZ
          
                                                            
            
                    	
          • IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負6次方/800*10的負12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時間林約是9MS，頻率為111HZ。實際上必須加上上升時間，所以振蕩頻率大約為100HZ。 因為C1的微調(diào)很困難，所以允許A2的正
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          • 關(guān)鍵字：
                        100  0.1  KHZ  NA                            
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          如何制作High-end A4監(jiān)聽音箱
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 一、設(shè)計及制作
            由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸ǎ笠粝渥龅帽M可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關(guān)系：
            no＝knmiddot;f33middot;VB
            上式中，k
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          • 關(guān)鍵字：
                        監(jiān)聽  音箱  A4  High-end  制作  如何                          
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          IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓
          
                                                            
            
                    	
          • 　　IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
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          • 關(guān)鍵字：
                        EUV  晶圓                          
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          MIT研究顯示電子束光刻可達9納米精度
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美國麻省理工學院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結(jié)果，這一進展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術(shù)展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術(shù)目前在商業(yè)化方面領(lǐng)先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術(shù)，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強光源和光掩膜保護膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。
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          • 關(guān)鍵字：
                        光刻  EUV                          
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          光源問題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題
          
                                                            
            
                    	
          • 　　GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開的高級半導體制造技術(shù)會議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過程中最“忐忑”的因素。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        GlobalFoundries  EUV                          
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          英特爾10nm設(shè)計規(guī)則初定  EUV技術(shù)恐錯失良機
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預計在2013下半年實現(xiàn)。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進行生產(chǎn)。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        英特爾  EUV                          
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          通向14/15nm節(jié)點的技術(shù)挑戰(zhàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　當半導體業(yè)準備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)
　　對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因為隨著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個挑戰(zhàn)。
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          • 關(guān)鍵字：
                        EUV  節(jié)點技術(shù)                          
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          次世代微影技術(shù)主流之爭　
          
                                                            
            
                    	
          • 　　目前次世代微影技術(shù)發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn)，而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術(shù)最快于2014年可望進入量產(chǎn)，而應用存儲器制程又將早于邏輯制程，他也指出，無光罩多重電子束恐怕來不及進入量產(chǎn)。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        微影技術(shù)  EUV                          
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          Derive simple high-current source from lab sup
          
                                                            
            
                    	
          • Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
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          • 關(guān)鍵字：
                        high-current  Derive  simple  source                            
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          GlobalFoundries投入EUV技術(shù)　4年后量產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布，投入EUV微影技術(shù)，預計于2012年下半將機臺導入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。
　　由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術(shù)，讓微影技術(shù)得以發(fā)展至2x奈米，不過浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長的光源，走到22奈米已
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          • 關(guān)鍵字：
                        臺積電  EUV  晶圓代工                          
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          high na euv介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條high na euv!
           
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          熱門主題
          
      			
          
      			
          
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