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混合動(dòng)力電動(dòng)車(chē)應(yīng)用中大功率器件的五大要素
- 盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車(chē)可以相對(duì)輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車(chē)載系統(tǒng)的電氣需...
- 關(guān)鍵字： 混合動(dòng)力 電動(dòng)車(chē) 大功率器件 IGBT MOSFET
英飛凌600V功率開(kāi)關(guān)器件家族又添新丁
- 在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)(5月17日至19日)上，英飛凌科技(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)600V逆導(dǎo)型(RC)IGBT家族的兩名新成員閃亮登場(chǎng)。這兩款新的功率開(kāi)關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速I(mǎi)GBT，可以設(shè)計(jì)更高能效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)家用電器，它們使用更小的組件，因而總成本低于同類(lèi)系統(tǒng)。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT
英飛凌推出最新EconoPACK? + D家族
- 在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)(5月17日至19日)上，英飛凌科技展出了最新EconoPACK? + D家族——額定電流最高為450A的最新一代1200V和1700V系列功率半導(dǎo)體模塊。以業(yè)界享有盛譽(yù)的EconoPACK?+平臺(tái)為藍(lán)本，英飛凌開(kāi)發(fā)了新的EconoPACK ? + D系列，以滿(mǎn)足諸如可再生能源系統(tǒng)、商用電動(dòng)車(chē)輛、電梯、工業(yè)驅(qū)動(dòng)裝置或電源等應(yīng)用不斷提高的要求。得益于諸如超聲波焊接功率端子、優(yōu)化基板結(jié)構(gòu)或可靠
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT
高頻條件下IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與仿真
- 摘要：文中對(duì)大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)的開(kāi)關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)要求進(jìn)行了分析和討論，介紹了一種高頻條件下實(shí)用的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，并通過(guò)理論分析和仿真波形說(shuō)明了該驅(qū)動(dòng)電路的有效
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 仿真 電路 驅(qū)動(dòng) 條件 IGBT 高頻
基于IGBT的高可靠性驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
- 按照915MHz RFID電子標(biāo)簽的要求，設(shè)計(jì)電子標(biāo)簽整體電路如下。它主要由射頻接口部分和控制部分組成 ，射頻接口部分是研究的重點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： 電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) 可靠性 IGBT 基于
華潤(rùn)微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)成功
- 華潤(rùn)微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)微電子”）宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)上華”）已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。
- 關(guān)鍵字： 華潤(rùn)微電子 IGBT
華潤(rùn)微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)成功
- 華潤(rùn)微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)微電子”）宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)上華”）已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。 華潤(rùn)上華開(kāi)發(fā)的該工藝產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)如最高耐壓V(BR)CES、導(dǎo)通飽和電壓VCE(on)、關(guān)斷損耗Eoff ，以及在實(shí)際應(yīng)用中的溫升效果都與國(guó)際大廠相當(dāng)，該工藝產(chǎn)品主要應(yīng)用于電磁爐。根據(jù)國(guó)內(nèi)權(quán)威的
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基于數(shù)字信號(hào)處理器的IGBT驅(qū)動(dòng)電路可靠性分析與設(shè)計(jì)
- 摘要：隨著半導(dǎo)體技術(shù)與大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字信號(hào)處理器在交流調(diào)速及運(yùn)動(dòng)控制領(lǐng)域應(yīng)用越來(lái)越廣。數(shù)字信號(hào)處理器與功率器件接口電路設(shè)計(jì)的合理完善直接關(guān)系到系統(tǒng)長(zhǎng)期工作的可靠性。同時(shí)，低壓供電數(shù)字信號(hào)
- 關(guān)鍵字： 可靠性 分析 設(shè)計(jì) 電路 驅(qū)動(dòng) 數(shù)字 信號(hào)處理器 IGBT 基于
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