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          爾必達(dá)中國(guó)大陸設(shè)廠將引發(fā)新一輪DRAM戰(zhàn)火

          •   繼三星電子(Samsung Electronics)宣布巨額資本支出計(jì)畫(huà)后,爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄亦表示,最快將在2012年前與臺(tái)系DRAM廠到大陸設(shè)新廠房,并將邀請(qǐng)大陸政府官方入股。業(yè)界推測(cè)爾必達(dá)落腳之處有兩個(gè)選項(xiàng),其一是茂德的重慶渝德廠旁空地,其二是2008年?duì)柋剡_(dá)與蘇州創(chuàng)投原本要合建12寸晶圓廠和發(fā)用地,坂本幸雄所指合作的臺(tái)系DRAM廠,茂德雀屏中選機(jī)率相當(dāng)高。不過(guò),茂德對(duì)此表示不方便評(píng)論。   DRAM產(chǎn)業(yè)好不容易走出崩盤的跌價(jià)陰霾,但各廠才開(kāi)始賺錢,再度展現(xiàn)積極投入擴(kuò)產(chǎn)的豪情壯
          • 關(guān)鍵字: Elpida  DRAM  晶圓  

          Gartner指出2010年全球半導(dǎo)體收入將增長(zhǎng)27%

          •   根據(jù)全球技術(shù)研究和咨詢公司Gartner最新的展望報(bào)告,2010年全球半導(dǎo)體收入預(yù)計(jì)將達(dá)到2,900億美元,與2009年2,280億美元的收入相比,增長(zhǎng)27.1%。   Gartner已經(jīng)上調(diào)了于今年第一季度所做的全球半導(dǎo)體銷售額將增長(zhǎng)19.9%的預(yù)期。Gartner分析師表示,之所以上調(diào)預(yù)期,部分原因在于全球所有地區(qū)和多數(shù)半導(dǎo)體產(chǎn)品門類的廣泛復(fù)蘇。   Gartner研究副總裁Bryan Lewis表示:“過(guò)去5個(gè)季度的半導(dǎo)體環(huán)比增長(zhǎng)非常強(qiáng)勁,遠(yuǎn)高于季節(jié)性因素,而且產(chǎn)能趨緊。半導(dǎo)體芯
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體芯片  DRAM  

          存儲(chǔ)器市場(chǎng)高漲 20大IC供應(yīng)商重排座次

          •   按IC Insight報(bào)告,在DRAM 及NAND市場(chǎng)高漲下,導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。   IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示,Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲(chǔ)器廠,它們的排名至少前進(jìn)了一位,其中 Elpida前進(jìn)了6位,列于第10。   同時(shí)列于第2的三星電子,估計(jì)2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙,IC銷售額增長(zhǎng)達(dá)50%以上。   三星在本月初時(shí),它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元, 也即表示
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  半導(dǎo)體制造  

          金士頓創(chuàng)辦人稱:看好DRAM下半年銷售

          •   6月3日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,全球DRAM模組龍頭美國(guó)金士頓創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)昨天在臺(tái)表示,DRAM廠的制程轉(zhuǎn)換技術(shù)門檻不低,再加上智能手機(jī)等新的應(yīng)用產(chǎn)品,帶動(dòng)DRAM需求,他認(rèn)為下半年的DRAM市況應(yīng)該會(huì)好。   孫大衛(wèi)表示,DRAM制造廠越來(lái)越少,各大廠多進(jìn)入制程轉(zhuǎn)換的階段,總產(chǎn)出量恐比實(shí)際預(yù)期要低。而在智能手機(jī)、3D電視等多元化的新應(yīng)用產(chǎn)品紛紛出線下,下半年的DRAM供需不僅趨于平衡,甚至可能出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。   南韓三星電子大舉提高資本支出的計(jì)劃,讓臺(tái)系廠商非常緊張。孫大衛(wèi)則認(rèn)為,目前全球的
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  智能手機(jī)  

          力晶王其國(guó):DRAM制程難度提升 摩爾定律放緩

          •   力晶總經(jīng)理王其國(guó)表示,目前12寸晶圓廠不論在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或是代工業(yè)務(wù)如LCD驅(qū)動(dòng)IC芯片、SDRAM產(chǎn)品上,產(chǎn)能都相當(dāng)吃緊,未來(lái)DRAM業(yè)者在轉(zhuǎn)制程和蓋新廠上,會(huì)因?yàn)樨?cái)務(wù)問(wèn)題而放緩腳步,因此短期內(nèi)不擔(dān)心供過(guò)于求的問(wèn)題,尤其是相當(dāng)看好智能型手機(jī)(Smart Phone)對(duì)于DRAM產(chǎn)能的消耗量,算是殺手級(jí)的應(yīng)用,對(duì)于未來(lái)DRAM產(chǎn)業(yè)看法相當(dāng)正面。   王其國(guó)表示,過(guò)去摩爾定律認(rèn)為每隔18個(gè)月晶圓產(chǎn)出數(shù)量可多出1倍,但未來(lái)隨著DRAM產(chǎn)業(yè)制程技術(shù)難度增加,制程微縮的腳步放緩,可能較難達(dá)成,加上現(xiàn)在轉(zhuǎn)進(jìn)
          • 關(guān)鍵字: 力晶  SDRAM  DRAM  

          存儲(chǔ)器市場(chǎng)高漲 引發(fā)全球前20大IC供應(yīng)商排名大變

          •   按IC Insight報(bào)告,在DRAM 及NAND市場(chǎng)高漲下,導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。   IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示,Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲(chǔ)器廠,它們的排名至少前進(jìn)了一位,其中 Elpida前進(jìn)了6位,列于第10。   同時(shí)列于第2的三星電子,估計(jì)2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙,IC銷售額增長(zhǎng)達(dá)50%以上。   三星在本月初時(shí),它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元, 也即表示
          • 關(guān)鍵字: Hynix  存儲(chǔ)器  DRAM  NAND  

          內(nèi)存市場(chǎng)地位穩(wěn)固 三星加大NAND芯片產(chǎn)能

          •   據(jù)報(bào)道,臺(tái)灣DRAM內(nèi)存制造商認(rèn)為,三星目前已經(jīng)將重點(diǎn)放在了拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在NAND閃存市場(chǎng)差距。由于在DRAM市場(chǎng)的地位十分穩(wěn)固,三星未來(lái)將不 會(huì)繼續(xù)加強(qiáng)該市場(chǎng)的投資,因此其它DRAM廠商在這方面的影響將會(huì)比較小。三星此前在全球NAND閃存市場(chǎng)的份額一度達(dá)到50%,但目前 已經(jīng)滑落到了40%,而且排在第二的東芝也是在身后緊追不舍。為了拉大與東芝的差距,三星可能將會(huì)將其NAND閃存芯片生產(chǎn)集中在新建的Line-16生 產(chǎn)線上。   外界還認(rèn)為,受到操縱內(nèi)存價(jià)格事、可能遭受反壟斷調(diào)查影響,三星未來(lái)在D
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  內(nèi)存制造  

          三星砸錢瞄準(zhǔn)東芝 臺(tái)DRAM廠喘口氣

          •   三星電子(Samsung Electronics)宣布投下巨額資本支出計(jì)畫(huà),在全球DRAM產(chǎn)業(yè)掀起滔天巨浪,尤其臺(tái)系DRAM廠憂心忡忡,擔(dān)心還沒(méi)打仗就先輸了一半,不過(guò),近期存儲(chǔ)器業(yè)者在深入探詢?nèi)遣季趾蟊硎荆沁@場(chǎng)充滿殺敵言論的喊話動(dòng)作,真正用在DRAM產(chǎn)能擴(kuò)充上應(yīng)是相當(dāng)有限,主要還是與東芝(Toshiba)NAND Flash龍頭保衛(wèi)戰(zhàn),三星才有輸不得的壓力,加上三星針對(duì)LED、電池、太陽(yáng)能、生物科技、醫(yī)療等5大新興事業(yè)體拓展雄心,對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)威脅將低于預(yù)期。   三星在5月中旬宣布全球半導(dǎo)
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

          南北韓戰(zhàn)事升溫 三星命懸一線

          •   才剛對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics),再度因南北韓政治對(duì)立情勢(shì)升溫,戰(zhàn)事恐一觸即發(fā),而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點(diǎn)。業(yè)界聚焦重點(diǎn)放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè),三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中,DRAM市占率分別超過(guò)30%,NAND Flash市占率逼近40%,未來(lái)南北韓關(guān)系若持續(xù)緊繃,甚至有戰(zhàn)事發(fā)生,將使得全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)和消費(fèi)性電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈造成巨大變化。   全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠:三星   根據(jù)DIGITIMES
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  NAND  

          DRAM模塊大者越大 金士頓全球市占突破40%

          •   存儲(chǔ)器模塊產(chǎn)業(yè)2009年享受低價(jià)庫(kù)存變黃金的榮景,但2010年?duì)I運(yùn)則面對(duì)嚴(yán)峻挑戰(zhàn),惟產(chǎn)業(yè)大者越大的趨勢(shì)不變,根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu) iSuppli最新統(tǒng)計(jì),金士頓2009年全球市占率已達(dá)40.3%,幾乎是第2到8名的總和,威剛則以7.4%位居全球第2,而2009年DRAM模塊產(chǎn)業(yè)規(guī)模約175億美元,整體出貨量約6.32億支,預(yù)計(jì)2010年會(huì)提升至242億美元之多。   2009年DRAM價(jià)格觸底反彈,存儲(chǔ)器模塊廠營(yíng)運(yùn)率先受惠,幾乎是上半年各廠手上還抱著庫(kù)存欲哭無(wú)淚,但隨著奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)退出市場(chǎng)、個(gè)人
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM  

          擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模 三星變更半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)置

          •   為了擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模,三星電子(Samsung Electronics)變更半導(dǎo)體制作產(chǎn)線的營(yíng)運(yùn)方式,將原本一座工廠內(nèi)設(shè)置兩條產(chǎn)線的方式,變更為整座工廠只有一條產(chǎn)線的營(yíng)運(yùn)體系。   據(jù)南韓MT News報(bào)導(dǎo),三星23日動(dòng)工的京畿道華城半導(dǎo)體新工廠名稱,并不是當(dāng)初預(yù)定的17號(hào)產(chǎn)線,而命名為16號(hào)產(chǎn)線。   三星相關(guān)人員指出,過(guò)去存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模較小,對(duì)于景氣好壞的循環(huán)相當(dāng)敏感,因此過(guò)去采用一座工廠兩條產(chǎn)線方式,以換取投資時(shí)差并減低風(fēng)險(xiǎn)。   但目前三星在內(nèi)存市場(chǎng)的規(guī)模已夠大,必須一次擴(kuò)大生產(chǎn)量規(guī)模
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

          三星的行動(dòng)讓業(yè)界生畏

          •   三星在DRAM及NAND中稱霸,年產(chǎn)值達(dá)200億美元。然而近期的幾件事讓人聯(lián)想泛泛,三星擬再奪全球代工的寶座。   南韓半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出,其中在系統(tǒng)LSI(System LSI)部門,資本支出亦增加逾50%,達(dá)2兆韓元(約18億美元),以滿足手機(jī)等系統(tǒng)單芯片(SoC)需求,顯示三星有意加強(qiáng)晶圓代工業(yè)務(wù)。業(yè)界對(duì)此解讀,三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機(jī)芯片訂單,未來(lái)是否會(huì)擴(kuò)大分食高通在臺(tái)積電訂單,高通訂單版圖移轉(zhuǎn)變化有待觀察
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  NAND  

          迎戰(zhàn)三星 臺(tái)塑集團(tuán)準(zhǔn)備好了

          •   南韓三星電子大張旗鼓擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能,引發(fā)各方關(guān)注。臺(tái)塑集團(tuán)總裁王文淵日前于內(nèi)部會(huì)議表示,原先預(yù)期三星明年下半年啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn),其進(jìn)度比預(yù)期快得多,惟集團(tuán)與美光合作的30納米制程已完成開(kāi)發(fā),今年將切入50、42納米制程,技術(shù)超越臺(tái)系廠商;對(duì)照先前65納米,生產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)將提升約40%至50%,臺(tái)塑集團(tuán)已積極審慎應(yīng)戰(zhàn)。   三星大張旗鼓擴(kuò)充DRAM、NAND產(chǎn)能,由于比原先預(yù)期將在明年下半年啟動(dòng)快的多,也使臺(tái)灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽,但也突顯三星對(duì)DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景,有偏多的立場(chǎng)。   南亞科董事
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  NAND  50納米  

          三星巨額投資計(jì)劃恐對(duì)全球DRAM業(yè)投下震撼彈

          •   三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長(zhǎng)權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來(lái)臺(tái)公開(kāi)呼吁DRAM同業(yè)應(yīng)該要節(jié)制擴(kuò)產(chǎn),但三星電子卻于17日宣布,2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出,是歷年來(lái)規(guī)模最大的投資計(jì)畫(huà),主要以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為主,這對(duì)全球DRAM產(chǎn)業(yè)可說(shuō)是投下一顆震撼彈,而臺(tái)系DRAM廠的反應(yīng)則是啞巴吃黃蓮。存儲(chǔ)器業(yè)者指出,三星此舉是看好未來(lái)3年P(guān)C市場(chǎng)成長(zhǎng)率,但卻讓現(xiàn)階段正積極募資的臺(tái)系DRAM廠,狠狠挨了一記悶棍!   權(quán)五鉉3月中旬
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

          5月DRAM合約價(jià)出爐 DDR2持平DDR3小漲

          •   原本進(jìn)入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價(jià)終于開(kāi)出,一如市場(chǎng)預(yù)期,在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下,DDR2合約價(jià)最后持平開(kāi)出,而DDR3合約價(jià)則是小漲2~3%;DRAM業(yè)者認(rèn)為,在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結(jié)果,算是滿意,至于第3季傳統(tǒng)淡季展望,DRAM廠都不敢把話說(shuō)的太滿,對(duì)于能否有大幅漲價(jià)的空間? DRAM廠僅客氣表示,在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價(jià)位。   2010年5月合約價(jià)相當(dāng)難談,幾乎到了快要難產(chǎn)的階段,主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上,與部分PC大客
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  
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