lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區(qū)
英飛凌爾必達(dá)和解專利糾紛 達(dá)成交叉授權(quán)協(xié)議
- 據(jù)國外媒體報(bào)道,歐洲第二大芯片廠商英飛凌日前宣布,公司已經(jīng)與日本爾必達(dá)就半導(dǎo)體技術(shù)專利糾紛達(dá)成和解。 英飛凌發(fā)言人Monika Sonntag今日在接受電話采訪時(shí)稱,雙方已經(jīng)同意交叉授權(quán)半導(dǎo)體專利技術(shù),公司不會(huì)公布和解協(xié)議的具體財(cái)務(wù)條款。 爾必達(dá)是日本最大的電腦內(nèi)存芯片廠商,它與英飛凌就與微控制器有關(guān)的創(chuàng)新技術(shù)專利向美國地方法院和國際貿(mào)易委員會(huì)提出了訴訟。 英飛凌負(fù)責(zé)銷售、營銷與技術(shù)的管理委員會(huì)成員Hermann Eul表示:“我們期待著兩家公司能夠保持長久的和平關(guān)系。
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英飛凌與爾必達(dá)就專利侵權(quán)訴訟達(dá)成和解
- 英飛凌科技股份公司今日宣布,該公司與爾必達(dá)公司(Elpida Memory Icn.)就專利侵權(quán)訴訟達(dá)成和解。英飛凌與爾必達(dá)均同意撤消所有未決專利侵權(quán)訴訟。英飛凌于2010年2月向美國國際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)遞交起訴書,起訴爾必達(dá)及其客戶。爾必達(dá)隨后在弗吉尼亞州東部地區(qū)法院針對(duì)英飛凌提起兩項(xiàng)訴訟。 英飛凌與爾必達(dá)通過半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可,就專利侵權(quán)訴訟達(dá)成和解。具體許可條款未透露。 英飛凌公司董事會(huì)成員兼銷售、營銷、技術(shù)和研發(fā)負(fù)責(zé)人Hermann Eul博士指出:“英飛凌很高
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歐盟對(duì)三星等多家芯片制造商開出反壟斷罰單
- 歐盟委員會(huì)19日裁定韓國三星等10家芯片制造商操縱市場(chǎng)價(jià)格的行為構(gòu)成壟斷,并開出總額達(dá)3.31億歐元的罰單。 歐盟委員會(huì)當(dāng)天發(fā)表聲明說,這些企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)銷售上設(shè)定價(jià)格,其行為損害了市場(chǎng)競(jìng)爭,違反歐盟反壟斷規(guī)定。 根據(jù)這一聲明,韓國三星電子公司被罰金額最高,為1.457億歐元,其次為歐洲第二大半導(dǎo)體生產(chǎn)商德國英飛凌科技公司和韓國現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)公司,分別被處以5670萬歐元和5150萬歐元罰金。據(jù)悉,韓國三星電子公司和韓國現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)公司去年在該存儲(chǔ)器全球市場(chǎng)中占據(jù)一半以上份
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最新DRAM廠商排名出爐 三星市占優(yōu)勢(shì)擴(kuò)大
- 市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner近日公布了2010年Q1的DRAM市場(chǎng)份額公司排名情況。在Q1排名中市場(chǎng)份額擴(kuò)大的優(yōu)勝者是三星,美光及力晶及茂德。Q1 市場(chǎng)份額減少的失意者為海力士,爾必達(dá),南亞和威邦。 Q1的市場(chǎng)排名中依銷售額計(jì),三星居首位,接下來為海力士,爾必達(dá),美光,力晶,南亞,威邦,茂德,東芝和鈺創(chuàng)科技。 臺(tái)灣的茂德與力晶半導(dǎo)體由于產(chǎn)能利用率近滿載,它們的銷售額大幅增加。Gartner的分析師Andrew Norwood認(rèn)為力晶受益于其技術(shù)向Elpida的65nm XS技術(shù)過渡, 所以超
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三星斥156億美元巨資擴(kuò)大產(chǎn)能 競(jìng)爭對(duì)手咋舌
- 三星電子前日宣布,今年的擴(kuò)張資本支出將增加到18兆韓元(折合156億美元)。計(jì)劃將以11兆韓元擴(kuò)充內(nèi)存芯片產(chǎn)能,還將以5兆韓元與2兆韓元分別投入液晶顯示器 (LCD),以及電視與手機(jī)業(yè)務(wù)。此外,加上研發(fā)支出,預(yù)計(jì)三星今年支出總額將達(dá)26兆韓元,較去年激增67%,如此大手筆讓人咋舌。 據(jù)悉,三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉3月在出席GSA內(nèi)存大會(huì)時(shí)還表示,三星不會(huì)盲目擴(kuò)大DRAM顆粒產(chǎn)量,但會(huì)重視產(chǎn)品價(jià)值,穩(wěn)定產(chǎn)品價(jià)格。他還督促DRAM制造商不要一味的追求產(chǎn)能,而是應(yīng)該把注意力放在工藝升級(jí)和高端產(chǎn)品的研發(fā)
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三星巨額投資計(jì)劃恐對(duì)全球DRAM業(yè)投下震撼彈
- 三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來臺(tái)公開呼吁DRAM同業(yè)應(yīng)該要節(jié)制擴(kuò)產(chǎn),但三星電子卻于17日宣布,2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出,是歷年來規(guī)模最大的投資計(jì)畫,主要以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為主,這對(duì)全球DRAM產(chǎn)業(yè)可說是投下一顆震撼彈,而臺(tái)系DRAM廠的反應(yīng)則是啞巴吃黃蓮。存儲(chǔ)器業(yè)者指出,三星此舉是看好未來3年P(guān)C市場(chǎng)成長率,但卻讓現(xiàn)階段正積極募資的臺(tái)系DRAM廠,狠狠挨了一記悶棍! 權(quán)五鉉3月中旬
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三星電子2010年整體投資將達(dá)26兆韓元
- 三星電子在16號(hào)半導(dǎo)體生產(chǎn)線開工儀式上表示,2010年整體投資將達(dá)到26兆韓元。該生產(chǎn)線位于韓國華城,將主要用于生產(chǎn)下一代存儲(chǔ)產(chǎn)品,2011年建成投產(chǎn)后預(yù)計(jì)能月產(chǎn)12英寸半導(dǎo)體晶片20萬片以上。 2010年三星電子26兆韓元投資計(jì)劃主要包括:半導(dǎo)體領(lǐng)域11兆韓元、液晶領(lǐng)域5兆韓元、手機(jī)顯示領(lǐng)域2兆韓元以上、整體研發(fā)8兆韓元。經(jīng)過此輪投資三星電子將實(shí)現(xiàn)30納米DRAM大規(guī)模量產(chǎn)、擁有能夠月產(chǎn)7萬片的第四條8代液晶面板生產(chǎn)線、擁有全球最大規(guī)模的AMOLED生產(chǎn)線等。這是三星集團(tuán)繼前不久宣布向新產(chǎn)業(yè)投
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5月DRAM合約價(jià)出爐 DDR2持平DDR3小漲
- 原本進(jìn)入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價(jià)終于開出,一如市場(chǎng)預(yù)期,在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下,DDR2合約價(jià)最后持平開出,而DDR3合約價(jià)則是小漲2~3%;DRAM業(yè)者認(rèn)為,在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結(jié)果,算是滿意,至于第3季傳統(tǒng)淡季展望,DRAM廠都不敢把話說的太滿,對(duì)于能否有大幅漲價(jià)的空間? DRAM廠僅客氣表示,在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價(jià)位。 2010年5月合約價(jià)相當(dāng)難談,幾乎到了快要難產(chǎn)的階段,主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上,與部分PC大客
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光刻設(shè)備交貨延期推遲DRAM 40納米戰(zhàn)局
- 全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量,由于浸潤式機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)遞延交貨之故,瑞晶已松口表示,原本計(jì)劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程的目標(biāo),將正式遞延至2011年第1季,其第1臺(tái)浸潤式機(jī)臺(tái)本周才會(huì)正式到貨,比原訂時(shí)程晚了2~3個(gè)月,內(nèi)部已決定將8萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)63納米制程作為應(yīng)變。DRAM業(yè)者皆認(rèn)為,全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40納米正式對(duì)決時(shí)間點(diǎn),會(huì)是在2011年! 瑞晶總經(jīng)理陳正坤表示,瑞晶第1臺(tái)浸潤式機(jī)臺(tái)將于本周正式到貨,預(yù)計(jì)在9月之前會(huì)有5~6臺(tái)
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三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)
- 2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中,仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭,根據(jù)集邦統(tǒng)計(jì),三星的市占率高達(dá)39.2%,東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后,第1季位元成長率較上季增加15%,但平均單價(jià)(ASP)小跌5%,全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元,較上季39.1億元成長11.6%。 NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈,但2010年表現(xiàn)空間不多,在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議,美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。 完成收購恒憶后美光成為同時(shí)擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元,自由現(xiàn)金流量達(dá)4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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Q1全球DRAM產(chǎn)值續(xù)增 三星穩(wěn)居龍頭
- DRAM價(jià)格走揚(yáng),帶動(dòng)全球第一季DRAM產(chǎn)值持續(xù)攀高至92.77億美元,較去年第4季再成長6.9%;其中,南韓三星市占率達(dá)32.3%,穩(wěn)居全球DRAM龍頭寶座。 集邦科技表示,盡管第一季為DRAM產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季,不過,在電腦系統(tǒng)廠商擔(dān)心下半年恐將缺貨、積極儲(chǔ)備安全庫存下,帶動(dòng)第 1季DRAM市場(chǎng)需求淡季不淡,價(jià)格也持續(xù)走揚(yáng)。 根據(jù)統(tǒng)計(jì),第一季DDR3合約季均價(jià)上漲16%,現(xiàn)貨季均價(jià)也上漲14%;DDR2產(chǎn)品方面,第1季合約季均價(jià)上漲5%,現(xiàn)貨季均價(jià)則持平表現(xiàn)。 而在產(chǎn)品價(jià)格走揚(yáng),加上各
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集邦科技: 全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收2010第一季營收續(xù)成長6.9%
- 根據(jù)集邦科技公布價(jià)格,DDR3合約季均價(jià)與現(xiàn)貨季均價(jià)繼2009年第四季分別大漲40%與30%后,在2010年第一季分別續(xù)漲16%與 14%;DDR2合約季均價(jià)與現(xiàn)貨季均價(jià)2009年第四季分別大漲61%與68%后,在2010年第一季淡季不淡,合約季均價(jià)續(xù)漲5%,現(xiàn)貨季均價(jià)持平,持續(xù)維持在高檔價(jià)格。 由于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現(xiàn)貨市場(chǎng)需求仍大部份在DDR2,而DRAM廠快速轉(zhuǎn)進(jìn)至DDR3,使買方亦努力拉
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海力士:一季度DRAM芯片平均售價(jià)季漲3%
- 以收入計(jì)全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導(dǎo)體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布,一季度公司動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)平均售價(jià)季比上升3%,09年四季度漲幅為26%。 然而,海力士半導(dǎo)體公司在一份聲明中稱,一季度NAND快閃記憶芯片售價(jià)季比下降8%,09年四季度降幅為5%。 該公司補(bǔ)充道,一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%,NAND芯片發(fā)貨量季比持平。 海力士半導(dǎo)體公布,該公司一季度營業(yè)利潤率為28%,09年四季度該公司營業(yè)利潤率為25%。
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追隨三星之路 爾必達(dá)推出32GB容量模塊
- 日韓DRAM大廠制程競(jìng)賽延伸至產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn),在三星電子(Samsung Electronics)于3月底,宣布推出由32GB大容量服務(wù)器內(nèi)存模塊后,日系內(nèi)存大廠爾必達(dá)(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問世,不但采40奈米制程生產(chǎn),未來也將用此芯片生產(chǎn)32GB內(nèi)存模塊,應(yīng)用于服務(wù)器、大型數(shù)據(jù)中心或其他大型系統(tǒng)等,DRAM大廠在產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn),逐漸由主流規(guī)格2Gb,延伸至4Gb容量。 爾必達(dá)22日指出,將正式推出4Gb DDR3芯片,主要是采用40納米制程生產(chǎn),且響應(yīng)近期科技產(chǎn)業(yè)吹起的環(huán)保
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