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          DRAM市場:海力士率先擴(kuò)產(chǎn),其他企業(yè)能否緊隨其后

          •   DRAM存儲(chǔ)器是有史以來價(jià)格波動(dòng)最劇烈的IC產(chǎn)品。下圖是DRAM波動(dòng)性強(qiáng)的又一例證, 自2016年7月16日至2017年7月17日,短短一年時(shí)間,DRAM價(jià)格已經(jīng)翻了一番還要多。市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights表示,2017年DRAM單位存儲(chǔ)價(jià)格(price per bit)漲幅將超過40%,為史上最高。   僅僅一年前,DRAM采購商還在盡可能利用產(chǎn)能過剩狀況來向DRAM制造商壓價(jià),根本不管DRAM制造商在這樣低價(jià)合同上會(huì)賠多少錢。現(xiàn)在,DRAM制造商正在“復(fù)仇”,不斷漲
          • 關(guān)鍵字: DRAM  海力士  

          臺(tái)專家:中國半導(dǎo)體發(fā)展模式的探討

          •   大陸半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展進(jìn)程在歷經(jīng)萌芽期、自力更生的初創(chuàng)時(shí)期、改革開放前的起步探索時(shí)期、改革開放初期的開發(fā)引進(jìn)時(shí)期、全面布局的重點(diǎn)建設(shè)時(shí)期、高速發(fā)展期等階段之后,2014年迄今持續(xù)處于黃金發(fā)展期,當(dāng)中2014年6月國務(wù)院發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、國家集成電路大基金,更成為中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展最大的轉(zhuǎn)捩點(diǎn)。     爾后不論是中國制造2025、十三五規(guī)劃等新世紀(jì)發(fā)展戰(zhàn)略的帶動(dòng),或是2017年1月工業(yè)和資訊化部、國家發(fā)改委正式宣布《資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》,確定集成電路等九大資訊產(chǎn)業(yè)將是
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          美光:未來兩季 DRAM供不應(yīng)求

          •   美光全球制造副總裁艾倫昨(6)日表示,未來兩季DRAM仍是供不應(yīng)求,產(chǎn)業(yè)仍處于健康穩(wěn)定狀態(tài)。   他強(qiáng)調(diào),美光在上季公布財(cái)報(bào)時(shí)也預(yù)估本季營收和獲利展望,同時(shí)看好DRAM和儲(chǔ)存型閃存(NANDFlash)未來營運(yùn)表現(xiàn)。目前DRAM和NANDFlash需求非常強(qiáng)勁,但供應(yīng)端產(chǎn)能提升的速度仍無法滿足市場需求,預(yù)估未來兩季,DRAM仍供不應(yīng)求,產(chǎn)業(yè)處于健康狀態(tài)。   艾倫指出,美光目前在DRAM的投資策略,著眼于制程技術(shù)推進(jìn),短期內(nèi)不會(huì)增建新廠。目前其他二家主要DRAM制造大廠,包括三星、SK海力士,也是
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

          聚焦20納米DRAM!華邦電111億美元建新廠 規(guī)劃每月4萬片產(chǎn)能

          •   中國臺(tái)灣地區(qū)DRAM大廠華邦電5日宣布,在南科投資新廠的計(jì)劃已經(jīng)獲得臺(tái)灣科技部科學(xué)工業(yè)園區(qū)審議委員會(huì)的核準(zhǔn),總投資金額達(dá)新臺(tái)幣3,350億元(約合111億美元)。若以之前華邦電董事長焦佑鈞所說,建廠時(shí)間預(yù)計(jì)3年的情況下,則新廠2020年將可進(jìn)入投產(chǎn)。   華邦電為臺(tái)灣地區(qū)的DRAM大廠,目前僅有中科的一座12寸廠。2016年的年產(chǎn)能約4.3萬片,2017年年底將擴(kuò)增至4.8萬片,2018年底則擴(kuò)增到5.3萬片。未來,最大的擴(kuò)充能量到5.5萬片時(shí)就已經(jīng)將當(dāng)前臺(tái)中廠的剩余空間給全部用光。   因此,面
          • 關(guān)鍵字: 華邦電  DRAM  

          莫大康:中國半導(dǎo)體業(yè)要奮力突圍

          •   與美國在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制程等方面的差距,不僅表現(xiàn)在人材,技術(shù)等方面,可能更大的差距在于綜合的國力,以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善,所以此次奮力突圍一定要取得更大的進(jìn)步。   01引言   近期華爾街日?qǐng)?bào)撰文“中國的下一個(gè)目標(biāo)奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚,它是站在美方的立場,歪曲事實(shí)。   此次中國半導(dǎo)體業(yè)的“奮力突圍”,有兩層意義:   一個(gè)是差距大,希望迅速的成長,至多是擴(kuò)大芯片的自給率。   另一個(gè)是西方千方百計(jì)的阻礙中國半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

          存儲(chǔ)器價(jià)格為何居高不下?

          • 存儲(chǔ)器價(jià)格較高不再只是因?yàn)楣┬枋Ш狻?/li>
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM  

          存儲(chǔ)器“漲”勢不停 中國有望填補(bǔ)產(chǎn)能缺口

          • 存儲(chǔ)器作為智能手機(jī),電腦,智能手表等終端產(chǎn)品必不可少的元器件之一,它的缺貨將會(huì)導(dǎo)致整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)失衡,終端產(chǎn)品也將面臨著無貨可用的尷尬。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM  

          服務(wù)器DRAM大熱賣、報(bào)價(jià)季季漲 南亞科宜鼎受惠

          •   今年下半年英特爾及超微積極推出服務(wù)器新平臺(tái),英特爾Purley平臺(tái)已經(jīng)開始出貨,超微EPYC服務(wù)器處理器也開始放量出貨,而在云端運(yùn)算、人工智能的帶動(dòng)下,服務(wù)器用DRAM需求大爆增,服務(wù)器用DRAM本季報(bào)價(jià)又調(diào)漲一成,第四季續(xù)漲態(tài)勢無疑,全年漲幅上看五成,在此趨勢下,專攻服務(wù)器DRAM的南亞科與宜鼎,將會(huì)大受益。   DRAM因缺乏新廠產(chǎn)能開出,業(yè)者多采制程推進(jìn)增加有限產(chǎn)出,但是反觀需求面卻穩(wěn)健成長,帶動(dòng)今年以來DRAM供需持續(xù)吃緊,尤其在產(chǎn)能排擠效益下,服務(wù)器DRAM合約價(jià)今年上半年已大漲逾4成幅度
          • 關(guān)鍵字: 服務(wù)器  DRAM  

          全球半導(dǎo)體企業(yè)紛紛爭霸 中國成為“攪局者”

          •   在智能化飛速發(fā)展的今天,全球半導(dǎo)體行業(yè)風(fēng)云變幻,傳統(tǒng)代表廠商相互競爭日益激烈。而中國正逐漸成為“攪局者”,紫光的全球并購拉開了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)登上國際舞臺(tái)的序幕。然而現(xiàn)在來看,前途仍然充滿荊棘!   國內(nèi)掀起半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并購熱   半導(dǎo)體作為世界性產(chǎn)業(yè),體現(xiàn)著一個(gè)國家的綜合實(shí)力。在日本,半導(dǎo)體被稱為“產(chǎn)業(yè)大米”,是所有電子產(chǎn)品生產(chǎn)不可或缺的一種原料之一。   8月23日晚,中國紫光集團(tuán)斥資240億美元開始興建國內(nèi)首座先進(jìn)存儲(chǔ)芯片廠,消息一經(jīng)傳出,引得國
          • 關(guān)鍵字: DRAM  臺(tái)積電  

          全球DRAM供應(yīng)量不足 HPE內(nèi)存價(jià)格暴漲

          •   據(jù)消息人士透露,HPE公司自今日起將其服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格提高了20%,由于目前正處于全球范圍內(nèi)DRAM供應(yīng)量短缺的恢復(fù)階段,因此該服務(wù)器的相關(guān)組件成本較以往更高,從而導(dǎo)致了此番HPE服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格上漲。與此同時(shí),各DRAM廠商亦迎來創(chuàng)紀(jì)錄的銷售額新高。        在一封發(fā)送給貿(mào)易客戶的郵件中,HPE公司談到了涉及了這一定價(jià)變動(dòng),并解釋稱:“8月21日星期一,HPE將老版本與低容量內(nèi)存SKU的建議銷售價(jià)格提升10%至20%。”   以下內(nèi)存產(chǎn)品將受到影響:
          • 關(guān)鍵字: DRAM  HPE  

          MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待

          •   隨著更多業(yè)者進(jìn)入MRAM市場,STT執(zhí)行長Barry Hoberman在日前受訪時(shí)談到了MRAM帶來的商機(jī)及其可能取代現(xiàn)有主流存儲(chǔ)器技術(shù)的未來前景。   或許有人會(huì)把2016年形容為磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)市場的引爆點(diǎn)。而在那之前,Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產(chǎn)品的公司。不過,就像Spin Transfer Technologies(STT)執(zhí)行長Barry Hoberman一如既往地表達(dá)肯定之意:Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
          • 關(guān)鍵字: MRAM  DRAM  

          三星移動(dòng)DRAM逆勢調(diào)漲 SK海力士或可望受惠

          •   傳三星電子(Samsung Electronics)與全球智能手機(jī)業(yè)者,協(xié)商提高移動(dòng)DRAM(Mobile DRAM)價(jià)格過程占了上風(fēng),將有助于2017年下半的半導(dǎo)體事業(yè)獲利表現(xiàn)。三星電子這項(xiàng)舉動(dòng),可望讓同為韓國存儲(chǔ)器大廠的SK海力士(SK Hynix)跟著受惠。   韓媒Business Post引述業(yè)界看法,指出三星電子預(yù)計(jì)從2017年第4季起,針對(duì)大中華地區(qū)智能手機(jī)業(yè)者,祭出10~20%的移動(dòng)DRAM價(jià)格調(diào)漲策略,部分韓媒則是指出,三星電子這項(xiàng)舉動(dòng)僅針對(duì)部分中低價(jià)智能手機(jī)業(yè)者。   韓國業(yè)界
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          紫光國芯又有動(dòng)作 下一代DRAM產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展順利

          •   8月21日晚,據(jù)紫光國芯發(fā)布的2017上半年財(cái)報(bào)顯示,公司上半年盈利1.23億元,同比下降17.86%。新產(chǎn)品開發(fā)方面,紫光國芯最新開發(fā)完成的NAND Flash已經(jīng)開始了市場推廣,下一代DRAM產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展順利。   作為中國半導(dǎo)體行業(yè)的龍頭企業(yè),紫光國芯表示,受公司持續(xù)加大可編程系統(tǒng)芯片、存儲(chǔ)器芯片的研發(fā)投入等眾多因素的影響,使得上半年凈利潤下滑。   據(jù)了解,紫光國芯主營業(yè)務(wù)為集成電路芯片設(shè)計(jì)與銷售,并致力于向用戶提供先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)品以及專業(yè)的芯片解決方案。產(chǎn)品主要包括智能卡芯片、特種集成
          • 關(guān)鍵字: 紫光  DRAM  

          圍繞半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)布局,紫光國芯下一代DRAM開發(fā)順利

          •   今年以來,全球集成電路市場增長迅速,我國集成電路產(chǎn)業(yè)在國家政策引導(dǎo)、市場需求拉動(dòng)的雙重作用下,繼續(xù)保持了平穩(wěn)快速的發(fā)展。其中,頗具產(chǎn)業(yè)代表的紫光國芯股份有限公司(以下簡稱“紫光國芯”)以“自主創(chuàng)新”與“國際合作”相結(jié)合的發(fā)展路徑,圍繞芯片設(shè)計(jì)核心業(yè)務(wù),同時(shí)開拓了存儲(chǔ)器芯片、智能芯片等集成電路產(chǎn)品相關(guān)應(yīng)用市場。   8月21日晚間,紫光國芯發(fā)布了2017上半年財(cái)報(bào),財(cái)報(bào)顯示,公司上半年實(shí)現(xiàn)營收8.01億元,同比增長24.01%;歸
          • 關(guān)鍵字: 紫光國芯  DRAM  

          DRAM持續(xù)火爆 再迎創(chuàng)紀(jì)錄的營收總值

          • 雖然全球DRAM供應(yīng)短缺的問題正得到逐步緩解,但供需之間仍存在充足的缺口——至少能夠讓各芯片制造商繼續(xù)迎來創(chuàng)紀(jì)錄的營收總值。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  芯片  
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