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          臺媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺灣

          •   據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道,大陸積極發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè),但由于仍難突破三DRAM大廠的技術(shù)防線,在政策與時間壓力下,反而凸顯臺廠扮演關(guān)鍵少數(shù)的重要性,業(yè)界分析臺廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對象。   大陸的內(nèi)存產(chǎn)業(yè),目前形成紫光集團、合肥睿力及福建晉華等三大勢力,但在美光發(fā)動司法調(diào)查,緊盯三大廠竊取專利和營業(yè)秘密行為后,日前紫光已表態(tài)未來將朝自主研發(fā)前進。   另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導(dǎo)的團隊,仍如火如荼進行,并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作,委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技
          • 關(guān)鍵字: DRAM  聯(lián)電  

          三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀(jì)錄,手機品牌包產(chǎn)能

          •   DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會一直缺貨到明年,許多客戶搶貨,已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出,未簽訂長約的客戶,內(nèi)存供貨將短缺,沖擊產(chǎn)品上市或出貨時程。   集邦、IC Insight等研究機構(gòu)最近紛紛出具報告,強調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn),缺貨問題更嚴(yán)重。   業(yè)界表示,三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣,尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲存程序代碼關(guān)鍵組件,雖然單價遠(yuǎn)比DRAM
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

          臺媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺灣

          •   據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道,大陸積極發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè),但由于仍難突破三DRAM大廠的技術(shù)防線,在政策與時間壓力下,反而凸顯臺廠扮演關(guān)鍵少數(shù)的重要性,業(yè)界分析臺廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對象。   大陸的內(nèi)存產(chǎn)業(yè),目前形成紫光集團、合肥睿力及福建晉華等三大勢力,但在美光發(fā)動司法調(diào)查,緊盯三大廠竊取專利和營業(yè)秘密行為后,日前紫光已表態(tài)未來將朝自主研發(fā)前進。   另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導(dǎo)的團隊,仍如火如荼進行,并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作,委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技
          • 關(guān)鍵字: DRAM  SK海力士  

          第二季PC DRAM合約價漲逾一成,全球DRAM營收季增16.9%

          •   集邦咨詢內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看,由于客戶端已經(jīng)將庫存水位逐步往上提升,第二季供不應(yīng)求狀況雖不至于像第一季度嚴(yán)重,但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存第二季價格上漲逾一成,行動式內(nèi)存則因中國品牌手機廠下修出貨數(shù)量,價格僅小幅上漲5%內(nèi)。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,觀察市場面,受惠于平均銷售單價的上揚與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進,大規(guī)模的擴張產(chǎn)能至今年年底仍未見,全球DRAM市場第二
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NOR  

          并購路不易走 中國芯片產(chǎn)業(yè)如何實現(xiàn)自主替代?

          • 在海外并購道路障礙重重的情況下,我們通過培養(yǎng)積蓄人才來為中國創(chuàng)“芯”積攢力量,向2020年實現(xiàn)芯片自給率40%、2025年自給率70%的目標(biāo)前進,是更為有效地打破“缺芯”現(xiàn)狀實現(xiàn)自主替代的路徑。
          • 關(guān)鍵字: 芯片  DRAM  

          IC Insights:今年全球IC分類增長排行,DRAM達(dá)55%

          •   根據(jù)市場研究調(diào)查機構(gòu) IC Insights 的預(yù)估,2017 年全球 IC 市場可望成長約 16%。 其中,在DRAM將成長更將達(dá) 55%,將是 2017 年中成長幅度最大的 IC 產(chǎn)品。    ?   IC Insights 表示,DRAM 市場 2013 年與 2014 年分別成長 32% 及 34%,也都是當(dāng)年成長最大的 IC 產(chǎn)品領(lǐng)域。 統(tǒng)計過去 5 年,DRAM 市場經(jīng)常是成長最大,或者衰退最大的 IC 產(chǎn)品項目,顯示 DRAM 市場變化極端的特性。 不過,DRAM 市
          • 關(guān)鍵字: DRAM  IC  

          背靠聯(lián)電的技術(shù),晉華存儲DRAM實力能否殺出重圍?

          •   在2016年7月16日,投資370億元人民幣、月產(chǎn)6萬片12吋內(nèi)存晶圓、年產(chǎn)值達(dá)12億美元的晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線一期項目開工儀式。        據(jù)資料顯示,晉華存儲器集成電路生產(chǎn)項目由福建省電子信息集團和泉州、晉江兩級政府共同投建,總規(guī)劃面積594畝,預(yù)計于2018年9月達(dá)產(chǎn)。作為國家重點支持的DRAM存儲器生產(chǎn)項目,晉華項目已納入國家“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃重大項目清單,并獲得首筆30億元國家專項建設(shè)基金支持。   此項目堪稱晉江所有重
          • 關(guān)鍵字: 晉華存儲  DRAM  

          全球半導(dǎo)體2017年增速將達(dá)16%,其中10種產(chǎn)品增速可達(dá)兩位數(shù)

          • ,世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)將半導(dǎo)體分為33個大類。近日,市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights給出了這33類產(chǎn)品在2017年市場狀況的預(yù)期。   33種IC產(chǎn)品2017年增速排名(預(yù)計)如下圖所示。增速最快的是DRAM,這并不意外,2017年上半年DRAM價格異常出色,IC Insights預(yù)計2017年DRAM總銷售額同比增長55%,從而成為半導(dǎo)體細(xì)分市場增長率冠軍。問鼎增長率冠軍對DRAM市場而言并不是新鮮事,2013年和2014年DRAM同樣引領(lǐng)整個產(chǎn)業(yè)增長。在過去5年,DRAM要么是增長率
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          三星計劃調(diào)整Q4Mobile DRAM合約價 漲幅約10%

          •   全球DRAM龍頭韓國三星電子近期通知相關(guān)電子委托制造廠,計劃調(diào)漲第4季行動式存儲器(Mobile DRAM)合約價,漲幅近一成,反映DRAM供貨短缺仍未紓解,漲勢可望延續(xù)至今年第4季,南亞科和華邦電等同步受惠。   存儲器業(yè)者強調(diào),DRAM從去年起漲,主要受惠資料中心的服務(wù)器用DRAM需求強勁,加上網(wǎng)通類產(chǎn)品的需求隨導(dǎo)入嵌入式多芯片封裝存儲器的整合架構(gòu),帶動DRAM需求增加,但供給端因DRAM產(chǎn)業(yè)制程已接近極限,前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠,造成供貨緊縮,使平均銷售單價居高不下,
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          三大內(nèi)存罕見同時缺貨,三星DRAM再漲10%

          •   DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺,創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存,更寫下史上最長漲勢。   內(nèi)存業(yè)界表示,2008及2015年都出現(xiàn)過DRAM大漲,但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡,且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會排擠,很少看到兩大內(nèi)存同漲。   這次DRAM和NAND內(nèi)存兩大內(nèi)存缺貨超乎預(yù)期且價格上漲,主要來自數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備及計算機三大領(lǐng)域應(yīng)用需求強,前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠,造成供貨緊縮
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          國內(nèi)存儲器市場分析 該如何走存儲器國產(chǎn)化道路?

          • 近年來,隨著移動通信、物聯(lián)網(wǎng)、智能制造等領(lǐng)域的快速發(fā)展,存儲器產(chǎn)品的應(yīng)用市場也隨之逐步開拓,市場需求越來越大。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM   

          內(nèi)存價格暴漲一整年:徹底沒法買了

          • 內(nèi)存、固態(tài)盤這一年來不斷漲價,但究竟上漲到了什么程度呢?統(tǒng)計數(shù)據(jù)那是相當(dāng)?shù)膰樔恕?/li>
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM  

          2017年全球IC市場規(guī)模年增16% 成長幅度創(chuàng)近年新高

          •   隨著DRAM與NAND Flash市場規(guī)模大幅成長,調(diào)研機構(gòu)IC Insights預(yù)估,2017年全球整體IC市場規(guī)模將較2016年大幅成長16%,創(chuàng)下自2010年增33%以來,最佳年增紀(jì)錄。亦為2000年以來,第5度IC市場規(guī)模年增幅度達(dá)到雙位數(shù)百分比。   2017年全球DRAM市場規(guī)模將會年增55%,NAND Flash年增35%。不過該機構(gòu)亦指出,促使DRAM與NAND Flash市場大幅成長的最主要因素,是來自于DRAM與NAND Flash平均售價(ASP)的攀升,并不是受到DRAM與N
          • 關(guān)鍵字: IC  DRAM  

          半導(dǎo)體行業(yè)競爭激烈 國內(nèi)半導(dǎo)體還需渡過哪些難關(guān)

          •   過去兩年來,隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用的火熱發(fā)展,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來了新一輪熱潮。中國半導(dǎo)體制造設(shè)備也因此成為全球增速最快的市場,且下游需求良好,前景可期。   通盤來看,全球前十大半導(dǎo)體廠,有 英特爾、三星、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器、東芝、恩智浦、英飛凌。   國外對于中國半導(dǎo)體發(fā)展采取的措施   眾所周知,半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)主要是來自于美日韓半導(dǎo)體廠商的,他們在半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展已有數(shù)十載,技術(shù)成熟,專利頗多,而對于中國近年內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展他們也采取了各種防堵措施,
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          DRAM 第三季度合約價持續(xù)攀高,七月漲幅約 4.6%

          •   集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示,DRAM價格從去年下半年起漲至2017年上半年,依然維持強勁上漲力道,今年第一季的PC DRAM合約均價來到24美元,漲幅逼近四成;第二季均價亦來到27美元,亦有超過一成的漲幅。7月PC DRAM合約價持續(xù)上揚約4.6%,預(yù)估下半年價格將會維持小幅上漲態(tài)勢。   旺季需求與七月華亞科氣體事件,DRAM供貨維持吃緊態(tài)勢   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,時序進入下半年,DRAM產(chǎn)業(yè)供需也進入傳統(tǒng)旺季,原本就呈現(xiàn)吃緊的DRAM市場更
          • 關(guān)鍵字: DRAM  
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          mobile dram介紹

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