- 美國計算機(jī)記憶芯片大廠美光日前公布會計年度第1季(迄12月2日)財報,由于供智能型手機(jī)使用的記憶芯片需求殷切,不但抵銷了個人計算機(jī)記憶芯片需求下滑的沖擊,更讓公司連續(xù)第5個季度出現(xiàn)獲利。
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美光 DRAM
- 2010年12月下旬DRAM的合約價格持續(xù)重挫,其中2GB容量DDR3模塊的價格下跌10%,平均售價跌破20美元,低價來到17美元價格,相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期,2GB容量DDR3模塊價格較當(dāng)時的價格已下跌超過50%,市場預(yù)期供過于求的情況至少還會再持續(xù)1季,因為2011年第1季的供給增加幅度相當(dāng)大,預(yù)計要到2011年4月之后,等個人計算機(jī)(PC)大廠準(zhǔn)備下半年旺季的備料,DRAM價格才有機(jī)會落底止跌。
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爾必達(dá) DRAM
- 據(jù)市場研究公司iSuppli表示,今年全球半導(dǎo)體市場將較上年同期低迷的水平實現(xiàn)有史以來最大規(guī)模的增長,這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長。iSuppli預(yù)計,2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)總收入或為3,040億美元,較2009年總收入2,295億美元高出大約三分之一。
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半導(dǎo)體 DRAM
- 2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中,雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計劃,包括興建12寸晶圓廠Line-16,以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程,但綜觀整個DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長率,仍都是來自于制程微縮為主,包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%,以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出,集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(BitGrowth)將增加50%。
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三星電子 DRAM
- 2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中,雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計劃,包括興建12寸晶圓廠Line-16,以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程,但綜觀整個DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長率,仍都是來自于制程微縮為主,包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%,以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出,集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(Bit Growth)將增加50%。
三星電子201
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三星電子 DRAM
- 據(jù)iSuppli公司,2010年上半年金士頓增強(qiáng)了在第三方DRAM模組市場中的統(tǒng)治地位,在模組成本上漲之際利用其強(qiáng)大的購買力擴(kuò)大了市場份額。
2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元,比2009年下半年勁增45.6%。其在全球第三方DRAM模組市場中的份額從2009年下半年的39.6%升至45.8%。金士頓的表現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于總體DRAM模組市場,后者同期增長26%。
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金士頓 DRAM
- 據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo),三星電子(Samsung Electronics)應(yīng)用可大幅提升內(nèi)存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技術(shù)開發(fā)出8GB DDR3 DRAM模塊。三星以3D-TSV技術(shù)在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭載2顆集積芯片,制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)產(chǎn)品,10月時已裝設(shè)在客戶商服務(wù)器上,完成產(chǎn)品測試。
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三星 DRAM
- Rambus雖說是專利官司大戶,但他們也不是每次都靠這種方式掙錢。近日他們就與日本內(nèi)存大廠爾必達(dá)簽署了新一期的專利授權(quán)協(xié)議。
此次雙方簽署的協(xié)議涉及產(chǎn)品極其廣泛,從久遠(yuǎn)的SDR內(nèi)存芯片到DDR、DDR2、DDR3、LPDDR、LPDDR2再到GDDR3、GDDR5芯片。該協(xié)議為期五年,爾必達(dá)將向Rambus總共支付1.8億美元的授權(quán)費,首次付賬4700萬美元。
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爾必達(dá) DRAM
- 全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績走弱,營運獲利下滑加上淡季效應(yīng)與產(chǎn)品價格走跌等因素,有鑒于大陸市場潛力巨大,該公司擬加碼大陸資本投資金額,希望借此刺激營收。海力士大陸區(qū)負(fù)責(zé)人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時表示,公司計劃提高大陸廠制程技術(shù),以生產(chǎn)高階晶片。
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海力士 DRAM
- 按VLSI市場調(diào)研公司的最新報告,今年無論半導(dǎo)體以及設(shè)備業(yè)都達(dá)到歷史上輝煌的年份之一,由此也導(dǎo)致可能產(chǎn)能過剩及芯片價格下降。
同時,該公司也更新了2011及2012年半導(dǎo)體及設(shè)備業(yè)的預(yù)測,為2011年半導(dǎo)體增長4.4%為2486億美元,以及2012年再增長7.9%。VLSI之前曾預(yù)測2011年半導(dǎo)體增長8%。
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半導(dǎo)體 DRAM
- 11月下旬DRAM合約價跌幅超過10%,讓市場籠罩在烏云密布的氣氛當(dāng)中,29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報價單日再跌7%,1Gb DDR3報價摜破1.3美元;DRAM業(yè)者則表示,1Gb DDR3 eTT價格單日大跌超過7%,其實只是以補(bǔ)跌來反應(yīng)品牌顆粒的價格;然此跌價情況若再延續(xù),不排除各家DRAM廠會有擴(kuò)大減產(chǎn)的情況出現(xiàn)。
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力晶 DRAM
- 全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤潮的危機(jī),雖然2010年上半年在供給不足的情況下,DRAM報價達(dá)到頂峰,但下半年卻意外遇上個人計算機(jī)(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺,加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量產(chǎn)出,使得DRAM價格再度面臨崩盤窘境,時至11月,上、下旬合約價連番重挫,且上旬跌幅高達(dá)12~13%,較上旬不到10%合約價持續(xù)擴(kuò)大。
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力晶 DRAM
- 根據(jù)分析師和市場研究人員表示,個人電腦中的主要存儲元件DRAM的價格在2011年將會呈現(xiàn)下滑的狀態(tài)。瑞士信貸投資銀行預(yù)測,2011年中期DRAM市場仍將供過于求,但2011年下半年將恢復(fù)。該公司表示, DRAM季度收入將可能在明年二季度恢復(fù)之前,在第一季度探底。
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三星 DRAM
- 南朝鮮軍事緊張關(guān)系對于DRAM報價激勵未產(chǎn)生實質(zhì)性的幫助,市場還是回到供需面看待DRAM市場未來的前景;在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年,但個人計算機(jī)(PC)需求卻旺季不旺下,DRAM合約價和現(xiàn)貨價都呈現(xiàn)加速趕底之姿,預(yù)期2010年底前DDR3合約價將下跌至20美元水平,隨著爾必達(dá)(Elpida)、力晶陸續(xù)減產(chǎn),以及三星電子(Samsung Electronics)的新廠Fab16進(jìn)度將隨景氣調(diào)整,預(yù)計2011年下半DRAM市場可望走向供需平衡。
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爾必達(dá) DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics) 2011年將致力于提升DRAM存儲器半導(dǎo)體制程技術(shù)水平,再拉大與其它競爭業(yè)者間差距。三星半導(dǎo)體事業(yè)部專務(wù)趙南成表示,2010年采用30納米級制程制造DRAM,2011年上半計劃采行20納米級制程推出產(chǎn)品。三星計劃每年提升DRAM制程技術(shù),維護(hù)業(yè)界領(lǐng)先地位。
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三星 DRAM
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