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2011年DRAM位元成長(zhǎng)率上看50%
- 2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程，但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(zhǎng)率，仍都是來(lái)自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過(guò)50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(zhǎng)率(BitGrowth)將增加50%。
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM
2011年DRAM位元成長(zhǎng)率上看50%
- 2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程，但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(zhǎng)率，仍都是來(lái)自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過(guò)50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(zhǎng)率(Bit Growth)將增加50%。 三星電子201
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM
金士頓擴(kuò)大在DRAM模組領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)
- 據(jù)iSuppli公司，2010年上半年金士頓增強(qiáng)了在第三方DRAM模組市場(chǎng)中的統(tǒng)治地位，在模組成本上漲之際利用其強(qiáng)大的購(gòu)買力擴(kuò)大了市場(chǎng)份額。 2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元，比2009年下半年勁增45.6%。其在全球第三方DRAM模組市場(chǎng)中的份額從2009年下半年的39.6%升至45.8%。金士頓的表現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于總體DRAM模組市場(chǎng)，后者同期增長(zhǎng)26%。
- 關(guān)鍵字： 金士頓 DRAM
VLSI下調(diào)半導(dǎo)體及設(shè)備市場(chǎng)預(yù)測(cè)
- 按VLSI市場(chǎng)調(diào)研公司的最新報(bào)告，今年無(wú)論半導(dǎo)體以及設(shè)備業(yè)都達(dá)到歷史上輝煌的年份之一，由此也導(dǎo)致可能產(chǎn)能過(guò)剩及芯片價(jià)格下降。 同時(shí)，該公司也更新了2011及2012年半導(dǎo)體及設(shè)備業(yè)的預(yù)測(cè)，為2011年半導(dǎo)體增長(zhǎng)4.4%為2486億美元，以及2012年再增長(zhǎng)7.9%。VLSI之前曾預(yù)測(cè)2011年半導(dǎo)體增長(zhǎng)8%。
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
DRAM產(chǎn)業(yè)減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大
- 11月下旬DRAM合約價(jià)跌幅超過(guò)10%，讓市場(chǎng)籠罩在烏云密布的氣氛當(dāng)中，29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報(bào)價(jià)單日再跌7%，1Gb DDR3報(bào)價(jià)摜破1.3美元;DRAM業(yè)者則表示，1Gb DDR3 eTT價(jià)格單日大跌超過(guò)7%，其實(shí)只是以補(bǔ)跌來(lái)反應(yīng)品牌顆粒的價(jià)格;然此跌價(jià)情況若再延續(xù)，不排除各家DRAM廠會(huì)有擴(kuò)大減產(chǎn)的情況出現(xiàn)。
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM
DRAM供需待調(diào)整
- 南朝鮮軍事緊張關(guān)系對(duì)于DRAM報(bào)價(jià)激勵(lì)未產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性的幫助，市場(chǎng)還是回到供需面看待DRAM市場(chǎng)未來(lái)的前景;在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年，但個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)需求卻旺季不旺下，DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)都呈現(xiàn)加速趕底之姿，預(yù)期2010年底前DDR3合約價(jià)將下跌至20美元水平，隨著爾必達(dá)(Elpida)、力晶陸續(xù)減產(chǎn)，以及三星電子(Samsung Electronics)的新廠Fab16進(jìn)度將隨景氣調(diào)整，預(yù)計(jì)2011年下半DRAM市場(chǎng)可望走向供需平衡。
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) DRAM
臺(tái)塑力挺南亞科
- 臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南科辦理現(xiàn)金增資的時(shí)間點(diǎn)算是生不逢時(shí)，DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)崩盤，16日是南亞科現(xiàn)增案原股東繳款的最后截止日，但股價(jià)跌破現(xiàn)增價(jià)每股新臺(tái)幣16.5元，所幸有臺(tái)塑集團(tuán)出面宣布力挺決心，臺(tái)塑、南亞、臺(tái)塑石化及臺(tái)化等相關(guān)企業(yè)都出資認(rèn)購(gòu)，不足的部分預(yù)計(jì)會(huì)洽特定人吃下，這次南亞科募資的總金額為新臺(tái)幣99億元，目前臺(tái)塑集團(tuán)對(duì)南亞科持股比重已超過(guò)60%。
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)塑 DRAM
11月上旬DRAM合約價(jià)續(xù)跌逾7%
- 11月上旬DRAM合約價(jià)再跌超過(guò)7%，雖然跌幅較10月大幅縮減，但仍擋不住DRAM市場(chǎng)嚴(yán)重供不于求的事實(shí)，雖然DRAM廠這次再度發(fā)動(dòng)減產(chǎn)策略，但仍抵擋不住這波DRAM價(jià)格崩盤潮，主要是轉(zhuǎn)換制程所產(chǎn)出的新產(chǎn)能太多，加上目前終端個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)搭載的存儲(chǔ)器仍是以2GB為主，消化的DRAM產(chǎn)能有限，加上三星電子(Samsung Electronics)的生產(chǎn)成本大幅低于臺(tái)廠，使得這一波DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)都快速下向修正。
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) DRAM
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