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mos—fet 文章 進(jìn)入mos—fet技術(shù)社區(qū)
基于LT1641的雙路熱插拔電路設(shè)計(jì)
- 0 引言 很多大型數(shù)據(jù)系統(tǒng)中都會(huì)采用"背板+插件板"結(jié)構(gòu)。這樣,在更換維護(hù)插件板時(shí),通常都希望在不影響系統(tǒng)工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時(shí),一般會(huì)產(chǎn)生很大的啟動(dòng)電流和電壓波動(dòng),這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作,甚至導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的損害。當(dāng)一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時(shí),插件板上附加電容的充放電會(huì)給工作背板提供一個(gè)低阻抗,此時(shí)背板到插件板的高涌入電流可能會(huì)燒毀連接器和電路元件,或者暫時(shí)使背板陷落以導(dǎo)致系統(tǒng)重啟。這種現(xiàn)象就是熱插拔現(xiàn)象。 所謂熱插拔(Hot
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集成功率FET的鋰離子開關(guān)充電器
- 當(dāng)輸入至輸出的開銷電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時(shí),線性電池充電器的功耗相當(dāng)大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節(jié)鋰離子電池組、12V車載適配器、1.2A額定充電電流)為例,其線性充電器的平均功耗超過(guò)5W。 bq241xx系列開關(guān)充電器是對(duì)過(guò)熱問題的簡(jiǎn)便解決方案。內(nèi)置功率FET能夠提供高達(dá)2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz,輸入電壓最高可達(dá)18V,非常適用于由單節(jié)、雙或三節(jié)電池組供電的系統(tǒng)。該系列開關(guān)充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性,并且
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AB類功率放大器驅(qū)動(dòng)電路的研究與設(shè)計(jì)
- 1 AB類功放驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)目標(biāo) 在實(shí)用電路中,往往要求放大電路的末級(jí)(即輸出級(jí))輸出一定的功率,以驅(qū)動(dòng)負(fù)載。能夠向負(fù)載提供足夠信號(hào)功率的放大電路稱為功率放大電路,簡(jiǎn)稱功放。經(jīng)典功率放大器有4種類型:A類,AB類,B類和C類,他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導(dǎo)通角的函數(shù)關(guān)系如圖1所示。 A類功率放大器的線性度好,功率傳遞能力差,效率最大值為50%,導(dǎo)通角為360
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 驅(qū)動(dòng)電 放大器 MOS
飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅(qū)動(dòng)器多芯片模塊
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案FDMF6700,采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對(duì)于空間極度受約束的應(yīng)用,比如小外形尺寸的臺(tái)式電腦、媒體中心PC、超密集服務(wù)器、刀片服務(wù)器、先進(jìn)的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備,以及其它電路板空間有限的DC-DC應(yīng)用,F(xiàn)DMF6700為設(shè)計(jì)人員提供別具吸引力的解決方案。 在個(gè)人電腦主板中,典型的降壓轉(zhuǎn)換器在每個(gè)相位可能包含:采用DPAK封裝的三個(gè)N溝道MOSFE
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功率P-FET控制器LTC4414
- LTC4414是一種功率P-EFT控制器,主要用于控制電源的通、斷及自動(dòng)切換,也可用作高端功率開關(guān)。該器件主要特點(diǎn):工作電壓范圍寬,為3.5~36V;電路簡(jiǎn)單,外圍元器件少;靜態(tài)電流小,典型值為30μA;能驅(qū)動(dòng)大電流P溝道功率MOSFET;有電池反極性保護(hù)及外接P-MOSFET的柵極箝位保護(hù);可采用微控制器進(jìn)行控制或采用手動(dòng)控制;節(jié)省空間的8引腳MSOP封裝;工作溫度范圍-40℃~+125℃。 圖1 LTC4414的引腳排列 引腳排列及功能 LTC4414的引腳排列如圖1所示,各引腳
- 關(guān)鍵字: LTC4414 P-FET 電源技術(shù) 工業(yè)控制 模擬技術(shù) 工業(yè)控制
FET新版本可用于Serial RapidIO端點(diǎn)
- 日前,F(xiàn)abric Embedded Tools Corporation 公司宣布其新推出的 RapidFET™ 2.1 版本,并可運(yùn)用于德州儀器 (TI) DSP 等具備主控功能的 Serial RapidIO 端點(diǎn)。 RapidFET 是一款網(wǎng)絡(luò)管理與診斷工具,經(jīng)實(shí)踐證明,它能夠與 TI 
- 關(guān)鍵字: 2.1版本 FET RapidFET™ RapidIO Serial 單片機(jī) 工業(yè)控制 嵌入式系統(tǒng) 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線 消費(fèi)電子 主控功能 工業(yè)控制
日立瑞薩開發(fā)低功耗轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元
- 新型單元是一種用于嵌入式系統(tǒng)的下一代微控制器片上非易失存儲(chǔ)器的頗具前途的解決方案,它可以在1.5V電源電壓條件下進(jìn)行編程,且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比,每個(gè)單元的功耗降低了50%。此外,相對(duì)于現(xiàn)有的非易失存儲(chǔ)器,新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此,這些原型可在
- 關(guān)鍵字: MOS 日立 瑞薩 存儲(chǔ)器
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