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          基于LT1641的雙路熱插拔電路設(shè)計(jì)

          •   0 引言   很多大型數(shù)據(jù)系統(tǒng)中都會(huì)采用"背板+插件板"結(jié)構(gòu)。這樣,在更換維護(hù)插件板時(shí),通常都希望在不影響系統(tǒng)工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時(shí),一般會(huì)產(chǎn)生很大的啟動(dòng)電流和電壓波動(dòng),這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作,甚至導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的損害。當(dāng)一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時(shí),插件板上附加電容的充放電會(huì)給工作背板提供一個(gè)低阻抗,此時(shí)背板到插件板的高涌入電流可能會(huì)燒毀連接器和電路元件,或者暫時(shí)使背板陷落以導(dǎo)致系統(tǒng)重啟。這種現(xiàn)象就是熱插拔現(xiàn)象。   所謂熱插拔(Hot
          • 關(guān)鍵字: 電路  熱插拔  MOS  電源  

          集成功率FET的鋰離子開關(guān)充電器

          •   當(dāng)輸入至輸出的開銷電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時(shí),線性電池充電器的功耗相當(dāng)大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節(jié)鋰離子電池組、12V車載適配器、1.2A額定充電電流)為例,其線性充電器的平均功耗超過(guò)5W。   bq241xx系列開關(guān)充電器是對(duì)過(guò)熱問題的簡(jiǎn)便解決方案。內(nèi)置功率FET能夠提供高達(dá)2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz,輸入電壓最高可達(dá)18V,非常適用于由單節(jié)、雙或三節(jié)電池組供電的系統(tǒng)。該系列開關(guān)充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性,并且
          • 關(guān)鍵字: FET  鋰離子開關(guān)充電器  電源  

          AB類功率放大器驅(qū)動(dòng)電路的研究與設(shè)計(jì)

          •   1 AB類功放驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)目標(biāo)   在實(shí)用電路中,往往要求放大電路的末級(jí)(即輸出級(jí))輸出一定的功率,以驅(qū)動(dòng)負(fù)載。能夠向負(fù)載提供足夠信號(hào)功率的放大電路稱為功率放大電路,簡(jiǎn)稱功放。經(jīng)典功率放大器有4種類型:A類,AB類,B類和C類,他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導(dǎo)通角的函數(shù)關(guān)系如圖1所示。      A類功率放大器的線性度好,功率傳遞能力差,效率最大值為50%,導(dǎo)通角為360
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  驅(qū)動(dòng)電  放大器  MOS  

          一種基于大功率FET的數(shù)控直流電流源設(shè)計(jì)

          Intersil集成式FET穩(wěn)壓器支持60V輸入電壓和100V尖峰

          •    Intersil 公司宣布推出新的、高效、2A 集成式 FET 步降 DC/DC 開關(guān)穩(wěn)壓器系列,支持廣泛的工作輸入電壓,并且可以處理高達(dá) 100V 的瞬態(tài)尖峰。   ISL8560 支持 9V 至 60V 的輸入電壓以及 1.21V 至 55V 的可編程輸出電壓;而 ISL8540 支持 9
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  Intersil  FET  穩(wěn)壓器  電源  

          飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅(qū)動(dòng)器多芯片模塊

          •   飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案FDMF6700,采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對(duì)于空間極度受約束的應(yīng)用,比如小外形尺寸的臺(tái)式電腦、媒體中心PC、超密集服務(wù)器、刀片服務(wù)器、先進(jìn)的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備,以及其它電路板空間有限的DC-DC應(yīng)用,F(xiàn)DMF6700為設(shè)計(jì)人員提供別具吸引力的解決方案。   在個(gè)人電腦主板中,典型的降壓轉(zhuǎn)換器在每個(gè)相位可能包含:采用DPAK封裝的三個(gè)N溝道MOSFE
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  飛兆  DrMOS  FET  模塊  

          移動(dòng)終端中三類射頻電路的演進(jìn)方向

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 射頻  GSM  CMOS  GaAs  HBT  FET  SAW  FEM  VOC  DCR  DCT  

          34063用于DC-DC電源變換的電路

          • 34063一種用于DC-DC電源變換的集成電路,應(yīng)用比較廣泛,通用廉價(jià)易購(gòu)。
          • 關(guān)鍵字: 升壓  降壓  功率  MOS  

          如何使低功耗放大器在便攜式產(chǎn)品中提高性能

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: FET  DAC  ADI  

          功率P-FET控制器LTC4414

          • LTC4414是一種功率P-EFT控制器,主要用于控制電源的通、斷及自動(dòng)切換,也可用作高端功率開關(guān)。該器件主要特點(diǎn):工作電壓范圍寬,為3.5~36V;電路簡(jiǎn)單,外圍元器件少;靜態(tài)電流小,典型值為30μA;能驅(qū)動(dòng)大電流P溝道功率MOSFET;有電池反極性保護(hù)及外接P-MOSFET的柵極箝位保護(hù);可采用微控制器進(jìn)行控制或采用手動(dòng)控制;節(jié)省空間的8引腳MSOP封裝;工作溫度范圍-40℃~+125℃。 圖1 LTC4414的引腳排列   引腳排列及功能 LTC4414的引腳排列如圖1所示,各引腳
          • 關(guān)鍵字: LTC4414  P-FET  電源技術(shù)  工業(yè)控制  模擬技術(shù)  工業(yè)控制  

          FET新版本可用于Serial RapidIO端點(diǎn)

          日立瑞薩開發(fā)低功耗轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元

          • 新型單元是一種用于嵌入式系統(tǒng)的下一代微控制器片上非易失存儲(chǔ)器的頗具前途的解決方案,它可以在1.5V電源電壓條件下進(jìn)行編程,且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比,每個(gè)單元的功耗降低了50%。此外,相對(duì)于現(xiàn)有的非易失存儲(chǔ)器,新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此,這些原型可在
          • 關(guān)鍵字: MOS  日立  瑞薩  存儲(chǔ)器  

          擴(kuò)展射頻頻譜分析儀可用范圍的高阻抗 FET 探頭

          • 頻譜分析儀的電流模式一般有自10Hz低頻起始的頻率響應(yīng)。當(dāng)與1Hz或帶寬更窄的 FET 軟件結(jié)合使用時(shí),現(xiàn)代頻譜分析儀就具備了擴(kuò)展的低頻性能,使之成為設(shè)計(jì)與調(diào)試高性能模擬電路不可或缺的工具。
          • 關(guān)鍵字: FET  射頻  頻譜分析儀  高阻抗    

          1994年6月,無(wú)錫微電子工程在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司全面通過(guò)國(guó)家驗(yàn)收

          •   1994年6月,我國(guó)“七五”電子工業(yè)的頭號(hào)工程———無(wú)錫微電子工程在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司全面通過(guò)國(guó)家驗(yàn)收。該工程的重點(diǎn)2微米、3微米MOS超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn),代表了我國(guó)當(dāng)時(shí)微電子工業(yè)大生產(chǎn)的最高水平。
          • 關(guān)鍵字: 華晶電子  集成電路  MOS  
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