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MOSFET雪崩能量與器件熱性能和工作狀態(tài)相關(guān)性能
- 關(guān)鍵字： 雪崩能量 熱性能 電源系統(tǒng) MOSFET
恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET
- 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時(shí)僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專(zhuān)門(mén)針對(duì)4.5V開(kāi)關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專(zhuān)門(mén)針對(duì)高性能DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調(diào)節(jié)器、同步整流器。 技術(shù)要點(diǎn)： &mi
- 關(guān)鍵字： 恩智浦 MOSFET
如何為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET
- 雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專(zhuān)業(yè)知識(shí)對(duì)各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對(duì)于服務(wù)器電源中的負(fù)載開(kāi)關(guān)這類(lèi)應(yīng)用，由于MOSFET基本上
- 關(guān)鍵字： MOSFET
深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表
- 本文不準(zhǔn)備寫(xiě)成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計(jì)者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)?！ ?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類(lèi):即最大額定值和電氣特性值。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)據(jù)表
瑞薩電子高壓MOS在進(jìn)行產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)的注意要點(diǎn)
- 本文主要介紹瑞薩電子(又稱(chēng)：Renesas)高壓MOS在客戶(hù)電源等產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)的選型以及特性的說(shuō)明，為客戶(hù)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)提供參考性的設(shè)計(jì)意見(jiàn)。 MOSFET以其電壓控制、開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電源等產(chǎn)品中。Renesas高壓MOS涵蓋漏源電壓(VDSS)等級(jí)600V、800V、900V、1400V，具有極低的RDS(ON)和豐富的封裝系列，應(yīng)用十分廣泛。 MOSFET最重要的兩個(gè)參數(shù)是漏源電壓(VDSS)和導(dǎo)通電阻RDS(ON)。電流值和最大耗散功率值必須仔細(xì)觀(guān)察，因?yàn)樗鼈冎挥?/li>
- 關(guān)鍵字： Renesas MOSFET
PI推出帶集成控制器/MOSFET的高效率功率因數(shù)校正IC產(chǎn)品系列
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品，一款集成高壓MOSFET并可實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創(chuàng)新的控制方案，可提高輕載條件下的效率。此外，與使用分立式MOSFET和控制器的設(shè)計(jì)相比，HiperPFS器件能大幅減少元件數(shù)和縮小電路板占用面積，同時(shí)簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并增強(qiáng)可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIPä封裝，適合75 W至1 kW的PFC應(yīng)用。 歐洲
- 關(guān)鍵字： PI HiperPFS MOSFET 控制器芯片
Vishay Siliconix推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。
- 關(guān)鍵字： Vishay Siliconix MOSFET
Diodes 推出強(qiáng)固型MOSFET
- Diodes 公司推出專(zhuān)為IP電話(huà)(VoIP)通信開(kāi)發(fā)的新型60V N溝道器件，擴(kuò)展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專(zhuān)為處理產(chǎn)生正極線(xiàn)和負(fù)極線(xiàn)換行線(xiàn)路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開(kāi)關(guān)時(shí)引起的雪崩能量而設(shè)計(jì)。該器件能夠滿(mǎn)足基于變壓器的用戶(hù)線(xiàn)路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉(zhuǎn)換器對(duì)基本切換功能的嚴(yán)格要求。 Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
IR 拓展堅(jiān)固可靠、系統(tǒng)可擴(kuò)展的車(chē)用 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布拓展了車(chē)用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負(fù)載應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電源、混合動(dòng)力汽車(chē)的電池開(kāi)關(guān)、微型混合動(dòng)力汽車(chē)的集成起動(dòng)發(fā)電機(jī)系統(tǒng)等。 與傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝器件相比，IR 的車(chē)用 DirectFET®2 器件可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)級(jí)尺寸和更低的成本，以及超高的性
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET
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